【課題】 電気的信頼性を改善した低熱膨張な配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板３は、絶縁層８と、絶縁層８上に形成された導電層１３とを備え、絶縁層８が、可視光の波長よりも粒径が小さく、かつネック構造を介して少なくとも一部が互いに接続している複数の第１無機絶縁粒子１６と、第１無機絶縁粒子１６よりも粒径が大きく、互いの間に第１無機絶縁粒子１６を介在させている複数の着色材粒子１７と、複数の第１無機絶縁粒子１６および複数の着色材粒子１７の周りに充填された樹脂材１５とを有することを特徴とするものである。絶縁層８の熱膨張率を低減することができる結果、配線基板３と電子部品との接続部への熱応力の印加を低減でき、配線基板３の電気的信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品内蔵基板の反りを抑制する。あるいは、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造する。
【解決手段】電子部品内蔵基板の製造方法が、樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層に形成された収容部に電子部品が配置されてなる部品内蔵部と、を有する第１基板を準備することと、開口部を有する第２基板を準備することと、第１基板から部品内蔵部を含む基板片を切り出すことと、切り出された基板片を第２基板の開口部内に配置し、固定することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 平面方向の剛性および表面部分の柔軟性が高いセラミックグリーンシート、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 セラミック粉末が有機樹脂からなるバインダで結合されてなるセラミックグリーンシート１であって、バインダのガラス転移温度が、セラミックグリーンシート１の厚み方向の中央部１ａにおいて上部１ｂおよび下部１ｃよりも高いセラミックグリーンシート１である。バインダのガラス転移点が高い中央部１ａによってセラミックグリーンシート１の平面方向の剛性を高めることができる。また、上部１ｂおよび下部１ｃが比較的柔軟であるため、セラミックグリーンシート１の表面部分の柔軟性が高い。 （もっと読む）

【課題】環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができるだけでなく、ビルドアップ基板材料と金属回路層との密着力強化による高信頼性の微細回路を具現することができるビルドアッププリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のビルドアッププリント回路基板の製造方法は、（ａ）第１樹脂基板を提供する段階と、（ｂ）前記第１樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、（ｃ）前記粗さが形成された第１樹脂基板にコア回路層を形成してコア層を提供する段階と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 上下の絶縁層間の密着性が高く、かつ絶縁層の層間から外側面への絶縁層の一部の突出等を抑制することが可能なセラミック多層基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の樹脂材料を含む第１のセラミックグリーンシート層11（第１層11ａ）の下面に、第１の温度において第１の樹脂材料よりも弾性率が小さい第２の樹脂材料と、第１の温度よりも高い第２の温度において硬化する第３の樹脂材料とを含む第２のセラミックグリーンシート12層（第２層12ａ）を付着させる工程と、上面に金属ペースト13を印刷した２層セラミックグリーンシート21を第１の温度で積層する工程と、積層した２層セラミックグリーンシート21を第２の温度で加熱する工程とを備えるセラミック多層基板の製造方法である。積層時には第２層12ａが柔軟であるため絶縁層１間の密着性が高く、積層後には第２層12ａが変形しにくいため絶縁層１の突出を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】、銅に極めて近い熱膨張係数とプレスプレートに好適な硬さとを有する省Ｎｉ型の安価なオーステナイト系ステンレス鋼と、これを用いたプレスプレートとを提供する。
【解決手段】本発明のオーステナイト系ステンレス鋼は、Ｃ：０．０６〜０．１０重量％、Ｓｉ:０．５０〜０．７５重量％、Ｍｎ:５．５０〜６．５０重量％、Ｎｉ:２．００〜２．５０重量％、Ｃｒ:１７．０〜１８．０重量％、Ｃｕ:２．００〜２．５０重量％、Ｎ:０．１５〜０．２５重量％を含有し、残部がＦｅと不可避不純物とからなり、圧下率７０％の調質圧延を行った際に発生する加工誘起マルテンサイトの体積率が１０％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストが安く、接続信頼性に優れたコンデンサモジュール内蔵配線基板を提供すること。
【解決手段】コンデンサモジュール内蔵配線基板１０は、半導体チップ２１を表面実装するための複数の端子パッド４４が基板主面５１上に設けられるとともに、ＢＧＡ用パッド４８が基板裏面５２上に設けられている。ガラス基板１０２とそのガラス基板１０２の第２面１０６上に実装される複数のチップコンデンサ１０３とによってコンデンサモジュール１０１が構成される。コンデンサモジュール１０１は、基板主面５１上に設定された半導体チップ搭載領域２３の直下にて、チップコンデンサ１０３を実装していない第１面１０５側を基板主面５１側に向けた状態で内蔵される。 （もっと読む）

【課題】 セラミック積層基板と導体の焼収縮差により焼成後に導体との間に生じていた空隙形成を防ぐことにより、セラミック積層基板と導体双方の密着性を高めることができるセラミック積層回路基板の製造を可能とすることを目的とする。
【解決手段】 ガラス粒子およびアルミナ粒子からなるセラミックス原料粉末、焼結助剤、可塑剤等を溶剤によりスラリー化してグリーンシートを形成するセラミックス回路基板の製造方法であって、低融点ガラスと、有機物からなるフィラーを添加することを特徴とする。前記フィラーは、例えばアクリル樹脂またはメラミン樹脂とする。 （もっと読む）

【課題】金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、金属箔のシワの発生が抑制された高品質な金属箔張基板を製造可能な金属箔張基板製造用仮基板、および高品質な金属箔張基板を効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】金属箔張基板製造用仮基板１は、プリプレグを硬化させてなる仮基板本体１１と、仮基板本体１１上に配置された下地層１２と、下地層１２を介して仮基板本体１１上に設けられ、下地層１２の平面視の大きさより大きな金属箔１３と、を有し、金属箔１３の一部をビルドアップ配線層９等の他の基板に移転させて配線基板（金属箔張基板）５を製造するのに用いられる仮基板であって、仮基板本体１１は、経糸／緯糸の１インチ当たりの質量比が０．８〜１．３５であり、かつ、単位面積当たりの質量が２０８〜２６０ｇ／ｍ^２であるガラス織布を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】硬化時における反りを低減でき、絶縁信頼性に優れ、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜、プリント配線板用保護絶縁膜、層間絶縁膜などの材料として好適に使用できる樹脂組成物、樹脂組成物を用いた樹脂フィルム及びそれらを用いた配線板を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分とポリエーテル構造及び少なくとも２つの末端アミン構造を有するジアミン成分とを重合させて得られた高分子化合物と、（Ｂ）酸化防止剤と、を含有し、高分子化合物は、分子内にエステル構造及びスルホン酸基を有しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リードピンへの応力の集中を抑制すると共に、張り合わせ時のボイドの発生を抑制することができる半導体装置用多層配線基板を提供することにある。
【解決手段】導体層１０４〜１０９と誘電体層１１１〜１１７とが交互に積層され、最上面と最下面が導体層１０１，１０２ａ，１０２ｂ、１０９で構成されると共に、最上面の導体層１０１，１０２ａ，１０２ｂが、半導体装置が備えるリードピン１１，１２ａ，１２ｂを当接接合可能な接合領域１２１で構成された半導体装置用多層配線基板１００であって、前記接合領域１２１の下部に位置する導体層１０４〜１０８は２次元アレイ状に整列配置された複数個の孤立パタンで構成されるようにした。 （もっと読む）

【課題】反りを低減することができる半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を覆うように形成された第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に積層され、半導体チップ２と電気的に接続された第２〜第５配線層２０，３０，４０，５０と第２〜第４絶縁層２１，３１，４１とが交互に積層されてなる配線構造と、を有する。第１絶縁層１１の面１１Ａとは反対側の最外層の第４絶縁層４１には、その第４絶縁層４１を厚さ方向に貫通する溝部４１Ｘが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層が光の反射層となることができ、個片のセラミック基板への分割も容易な多数個取りセラミック基板および個片のセラミック基板を提供することにある。
【解決手段】 複数の基板領域２を有する母基板１と、母基板１の上面に、基板領域２の境界に沿って設けられた分割溝３とを備えており、母基板１が、第１のセラミック焼結体からなる絶縁層１ａと、第１のセラミック焼結体よりも結晶化温度が低い第２のセラミック焼結体からなる拘束層１ｂとが交互に、最上層が絶縁層１ａとなるように積層されて形成されているとともに、母基板１の上面に分割溝３に沿って、第２のセラミック焼結体からなる帯状拘束層４が付着している多数個取りセラミック基板９である。帯状拘束層４により、分割溝３が形成された部分における絶縁層１ａの収縮を抑制して分割溝３の変形を抑制できる。そのため、分割が容易な多数個取りセラミック基板９を提供できる。 （もっと読む）

【課題】透光性配線基板において、熱サイクル印加後に配線パターンの透光性アルミナ基板への接着を維持し、かつ配線基板の透光性が得られるようにする。
【解決手段】透光性配線基板８は、透光性アルミナ基板１と、透光性アルミナ基板１上に形成されている配線パターン２とを備える。透光性アルミナ基板１を構成する透光性アルミナにおけるＳｉＯ_２の含有量が１５０〜３００質量ｐｐｍであり、ＭｇＯの含有量が１００〜２５０質量ｐｐｍであり、ＳｉＯ_２の含有量がＭｇＯの含有量より多く、ＳｉＯ_２およびＭｇＯを除くアルミナ純度が９９．９質量％以上であり、結晶粒子径が２０μｍ以上である。透光性アルミナ基板１の配線パターン２以外の部分の前方全透過率が５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】 寸法安定性に優れる硬化物が得られ、低温溶融性にも優れる絶縁層が得られ、しかも、溶剤に対する溶解安定性にも優れる熱硬化型樹脂組成物と、該絶縁層を得るための層間接着フィルムを提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される構造と、５員環イミド骨格に直結するジメチルビフェニル骨格を有し、該ジメチルビフェニル骨格の含有率が２０〜４０質量％であるポリイミド樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）とを含有する熱硬化性樹脂組成物。
【化１】


（式中、Ｘは１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有し、重量平均分子量が５００〜１０，０００である樹脂から２個のフェノール性水酸基を除いた残基を示す。） （もっと読む）

【課題】レーザ加工により形成される穴の形状精度が優れると共に、積層される金属層の密着性が優れる穴付き積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる穴付き積層体を提供する。
【解決手段】基板上に第１の金属層１４と、樹脂および金属酸化物粒子を含む下地層１６と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する基を有する被めっき層１８とをこの順に備える加工前積層体１０に対して、レーザ加工を施し、加工前積層体１０の被めっき層１８側の表面から第１の金属層１４表面に到達する穴２２を形成する穴形成工程を備え、下地層１６のヤング率が２．００〜４．００ＧＰａであり、金属酸化物粒子の平均一次粒子径が１００ｎｍ以下であり、下地層１６中における金属酸化物粒子の含有量が、樹脂１００質量部に対して、５〜３０質量部である、穴付き積層体２０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、且つ、厚み方向への収縮が大きな場合でも、層間接続導体の突き上げを抑制して、基板内部で変形や断線等の発生を低減できる多層セラミック基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】平面視で層間接続導体部１３と同じ位置であって、且つ、層間接続導体部１３の厚み方向の少なくとも一方に、層間接続導体部１３と直接に又は第１内部配線層９を介して接触するように、導体と結晶化ガラスとムライトとを含み導電性を有する第２内部配線層１１を備える。この結晶化ガラスは、ガラス転移点（Ｔｇ）が焼成収縮開始温度より低く、しかも、結晶化温度（Ｔｃ）が焼成収縮開始温度より高く且つ焼成収縮開始温度＋１５０℃より低い。 （もっと読む）