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多層プリント配線板の製造 (97,916) | 多層形成の方法 (8,890) | グリーンシート法型のもの (1,694)

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【課題】セラミック積層基板のような焼結構造体を製造する際に、生積層体を焼成する過程において、セラミックグリーンシートが15〜30%程度収縮するため、焼結構造体の寸法精度を高めることが難しいという課題があった。
【解決手段】本発明の一態様に係る焼結構造体の製造方法は、第1セラミック部材および第2セラミック部材を準備する準備工程と、第2セラミック部材の2次元配列された開口部が第1セラミック部材の2次元配列された基体領域と上下に重なり合うように、これらのセラミック部材を交互に積層して積層体を得る積層工程と、積層体を焼成一体化する焼成工程と、個片に分割する分割工程とを有しており、第1セラミック部材に含まれる第1焼結材料と同じ焼成条件における焼結収縮率が第1焼結材料よりも小さい第2焼結材料を第2セラミック部材が含んでいることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 絶縁層が光の反射層となることができ、個片のセラミック基板への分割も容易な多数個取りセラミック基板および個片のセラミック基板を提供することにある。
【解決手段】 複数の基板領域2を有する母基板1と、母基板1の上面に、基板領域2の境界に沿って設けられた分割溝3とを備えており、母基板1が、第1のセラミック焼結体からなる絶縁層1aと、第1のセラミック焼結体よりも結晶化温度が低い第2のセラミック焼結体からなる拘束層1bとが交互に、最上層が絶縁層1aとなるように積層されて形成されているとともに、母基板1の上面に分割溝3に沿って、第2のセラミック焼結体からなる帯状拘束層4が付着している多数個取りセラミック基板9である。帯状拘束層4により、分割溝3が形成された部分における絶縁層1aの収縮を抑制して分割溝3の変形を抑制できる。そのため、分割が容易な多数個取りセラミック基板9を提供できる。 (もっと読む)


【課題】透光性配線基板において、熱サイクル印加後に配線パターンの透光性アルミナ基板への接着を維持し、かつ配線基板の透光性が得られるようにする。
【解決手段】透光性配線基板8は、透光性アルミナ基板1と、透光性アルミナ基板1上に形成されている配線パターン2とを備える。透光性アルミナ基板1を構成する透光性アルミナにおけるSiOの含有量が150〜300質量ppmであり、MgOの含有量が100〜250質量ppmであり、SiOの含有量がMgOの含有量より多く、SiOおよびMgOを除くアルミナ純度が99.9質量%以上であり、結晶粒子径が20μm以上である。透光性アルミナ基板1の配線パターン2以外の部分の前方全透過率が50%以上である。 (もっと読む)


【課題】 実装信頼性が高い配線基板および電子装置ならびに電子モジュール装置を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板は、中央領域Mおよび周囲領域Sを有する上面を含んでおり、周囲領域Sに設けられておりそれぞれ電子部品Eが収納される複数の凹部3と中央領域Mまたは周囲領域Sに設けられており複数の凹部3を連結する連結部4とを有している絶縁基体2を備えており、同様の高さの部分をたどって中央領域Mから周辺領域Sを介して周辺領域Sの外側へつながる経路を有するように連結部4が配置されている。 (もっと読む)


【課題】収縮抑制シートを用いて無収縮焼成を行う場合に、グリーンシート積層体と収縮抑制シートとの密着性を高くでき、それにより、収縮バラツキを抑制できる多層セラミック基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】脱脂工程において、収縮抑制シート23の平面方向における収縮率が0.05%以下と小さいので、脱脂工程及びその後の焼成工程におけるグリーンシート積層体31の収縮率が小さくなり、収縮バラツキも小さくなる。また、脱脂工程における収縮抑制シート23の収縮率がグリーンシート積層体31の収縮率より大きいので、収縮抑制シート23とグリーンシート積層体31との密着性が向上する。よって、グリーンシート積層体31の収縮を抑制することができる。従って、収縮バラツキを抑制することができるので、多層セラミック基板5における寸法バラツキを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】集積回路がフリップチップ実装された光モジュールにおいて、25Gbps以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供する。
【解決手段】多層基板上の隣り合う第1および第2電極パッドのうち、第1電極パッドは第1導体ビア、第1内層導体配線と順次接続され、第2電極パッドは多層基板の表層導体配線、第3電極パッド、第2導体ビア、第2内層導体配線と接続され、第1内層導体配線と表層導体配線の間にはグランド導体ビアもしくは電源導体ビアが設けられ、第1内層導体配線が形成された第1形成層と第2内層導体配線が形成された第2形成層との間には、グランド導体配線層もしくは電源導体配線層が設けられる。第1および第2電極パッドは、それぞれ第1および第2光素子の表面に形成された電極パッドと接続される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極が形成されたセラミック基板を用意する第1段階と、上記セラミック基板にシード層を形成する第2段階と、上記シード層にめっき層を形成する第3段階と、を含むことができる。 (もっと読む)


【課題】優れた信頼性を有する多層配線基板を製造し得る方法及び優れた信頼性を有する多層配線基板を提供する。
【解決手段】配線14を構成するためのビア導体15が内部に複数配されたセラミックグリーンシートを複数積層し、積層体を作製する。積層体を作製する際に、積層方向xにおいて隣り合うセラミックグリーンシートの間に、隣り合うビア導体15間に位置するように絶縁材20を配する。積層体を積層方向xにプレスする。プレスされた積層体を焼成することにより多層配線基板1を得る。 (もっと読む)


【課題】 外部からのノイズの影響を低減し、高周波信号を効率よく伝送することができる差動伝送線路および該差動伝送線路を備えた多層配線基板を提供することにある。
【解決手段】 絶縁層を挟んで上下に対向する第1配線導体2および第2配線導体3を有する一対の配線導体からなる差動伝送線路において、一方の第1配線導体2aの端部と他方の第1配線導体2bの端部とが絶縁層を貫通して設けられた第1貫通導体4を介して電気的に接続され、一方の第2配線導体3aの端部と他方の第2配線導体3bの端部とが絶縁層を貫通して設けられた第2貫通導体5を介して電気的に接続されており、第1貫通導体4と第2貫通導体5との間に接地貫通導体6が設けられている。外部からのノイズの影響を低減し、高周波信号を効率よく伝送することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】バーンインテストで温度を変える場合にプローブカード用配線基板が反ってウエハ上の端子とプローブが電気的に接続されない問題がおきやすく、そのためにバーンインテストにかかる時間を短縮できないので、バーンインテストを短縮できるプローブカード用配線基板とするためには改善が必要なものであった。
【解決手段】プローブカード用配線基板3において、ダミービア2bを含むビア2とを備えており、表層部1aの横断面における絶縁基体1に対するビア2の面積比は、内層部1bの横断面における絶縁基体に対するビア2の面積比より高くなっていることによって、プローブカード用配線基板3の上下の表層部1aから内層部1bには接続用ビア2aに加えてダミービア2bによって効率的に熱が伝導されるようになるので、バーンインテスト時に短時間で定常な温度分布状態となるので、バーンインテストにかかる時間を短縮することに関して向上されている。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板を製造する際に発生するボイドを防止し、セラミック基板の製造工程の歩留まりを向上する。
【解決手段】少なくとも1枚にはビアホールを有するグリーンシートを複数枚積層し焼成された積層体4と、ビアホール内に導電ペースト5が充填されたビア6と、ビア6上に形成された電極7とを備えたセラミック基板において、電極7を形成するグリーンシート1Bのビアホールが機械加工によって形成されることを特徴とするセラミック基板。 (もっと読む)


【課題】無収縮焼成法を用いて、セラミック基板は、収縮されず、電極パターンは、水平方向に自由に収縮されて、微細な線幅及びパターン位置の精密度の両方を満足する多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】内部電極回路パターンの設けられたセラミック積層体を製造するステップと、前記セラミック積層体の外部に有機層を形成するステップと、前記有機層上に表面電極を形成するステップと、前記有機層及び前記表面電極の設けられたセラミック積層体を焼結するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】集積回路素子を有するICパッケージに、集積回路素子に接続されていない補助配線を設けることで、高密度配線が可能な回路モジュールを提供する。
【解決手段】集積回路素子5を有するICパッケージ2と、ICパッケージ2が実装される配線基板3とを備え、集積回路素子5がICパッケージ2の表面に形成された複数のパッドのうちの一部を介して配線基板3の複数のランド電極に接続されている回路モジュールにおいて、複数のパッドのうち集積回路素子5に接続されていない少なくとも2つのパッドが、ICパッケージ2に設けられ、かつ、集積回路素子5に接続されていない補助配線8により接続されるとともに、配線基板3に設けられた複数の配線パターン10が、集積回路素子5に接続されていない少なくとも2つのパッドと補助配線8を介して接続される。 (もっと読む)


【課題】分割溝を形成する際の素子基板の変形や位置ずれを抑制できる連結基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】複数の素子基板3となる未焼成の連結基板1の第1の主面1bに0.09N/20mm以上の粘着力を有する粘着シート7aを貼り合わせた後、前記第1の主面1bとは反対側の第2の主面1aに前記複数の素子基板3を分割するための分割溝5を形成する工程と、前記第1の主面1bから前記粘着シート7aを剥離した後、前記未焼成の連結基板1を焼成する工程とを有する連結基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とサーマルビアとの界面におけるクラックの抑制および発光素子で発生した熱の放熱性の向上。
【解決手段】配線基板20は、外部接続用電極層120、セラミックス層130および配線層140を備える。セラミックス層130は、アルミナとホウ珪酸ガラスを材料として形成されており、熱伝導率が6W/m・K以下である。セラミックス層130は、複数の第1のサーマルビア132、および、第1のサーマルビア132より小さい直径を有する第2のサーマルビア134を配置することにより、熱伝導率の低いセラミックス層130を用いた配線基板20において、発光素子150で生じる熱の放熱性能を向上している。第1のサーマルビア132は、発光素子搭載領域150a内に格子状に配置され、第2のサーマルビア134は、隣接する全ての第1のサーマルビア132から等距離離れた位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】ビア電極と表層電極との接続強度を高め、接続信頼性の高いコンデンサを提供する。
【解決手段】セラミックコンデンサ101のコンデンサ本体104は、コンデンサ主面102及びコンデンサ裏面103を有し、複数のセラミック誘電体層105及び複数の内部電極層141,142を積層してなる。複数のコンデンサ内ビア導体131,132は、コンデンサ本体の積層方向に貫通形成された貫通ビア130内に充填形成されており、各内部電極層141,142に接続されている。貫通ビア130は、コンデンサ主面102側の開口に向かうに従って拡径するように形成された拡径部135を有する。表層電極111,112は、コンデンサ主面102上において拡径したビア導体131,132の端面全体を覆うように設けられている。 (もっと読む)


【課題】小型化を図った高周波部品および通信装置を提供する。
【解決手段】複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、高周波信号の入力、出力端子および高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が積層基板の一方の主面に形成されており、積層基板を構成する誘電体層には、インダクタンス素子用等のパターン電極が構成され、一端がそれぞれ電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層1に形成されたビア電極を介して高周波信号処理回路が有する少なくとも一つの半導体素子に接続され、複数の電源ラインのうち少なくとも二つの電源ラインは、それぞれ、隣接する二以上の誘電体層1にわたって積層方向から見て重なるように形成されたビア電極列2を有し、少なくとも二つの電源ラインのビア電極列2は、隣接する誘電体層間において、他の導体パターンを介さずに近接している。 (もっと読む)


【課題】 電極パッドに対する電子部品の電極の接続信頼性が高い電子部品搭載用基板を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層2が積層されてなる絶縁基板1と、絶縁基板1の上面から内部に向かって形成された貫通導体4とを備え、貫通導体4のうち絶縁基板1の上面側の端部4aにおけるガラス含有率が他の部分におけるガラス含有率よりも小さくされており、貫通導体4の端部が、絶縁基板1の上面に搭載される電子部品11の電極12と接続される電極パッド3である電子部品搭載用基板である。電極パッド3のガラス含有率が低いため、電極パッド3のろう材に対する濡れ性が向上し、電極パッド3と電極12との接続信頼性を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】温度変化に伴って半導体素子と基板との間に作用する熱応力を低減することができ、且つ(多層配線層を含む)基板全体として高い機械的強度(剛性)を有する積層焼結セラミック配線基板、及び当該配線基板を含む半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体素子に近い熱膨張率を有するセラミック基材11と基材11中に埋設された内層配線14とを一体的に焼結し、内層配線14における多層配線層に相当する微細な導体構造が所定の幅Wc、層内間隔Dh、及び層間間隔Dvを有するように配線基板10を構成する。これにより、半導体素子が接合された状態において基板10が温度変化に曝される際に半導体素子と基板10との間に作用する熱応力を抑制し、基板10の剛性を維持し、温度サイクル信頼性を高める。更に、基板10における内層配線14の導通不良や絶縁不良をも低減する。 (もっと読む)


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