【課題】水平搬送した際の搬送キズに起因する孔径のばらつきを抑制できる上、レーザ加工エネルギーを低減することができるプリント配線板の製造方法と、これに用いる表面処理剤を提供する。
【解決手段】絶縁層(1a,2)と銅層(1b,3)とが積層されたプリント配線板製造用積層板の表層の銅層(3)の表面に銅化合物皮膜(4)を形成する皮膜形成工程と、銅化合物皮膜(4)側から赤外線レーザ光を照射して孔(BV)を形成する孔形成工程とを含むプリント配線板の製造方法であって、銅化合物皮膜(4)が形成された銅層(3)の表面は、中心線平均粗さＲａが０．２０μｍ以上であり、銅化合物皮膜(4)は、銅層(3)の表面の単位面積当たり０．５〜１０．０ｇ／ｍ^２のハロゲン化銅を含む、プリント配線板の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】所望の大きさの開口を有し且つ優れた信頼性を有するソルダーレジストを表面に備えるプリント配線板を効率的に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプリント配線板の製造方法は、（Ｉ）プリント配線板上に感光性樹脂組成物で第一のパターンを形成する工程と、（ＩＩ）第一のパターンの少なくとも一部を覆うように、プリント配線板上に熱硬化性樹脂組成物で第二の層を形成する工程と、（ＩＩＩ）第二の層を熱硬化させる工程と、（ＩＶ）デスミア処理によって第二の層を研削して第一のパターンを露出させる工程と、（Ｖ）更なるデスミア処理によって第一のパターンを除去し、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなり且つプリント配線板の表面にまで至る開口を有するソルダーレジストを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】
高周波信号の伝送損失を低減でき、かつ、クロストークノイズを抑制できる回路基板を提供する
【解決手段】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内部又は少なくとも一主面上に形成された配線層とを含む回路基板であって、前記絶縁基板が、２５℃で１ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．００４〜０．０１の基板であり、前記配線層が、配線導体幅が４０μｍ以下の部分を有し、かつ、絶縁基板と接する面の表面粗さ（Ｒｚ）が、１．５μｍ以下の層である、回路基板。 （もっと読む）

【課題】導体回路層とビアとの間のクラックの進行を効果的に抑制して、層間接続の信頼性を向上させる。
【解決手段】多層プリント配線基板１００は、第１及び第２プリント配線基材１０，２０を積層してなる。第１及び第２導体回路層１１，１２は、ビアホール１３内のビア１４により層間接続されている。第１導体回路層１１のビアホール１３側の面には、ビアホール１３の開口径Ｗ１よりも第１絶縁基材１９の面１０ａ方向に大径の内径Ｗ２を有する凹部１５が形成されている。ビア１４は、ビアホール１３及び凹部１５内に充填された導電ペーストなどの導電材からなる。第１導体回路層１１とビア１４との接合界面の面積が、従来のインナービアを用いたものよりも大きいので、接合界面に沿ったクラックの進行経路長を延長し、進行方向を変化させ、接合界面の近傍が完全に破断することを抑制して、層間接続の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】樹脂充填材とコア基板との密着性を改善することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】コア基板準備工程ではコア基板１１を準備し、収容穴部形成工程では収容穴部９０をコア基板１１に形成し、貫通穴部形成工程では貫通穴部１４を形成する。めっき層形成工程では、収容穴部９０の内壁面９１に対してめっき層９２を形成するとともに、貫通穴部１４の内壁面に対して、空洞部を有するスルーホール導体となるめっき層７１を形成する。収容工程では、部品１０１を収容穴部９０に収容する。樹脂埋め工程では、収容穴部９０の内壁面９１と部品側面１０６との隙間、及び、空洞部に対して、樹脂充填材９３を充填して埋める。 （もっと読む）

【課題】回路の損傷なしに、特定面にだけ凹凸を有する回路パターンを樹脂絶縁層内に転写して埋め込めるための回路転写用キャリア部材、これを用いたコアレスプリント基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャリア層の一面に、バリア層と、外側上端にだけ凹凸が形成されている回路パターンとを有するように構成された回路転写用キャリア部材を利用して回路パターンを樹脂絶縁層に転写して埋め込めることで、高密度、高信頼度のコアレスプリント基板を製作する。 （もっと読む）

【課題】 基板の補強材にガラスクロスを用いた場合、マイグレーションの発生に伴う電気的特性の悪化を招き、また、キャビティ形成時にガラスクロスの切断加工が必要で製造コストのアップを招く。
【解決手段】 複合多層基板２０は、金属製材料からなる平板状のコア部材２１と、コア部材２１の表面と裏面を覆う表面側樹脂層２２および裏面側樹脂層２３と、表面側樹脂層２２および裏面側樹脂層２３のいずれか一方又は双方に形成された電極（第１及び第２の電極）と、コア部材２１の表裏を貫通して形成された無底穴２４または有底穴と、無底穴２４または有底穴に実装する電子部品２５とを備え、電子部品２５に対する電気的接続を第１の電極を介して行うようにし、コア部材に対する電気的接続を第２の電極を介して行うようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工により形成される穴の形状精度に優れる穴付き積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２上に第１の金属層１４と、無機フィラーを含む第１の絶縁層１６と、無機フィラーを実質的に含まない第２の絶縁層１８と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基を有する被めっき層２０とをこの順に備える加工前積層体１０に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体１０の前記被めっき層２０側の表面から第１の金属層１４表面に到達する穴２４を形成する穴形成工程を備える、穴付き積層体の製造方法であって、第２の絶縁層１８がＤＢＰ吸油量１００ｃｍ³／１００ｇ以下のカーボンブラックを含み、第２の絶縁層１８中におけるカーボンブラックの含有量が５質量％以上２０質量％以下である、穴付き積層体２２の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱による寸法変化が小さく、かつ埋め込み性が良好な硬化物を得ることができるエポキシ樹脂材料を提供する。
【解決手段】本発明に係るエポキシ樹脂材料は、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂と、アミノトリアジン骨格を有する硬化剤と、無機フィラーと、フェノキシ樹脂とを含む。本発明に係るエポキシ樹脂材料に含まれている上記無機フィラーを除く全固形分１００重量％中、上記ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂の含有量が４０重量％以上、６０重量％以下であり、かつ上記アミノトリアジン骨格を有する硬化剤の含有量が１０重量％以上、２０重量％以下である。本発明に係る多層基板１１は、回路基板１２と、回路基板１２の回路が形成された表面１２ａ上に配置された硬化物層１３〜１６とを備える。硬化物層１３〜１６は、上記エポキシ樹脂材料を硬化させることにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ接続の信頼性および配線板としての機能性を保全した上で、低コストで製造が可能な部品内蔵配線板を提供すること。
【解決手段】第１の絶縁層と、第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、第２の絶縁層に埋設された、端子パッドを有する半導体チップと、表層金めっきの接続ランドを含み、かつ該接続ランド上を除いては表層金めっきの形成されておらず、かつ接続ランド上を少なくとも除いて第２の絶縁層側の表面が粗化されている、第１の絶縁層と第２の絶縁層とに接触して挟設された配線パターンと、半導体チップの端子パッドと配線パターンの接続ランドとを電気的に導通させる接続部材と、接続部材をその内部に封止するように設けられた樹脂と、を具備し、配線パターンが、樹脂に接する表面においては粗化されていない。 （もっと読む）

【課題】製造過程において反りが発生した場合でも、反りを矯正できる多層配線構造及びその製造方法、並びに多層配線構造を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】メタル層と絶縁層とを交互に複数層積層して形成された多層配線構造において、最上層及び最下層のうちの少なくとも一方の上記メタル層と上記絶縁層は、それ以外のメタル層と絶縁層より膜厚が厚く、上記最上層及び上記最下層のうちの少なくとも一方の表面は略平坦である。 （もっと読む）

【課題】ガラス板を含む基板本体の両面に形成された配線層同士を容易に導通可能な配線基板、前記配線基板と電気的に接続された半導体チップを有する半導体装置、及び前記半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、配線基板と、前記配線基板と電気的に接続された半導体チップと、を備え、前記配線基板は、一方の面から他方の面に貫通する開口部を有するガラス板と、前記開口部内に形成された樹脂部と、前記樹脂部を前記一方の面側から前記他方の面側に貫通し、前記一方の面側に形成された配線層と前記他方の面側に形成された配線層とを電気的に接続する貫通配線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタの導電層と誘電層との界面での剥離を抑えることが可能な多層配線基板およびその製造方法、並びにこの多層配線基板を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】上部電極および下部電極の間に誘電層を有する薄膜キャパシタを備えた機能領域と、前記機能領域以外の周辺領域とを有し、前記周辺領域の少なくとも一部に、前記誘電層および導電層が積層された係留部が設けられ、前記導電層の前記誘電層に接する面のラフネスが、前記上部電極または前記下部電極の前記誘電層に接する面のラフネスよりも大きい多層配線基板。チップおよび前記多層配線基板を備えた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】硬化後の硬化物の熱による寸法変化を小さくすることができ、更に硬化物の耐熱性を高めることができるエポキシ樹脂材料及び該エポキシ樹脂材料を用いた多層基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るエポキシ樹脂材料は、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂と、上記エポキシ樹脂のエポキシ基と反応可能な官能基を２つ以上有する硬化剤とを含む。下記式（１）中、Ｘはカルボニル基又はスルホニル基を表す。本発明に係る多層基板１１は、回路基板１２と、回路基板１２の回路が形成された表面１２ａ上に配置された硬化物層１３〜１６とを備える。硬化物層１３〜１６は、上記エポキシ樹脂材料を硬化させることにより形成されている。
【化１】
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【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】 非破壊で導体層を正確に測定できるプリント配線板を提供する。
【解決手段】 絶縁層と導体パターンとが交互に積層され、異なる層に形成されている導体パターン同士がビア導体により接続されているビルドアップ層を有するプリント配線板であって、前記導体パターンのうち任意の第１導体パターンは、該第１導体パターンとは異なる層に位置する第２導体パターンとは前記絶縁層の厚み方向において重ならない測定部位を有し、該測定部位をもとに前記第１導体パターンの厚みが測定される。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂と半導体素子搭載面となる絶縁層やソルダーレジスト層との間の濡れ性を調整し、アンダーフィル樹脂を充填する時にアンダーフィル樹脂にボイド等発生しないような配線基板を得る。
【解決手段】支持体（２０）の表面に粗化処理を施して、粗化面に配線層（２５）を形成し、支持体の粗化面と配線層上に誘電体層（２３、２５）を積層し、このように構成した中間体から支持体を除去し、配線基板を得る。 （もっと読む）

【課題】導体層及び絶縁樹脂層が交互に積層されてなる多層プリント配線板の絶縁樹脂粗化面形成方法において、絶縁樹脂に求められる低粗度且つ均一な粗化面をインプリント法により簡便に形成することを目的とする。
【解決手段】少なくとも（ａ）微細形状を有した面状の金型により前記絶縁樹脂層を上下から挟む工程と、（ｂ）前記絶縁樹脂層を加圧及び硬化させる工程と、（ｃ）前記金型及び前記絶縁樹脂層を引き剥がす工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】はんだ接合した場合にはんだから受ける応力や、落下時に受ける応力への耐性の高い表面電極を備えた、信頼性の高いセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】ＢａＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とするセラミック基板１０と、セラミック基板の表面に設けられた表面電極２と、表面電極の周縁部２ａを覆う被覆セラミック層３であって、ＢａＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とし、かつ、セラミック基板を構成するセラミックと比較して、ＳｉＯ₂の含有率が高く、ＢａＯの含有率が低いセラミックからなる被覆セラミック層とを備えた構成とする。
被覆セラミック層を構成するセラミックは、セラミック基板を構成するセラミックと比較して、ＳｉＯ₂の含有率を５〜１５ｗｔ％高くし、ＢａＯの含有率を５〜１５ｗｔ％低くする。 （もっと読む）

【課題】環境を考慮した安全な処理によって金属板に絶縁層が強固に密着された配線基板を製造することができる高品質な配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】板状の金属コアの表面及び裏面の少なくとも一方の面に、導電層を有する絶縁層が金属コア側と反対側に導電層を配置させて積層され、導電層からなる導体パターンを有する面が各種部品の実装面とされた配線基板の製造方法であって、金属コアの絶縁層が積層される面にウエットブラスト処理を施して粗面化する粗面化処理工程（ステップＳ２）と、粗面化処理工程と連続して、金属コアの粗面化した面に絶縁層を重ねてラミネート処理を行うことにより金属板に絶縁層を一体化させる絶縁層積層工程（ステップＳ３）と、を含む配線基板の製造方法とする。 （もっと読む）