【課題】ＳｉＣ膜を下地膜としてＳｉＯＣ系のＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源90を接続し、第２の高周波電源90に制御器95を設け、制御器95は、パワー変調するパワー変調モードで動作させる際、プラズマ着火時に、最初に前記第２の高周波電源90を同一パワーで連続的に高周波電力を供給するモードで動作させ、その後パワー変調モードに切り換えるように制御する。 （もっと読む）

【課題】様々な位置からのパラメータの測定結果を同期または時間相関させることができる計測システムおよび監視方法を提供する。
【解決手段】回路内の複数の位置の内の１つにおける高周波電力の電気的特性に基づいて出力信号をそれぞれ発生する複数のセンサチャネルであって、各センサチャネルが、高周波電力の電気的特性に基づいて第１の信号を発生するプローブ２０と、周期信号を発生する発振器６２と、センサチャネルのための出力信号を発生するために、前記第１の信号と前記周期信号とを混合するミキサ６４とを含む複数のセンサチャネルと、センサチャネルからの複数の出力信号に基づいて第２の出力信号を発生する高周波結合器７０，７２とを含む。 （もっと読む）

【課題】ラジカル密度を均一化し、エッチングの均一性を向上させることのできる無電極方式のプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】減圧処理室２０と、第一のガス導入機構１６と、誘電体窓２６と、プラズマ生成手段（１３、１５）と、試料２１を載置する試料台１８と、試料台１８に接続された第一の高周波電源２９とを有する無電極方式のプラズマエッチング装置において、第二のガスを供給するためのガス導入機構（３６、４０）と、試料２１の外周周辺にラジカルを発生させる高周波電力を投入するための第二の高周波電源２とを更に有する。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバ内の基材を処理する方法が提供される。
【解決手段】基材３０６は、チャック３０８の上方に配置され、エッジリング３１６によって囲まれる。エッジリングは、チャックから電気的に絶縁される。方法は、ＲＦ電力をチャックに提供することを含む。また、方法は、可変静電容量装置を提供することを含む。可変静電容量装置は、エッジリングにＲＦ結合を提供するためにエッジリングに結合されて、エッジリングにエッジリング電位を持たせる。方法は、さらに、基材を処理するためにプラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生することを含む。基材を処理する間に可変静電容量装置がエッジリング電位を基材のＤＣ電位に動的な同調を可能ならしめるように構成されて、基材が処理される。 （もっと読む）

【課題】試料に対して均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料をプラズマ処理する真空処理室と、前記真空処理室の上面を形成する誘電体窓と、前記真空処理室内にガスを導入するガス導入手段と、前記真空処理室内に配置され前記試料を載置する試料台と、前記誘電体窓の上方に設けられた誘導コイル４ｄと、誘導コイル４ｄに高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、誘導コイル４ｄの下方に配置された平板の導体１２を備え、誘導コイル４ｄは、交差した給電部を有し、導体１２は、前記給電部の下方に配置され、誘導コイル４ｄの給電部の誘導磁場分布を調整して試料上でのプラズマ分布を補正する。 （もっと読む）

【課題】改良されたチャンバ洗浄機構、装置、および方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理のさらなる調整を可能にするために利用されてもよい。一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ１００は、基板を受けるよう構成された内側下部電極１３１と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極１３５とを備えた下部電極アセンブリ１３０を備えている。プラズマ処理チャンバは、上部電極１１１を備え内側下部電極と外側下部電極との真上に配置された上部電極アセンブリ１１０を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】特定のイオン種洗浄ガスから除外する洗浄チャンバ、簡単に交換又は再調整できるチャンバ構成部品、基板汚染を抑え均等な加熱を可能にする基盤加熱台座部を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバ２４は、例えば消耗セラミックライナ６０、基板加熱台座部８０及び処理キット１１４等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザ５２のガス出口チャネル６２を基板洗浄チャンバのガス入口チャネル４０に接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボール９０が位置決めされた基板受け面を有する環状プレート８２を備える。処理キットは、トッププレート１１６、トップライナ１１８、ガス分散プレート１２０、ボトムライナ１２２及びフォーカスリング１２４を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第１配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第２配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第１及び第２配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第１ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第２ステップとが行われる。第１及び第２ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 （もっと読む）

【課題】３つ以上の環状アンテナ部を同心状に設けた高周波アンテナを用いた場合であっても、環状アンテナ部の電流の独立制御性が高い誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、高周波電力が供給されることにより処理室内に誘導電界を形成する同心状に設けられた少なくとも３つのアンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃを有し、各アンテナ部は、アンテナ線６１，６２，６３，６４等が渦巻き状に巻回されて構成され、アンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃのうち隣接するものどうしは、アンテナ線が互いに逆巻となるように巻回されている。 （もっと読む）

【課題】ビアホールやトレンチなどのエッチング形状をウエハ面内で均一化することが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理対象の基板へ供給されるエッチングガスの供給条件を調節する供給条件調整部と、載置台上に載置される前記基板の温度を前記半径方向に沿って調整する温度調整部と、前記供給条件調整部及び前記載置台の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するエッチング装置において前記基板をエッチングするエッチング方法であって、前記基板の温度が前記基板面内で均一になるように前記温度調整部により制御する工程と、前記プラズマ発生部により発生されるプラズマ中の中性活性粒子の前記基板上方における濃度分布を前記供給条件調整部により調整することにより、前記基板面内でのエッチングレートを均一化する工程とを含むプラズマエッチング方法により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】カバレージ性の高い、面内均一性に優れたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマによりターゲット（３１）から叩き出されたスパッタ粒子を基板（Ｗ）の表面に堆積させるに際して、そのスパッタ粒子をプラズマで分解して活性種を生成した後、基板表面へ堆積させる。これにより、プラズマＣＶＤに類似した成膜形態が得られ、カバレージ性の高い、面内均一性に優れたスパッタ成膜が可能となる。特に、プラズマ源に高周波電場と環状磁気中性線（２５）を用いているので、磁場ゼロ領域で非常に高密度なプラズマを効率よく発生させることができる。このプラズマは、磁気中性線の形成位置、大きさを任意に調整することで面内均一性の高いプラズマ処理が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の大型化に対応して吹出ノズルが長大化しても、吹出ノズルのメンテナンスを容易に行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の吹出ノズル２は、吹出口２ｃを有して巾方向Ｗに延びている。吹出ノズル２は、巾方向Ｗの第１側の第１分割ノズル１０と、巾方向Ｗの第２側の第２分割ノズル２０とに分割されている。分割ノズル１０，２０どうしの接合面３０が、巾方向Ｗに互いにずれた一対の当接面３１，３２を有し、これら当接面３１，３２間に段差３３が形成されている。分割ノズル１０，２０が、それぞれ吹出口２ｃを挟んで搬送方向Ｙの両側の一対の分割ノズル部材１１，１２，２３，２４に分割されている。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成されているシリコン膜と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層のドライエッチング深さの不均一化を抑制すること。
【解決手段】 基板上に形成されている、シリコン層と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層に対し、エッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスとして、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_５、ＢｒＦ_３、ＩＦ_７、ＩＦ_５から選ばれる少なくとも１種類のガスとＦ_２とを含有するガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】純粋化学エッチング並びにＲＩＥエッチングにおいてエッチング速度の均一性向上のための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法において、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第１プラズマをストライク処理するステップを含む。この方法はさらに、基板上の複数層を第１エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リング３０２を設置するステップとを含む。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第２プラズマをストライク処理するステップを含む。方法はさらに、基板上の複数層を第２エッチングステップでエッチングするステップをむ。第１ステップのエッチングと第２ステップのエッチングとは実質的に均等である。 （もっと読む）

【課題】ホール底部の線幅及び深さのウェハ面内均一性に優れたプラズマエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置において、処理容器と、基板を保持する保持部１０５と、前記保持部と対向する電極板１２０と、前記保持部と前記電極板とに挟まれた空間で、前記基板の径方向に対して各々異なる位置に配置された複数の処理ガス供給部１４３と、前記保持部又は前記電極板の少なくとも一方に高周波電力を供給して、前記空間の処理ガスをプラズマ化する高周波電源１１６と、前記複数の供給部の各々に対応して、処理ガスの供給条件を調節する調節手段１３０と、前記基板上における、プラズマ化された処理ガスに含まれる活性種の濃度分布について、供給された処理ガスの拡散の影響が支配的である位置と、供給された処理ガスの流れの影響が支配的である位置とで、前記供給条件を変えるように前記調節手段を制御する制御部１９０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧に応答した制御を含む真空プラズマプロセッサを提供する。
【解決手段】十分な電力を有するＡＣ電気エネルギーを電極の少なくとも１つに供給することによって室内のガスをプラズマに励起して、電極の少なくとも１つを介してガスに供給されたＡＣ電気エネルギーにより（ａ）供給されたＡＣ電気エネルギーの周波数におけるプラズマ励起ＡＣ電場を第１電極アセンブリと第２電極アセンブリとの間に存在させ（ｂ）ＤＣバイアス電圧を室内のガスがプラズマに励起されるのに応答して電極の少なくとも１つに発生させ、ＤＣバイアス電圧の指示に応答してプラズマ励起ＡＣ電場を制御する。 （もっと読む）

【課題】 所望の深さを有し幅の狭い凹部を半導体基板に安定して形成することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、半導体基板１０の一部に酸素イオン注入を行うことで第１酸素含有領域２４を形成する工程と、半導体基板１０に熱処理を行い、第１酸素含有領域２４に含まれる酸素を用いて第１酸素含有領域２４を酸化させることで、第１酸素含有領域２４を第１酸化領域２６とする工程と、第１酸化領域２６を除去することで半導体基板１０に凹部１６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ含有プラズマの条件によらず、安定してクリーニングプラズマを生成する方法を提供する。
【解決手段】被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜を、真空容器８０１内に導入されたＣとＯの元素を含むＣＯ含有ガスにソース電力を印加することでＣＯ含有ガスをプラズマ化し、生成したＣＯ含有プラズマを用い加工する際に、該ＣＯ含有プラズマにて被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜に所定の加工を施した後、ソース電力８０６を印加したまま、クリーニングガスを導入し、その後ＣＯ含有ガスの導入を停止することで、所定のクリーニングガスを用いたクリーニングプラズマを生成する。 （もっと読む）