【課題】接続信頼性が高く、狭ピッチの接続端子を形成可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、無機材料からなる基板本体１１に形成された配線パターン１２と、前記配線パターンと電気的に接続され、半導体チップが搭載される外部接続端子１５と、を備えた無機基板１０と、絶縁層３１、３３、３５と配線層３２、３４、３６が積層された有機基板３０と、熱膨張係数が前記無機基板よりも大きく前記有機基板よりも小さい材料からなる応力緩和層２１と、前記応力緩和層を貫通する貫通配線２２と、を備えた接合層２０と、を有し、前記無機基板は、前記有機基板上に前記接合層を介して積層され、前記無機基板の配線パターンと前記有機基板の配線層とは、前記貫通配線を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る配線基板４は、ランド１５と、ランド１５上に形成された樹脂層１０と、該樹脂層１０を厚み方向に貫通してランド１５の一部を露出するビア孔Ｖと、該ビア孔Ｖ内に形成されたビア導体１２とを備え、ランド１５は、導体膜１８と、該導体膜１８におけるビア導体１２側の一主面に形成された被覆膜１９とを有し、ビア導体１２は、ビア孔Ｖの内壁およびビア孔Ｖに露出したランド１５の一部に被着した下地膜１７と、該下地膜１７上に形成された導体部２０とを有し、導体膜１８および導体部２０は、被覆膜１９および下地膜１７よりも導電率が高く、被覆膜１９は、導体膜１８よりもヤング率が大きく、且つ、下地膜１７よりも厚みが大きい。 （もっと読む）

【課題】 インターポーザ試験構造と方法を提供する。
【解決手段】 具体例は、インターポーザを含む構造を開示する。インターポーザは、インターポーザの周辺に延伸する試験構造を有し、少なくとも一部の試験構造は、第一再配線素子中にある。第一再配線素子は、インターポーザの基板の第一表面上にある。試験構造は中間物で、少なくとも二個の探針パッドに電気的に結合される。 （もっと読む）

【課題】電子部品内蔵配線板における電気的接続の信頼性を高める。
【解決手段】配線板１０が、キャビティＲ１０を有する基板１００と、キャビティＲ１０に収容され、電極２１０、２２０を有する電子部品２００と、電子部品２００上に形成された接着層４００（絶縁層）と、接着層４００に形成された孔４０１ａ、４０２ａ（ビアホール）内に導体が形成されてなるビア導体４０１ｂ、４０２ｂと、ビア導体４０１ｂ、４０２ｂを介して電極２１０、２２０に電気的に接続される導体層３０１と、を有し、導体層３０１が、電極２１０、２２０の少なくとも１つの外側の縁の直上に面状の導体パターンを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装構造体の電気的接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板は、交互に積層された複数の絶縁層１３および導電層１４を備え、複数の絶縁層１３は、最外層に位置する第１絶縁層１３ａと、該第１絶縁層１３ａに接している第２絶縁層１３ｂとを有し、導電層１４は、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとの間に配された接続パッド１８を有し、第１絶縁層１３ａは、厚み方向に貫通して接続パッド１８を露出する貫通孔Ｐを具備し、接続パッド１８は、貫通孔Ｐの開口部に向かって突出した突起部２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プローブカード用セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板は、複数のビア電極が形成されたセラミック基板と、セラミック基板の一面に形成され、上記ビア電極を露出させる複数の貫通ホールを含む絶縁層と、貫通ホールの内部に形成され、ビア電極と電気的に連結される接触パッドとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パッドとビアとの間の電気的接続信頼性を十分に確保することのできる配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パッドは、配線基板から露出された金属層と、配線基板から露出された金属層とビアとの間に設けられ、ビアに含まれる金属の配線基板から露出された金属層への拡散を防止する第１の金属層と、ビアと前記第１の金属層との間に設けられ、第１の金属層よりも酸化されにくい第２の金属層とを有し、パッドを構成する金属層のうち、第２の金属層の上面が粗化処理され、パッドは、その側面、第２の金属層側の面が絶縁層により覆われ、配線基板から露出された金属層側の面が絶縁層より露出しており、絶縁層には、第２金属層の粗化処理された面を露出する開口部が形成され、開口部に第２の金属層の粗化処理された面に接続されるビアが形成され、絶縁層の上面にはビアと接続された配線が設けられている配線基板及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】より少ない工程でかつ安価に形成することができ、しかも貫通孔の深さ方向にわたり均一な厚みの金属膜を形成することができ、電気的接続の信頼性に優れたスルーホール電極の形成方法を提供することにある。
【解決手段】金属板２上に基板６が積層されている積層体１を用意し、積層体１の基板６側からレーザー光Ａを照射し、貫通孔４ａ，５ａを基板６に形成し、さらに貫通孔下部の金属板２にレーザー光を照射し続け、金属と金属を段階的にを飛散させ、貫通孔４ａ，５ａの内周面に金属膜からなるスルーホール電極を形成する、スルーホール電極の形成方法。 （もっと読む）

【課題】反りを低減可能であると共に、高密度化にも対応可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、前記第１の主面に最も近い第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、前記第２の主面に最も近い第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、前記第２の絶縁層は、補強部材を備えている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子部品との接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板３は、基体１１と、該基体１１の上面側のみに積層された複数の絶縁層１４と、基体１１の下面に部分的に形成された第１接続パッド７ａと、基体１１と該基体１１に隣接する絶縁層１４との間に部分的に形成された第１導電層１０ａと、隣接した絶縁層１４同士の間に部分的に形成された第２導電層１０ｂと、最上層に位置する絶縁層１４の上面に部分的に形成された第２接続パッド７ｂと、を備え、基体１１および絶縁層１４の平面方向の熱膨張率は、第１接続パッド７ａ、第１導電層１０ａ、第２導電層１０ｂおよび第２接続パッド７ｂの平面方向の熱膨張率よりも小さく、絶縁層１４の平面方向の熱膨張率は、基体１１の平面方向の熱膨張率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板４は、貫通孔Ｐ１が形成された樹脂層７ａと、該貫通孔内Ｐ１に配された貫通導体８ａと、樹脂層７ａと貫通導体８ａとの間に介された介在膜９Ａとを備え、該介在膜９ａは、樹脂層７ａに当接した第１酸化チタン膜１４ａと、該第１酸化チタン膜１４ａよりも前記貫通導体８ａ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の貫通導体が平面視で重なる場合でも、貫通導体等における機械的な破壊を抑制することが可能な多層配線基板を提供する。
【解決手段】樹脂絶縁層１と薄膜配線層２とが交互に積層され、上下の薄膜配線層２が貫通導体３によって互いに電気的に接続されてなる薄膜多層部４を有し、貫通導体３は、上下に連続する複数の樹脂絶縁層１にわたって平面視で互いに重なる位置に形成されたものを含んでおり、平面視で重なる複数の貫通導体３（３ａ，３ｂ）のうちの一部が錫を主成分とする金属材料からなり、他が銅を主成分とする金属材料からなる多層配線基板５である。弾性率が低い錫を主成分とする金属材料からなる貫通導体３ａによって複数の貫通導体３が平面視で重なることによる応力を緩和し、貫通導体３の内部等におけるクラック等の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

集積回路（ＩＣ）デバイス用の基板の実施形態が開示される。基板は、ともに接合された２つ以上の別々のガラス層を有するコアを含む。隣接し合うガラス層の間に、これらの層をともに結合する別個の接合層が配設され得る。基板はまた、多層ガラスコアの両面に、あるいは場合により該コアの片面のみに、ビルドアップ構造を含み得る。基板の両面に導電端子が形成され得る。基板の一方の面の端子にＩＣダイが結合され得る。反対側の面の端子は、例えば回路基板などの次階層の部品と結合され得る。１つ以上の導電体が多層ガラスコアを貫いて延在し、これら導電体のうちの１つ以上が、コア上に配置されたビルドアップ構造と電気的に結合され得る。その他の実施形態も開示される。
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【課題】配線レイアウトの自由度が高く、且つ、信号を高品質で伝送可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板に、交差する第１，第２配線１１，１２を設ける。ここで、第１配線１１は、交差領域ＡＲ１では第１層に形成し、周辺領域ＡＲ２では第１層、第１層より下層の第２、及び第１，第２層間の第３層に形成する。第２配線１２は、交差領域ＡＲ１では第２層に形成し、周辺領域ＡＲ２では第１層、第２層及び第３層に形成する。 （もっと読む）

【目的】局部的に高配線密度な回路板を製造することに用い、ステップを簡易化し、製造コストを減少させることができる回路板構造を提供する。
【解決手段】本発明が提示する回路板構造は、内層回路板及び子基板を含む。内層回路板は、第１回路層と、第２回路層と、第１回路層及び第２回路層の間に位置するコア層と、を有する。子基板は、コア層中に埋め込まれ、子基板の配線密度が内層回路板の配線密度より大きい。また、もう１つの回路板構造では、子基板の少なくとも一側が開口領域中に対応して露出される。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域のＩＣチップ、特に３ＧＨｚを越えても誤動作やエラーの発生しないパッケージ基板を提供する。特に、スイッチをＯＮしてから発生する電圧降下のうち１回目と２回目の電圧降下を改善する。
【解決手段】 表裏を接続する複数のスルーホール３６を備え、表裏の導体層３４と内層の導体層１６とを有する３層以上の多層コア基板３０上に、層間絶縁層５０、１５０と導体層１５８が形成された多層プリント配線板１０において、
複数のスルーホール３６は、ICチップ９０の電源回路またはアース回路または信号回路と電気的に接続している電源用スルーホール３６Ｐとアース用スルーホール３６Ｅと信号用スルーホールとからなり、電源用スルーホール３６Ｐの内、少なくともIC直下のものは、内層のアース用導体層１６Ｅを貫通する際、延出する導体回路を有しない。 （もっと読む）

【課題】遮光領域を抑制することにより、開口率の低下を防止するとともに、製造工程を簡素化することができる多層配線基板及びそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１は、第１コンタクトホール１１が形成された第１絶縁膜８と、第１絶縁膜８の表面及び第１コンタクトホール１１の表面に形成された第１配線層１４と、第２コンタクトホール１５が形成された第２絶縁膜９と、第２絶縁膜９上に積層されるとともに、第２絶縁膜９の表面及び第２コンタクトホール１５の表面に形成され、第１配線層１４と導通された第２配線層１６とを備えている。そして、第１及び第２コンタクトホール１１，１５が、ＴＦＴ基板１の上下方向Ｘにおいて重なった状態で直線的に配置され、第１コンタクトホール１１において、第１配線層１４上に絶縁性樹脂２５が充填されている。 （もっと読む）

【課題】 配線密度の向上と、配線間のクロストークノイズの低減とを両立する配線基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１の層に設けた信号線となる第１の導体層と、第２の層に設けたグランド導体或いは電源用導体のいずれかの第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層間の第３の層に設けた第３の導体層とを有し、第３の導体層は第２の導体層と電気的に接続され、第３の導体層は第１の導体層より線幅が狭く、且つ、第３の導体層は第１の導体層が有する線幅の範囲内の第３の層に配置されているマイクロストリップ構造配線を有し、第３の導体層は、第２の導体層と複数の層間接続ビアによって接続され、第３の導体層と第２の導体層との間に第３の導体層より線幅の狭い第４の導体層を設けるとともに、第４の導体層は、第３の導体層及び第２の導体層と面で接続している。 （もっと読む）

１つの非限定的な実施例によれば、低伝導性エミッション基板は、対応する複数の導電層によって隔離された複数の薄い高絶縁耐力絶縁層を備えており、複数の導電層の１つが、複数の導電層の別の１つと短絡されている。
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【課題】高性能な半導体チップの性能劣化が防止されて十分な信頼性が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１の配線基板２では、接続パッドＰを含むパッド配線部２３の下に中空部Ｈを設けることにより、配線層２４はパッド配線部が空中配線となる片持ち梁構造となっており、接続パッドＰに半導体チップ４０がフリップチップ接続されている。配線基板２の層間絶縁層３２の凹部Ｃに充填された犠牲層の上に接続パッドＰを含むパッド配線部２３が形成され、接続パッドＰに半導体チップ４０がフリップチップ接続された後に、犠牲層が除去されて中空部Ｈが設けられる。 （もっと読む）