【課題】レジストパターンの開口面積および開口率の大小あるいは開口形状によらず高い精度で微細パターンの形成が可能なパターン成形用構造体と微細パターン形成方法とを提供する。
【解決手段】パターン成形用構造体を、被エッチング体と、この被エッチング体の所望の面に位置するハードマスク材料層と、ハードマスク材料層上に位置するレジストパターンとを備えたものとし、レジストパターンは複数種の開口部を有するものとし、レジストパターンの開口部のうち、少なくともレジストパターンを介したハードマスク材料層のドライエッチング時のエッチング速度が最も大きい開口部内のハードマスク材料層上にレジストを存在させ、かつ、エッチング速度が最も大きい開口部内に存在するレジストを他の開口部内に存在するレジストよりも厚いものとする。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成を必要としない、スパッタエッチングの均一性を調整する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向する一対の電極5a,5bの外周部に異極同士が対向するように永久磁石8a,8bを設置し、各電極の外周の前方近傍から中心寄りの電極表面に至る部分にマグネトロン磁場（半円筒形磁場）が、一対の電極の外周部間に電極表面に垂直方向の対向磁場が形成できるようにし、各電極にプラズマ電力を供給し、導入口2よりアルゴンなどを供給して、一方の電極5b上に載置した被処理基板13に対しプラズマエッチングを行う。各電極の背面に磁場調整手段12a,12bを設けてプラズマ空間の磁場を調整してエッチングの均一性を調整する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Ｗを載置させる載置台１１は、所定の温度に温度調節される載置台本体１２と、載置台本体１２の上部に配置された、基板Ｗを吸着するための静電チャック１３を備え、静電チャック１３の上面に、中央に配置される第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と、周縁部に配置される第２の熱伝達用ガス拡散領域４８とが形成され、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７に熱伝達用ガスを供給する第１の熱伝達用ガス供給部５１と、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８に熱伝達用ガスを供給する第２の熱伝達用ガス供給部５２とを備え、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と第２の熱伝達用ガス拡散領域４８において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８は、静電チャック１３の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させるネジを用いず、熱効率にも優れた新規な構造のウェハ支持装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１１と薄板部材１５と固定部材１７とを備えて構成されるウェハ支持装置１０であり、固定部材１７の脚部１８は、ウェハ載置領域を囲むように薄板部材に配置された開口１６を貫通してその上面より上方にまで突出し、その上端から係合部１９が内方に突出している。薄板部材および固定部材が静電チャックの静電吸着面に吸着固定されることにより、該薄板部材と該固定部材の係合部との間にウェハの周縁部を挟んでウェハを固定する。ウェハを上下から挟んだ状態で固定するので、通常の上向き使用だけでなく、下向きや垂直にして使用してもウェハが脱落しない。 （もっと読む）

【課題】保護ポリマーコーティングを、プラズマ処理チャンバのシリコンまたはシリコンカーバイド電極上に形成する方法が提供される。
【解決手段】ポリマーコーティングは、プラズマ成分およびガス反応物への露出に対して、下にある電極表面への保護となる。この方法は、チャンバ１０２をクリーニングするプロセス中、またはチャンバ１０２内で半導体基板１０をエッチングするプロセス中に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】均熱部材を載置台内に一体的に埋め込むようにして被処理体の面内温度の均一性を高めると共に、被処理体に対する加熱効率を高めることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を加熱する加熱手段３８が埋め込まれると共に、前記被処理体を載置する載置台３２と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱３０とを有する載置台構造において、前記載置台内に、前記埋め込まれている前記加熱手段の上方に位置させて平面方向に広がった均熱部材４０を埋め込むように構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体処理装置或いはリアクタ同士の間での処理室内部或いはプラズマの状態の差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】リアクタ１０１内部の処理室１２０内の試料台１０８内に配置された電極に高周波電源１２５からの電力が整合器１２４を介して供給しつつ前記プラズマを用いてウエハ１０７が処理されるプラズマ処理装置であって、前記処理中に前記電界の電力を複数の値に変動させて検出された前記電力の値の変化に対する前記プラズマの発光の強度、前記プラズマの発光の強度の時間変動の大きさ、前記整合器の整合位置及び前記電極に供給される前記高周波電力の電圧の値の変化を含む特性データのうち少なくとも２つ種類のデータの値の遷移点の前記電力の特定の値が、別のリアクタにおいて前記ウエハと同じ種類のウエハの前記処理中に検出された前記特性データを用いて検出された前記特定の値に合わせる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を改良された限界寸法均一性でエッチングする方法を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマエッチングチャンバ内の基板支持体上に半導体基板を支持することと、第１のエッチングガスをシャワーヘッドノズル２３により半導体基板の上の中央領域に供給することと、少なくとも１種類のシリコン含有ガスを含む第２のガスであって、第２のガス中のシリコン濃度が第１のエッチングガス中のシリコン濃度より高い第２のガスをプラズマチャンバの側壁を通して噴射器２０により半導体基板の上の中央領域を囲む周辺領域に供給することと、第１のエッチングガスおよび第２のガスからプラズマを発生させることと、半導体基板の露出面をプラズマエッチングすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】フィーチャの微細化や基板サイズの大型化に対応し、プラズマの密度や基板面にわたる均一性のためのプラズマのパラメータの制御が可能となる装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバは、大気負荷を中立化するように構成されたカンチレバー組立体を含む。前記チャンバは壁を含み、前記壁は、内部領域を囲み、かつ、該壁に形成された開口部を有する。前記カンチレバー組立体は、前記チャンバ内で基板を支持する基板体を含む。前記カンチレバー組立体は、一部分が前記チャンバの外に配置されるように開口部を通って伸びている。前記チャンバは、前記壁に対して相対的に前記カンチレバー組立体を動かすように動作する駆動機構を含む。 （もっと読む）

【課題】圧力調整弁の二次側圧力の変動を低減して、流量制御機器から排出するガス流量を高精度に検定でき、測定用タンク内の圧力降下率を一定に維持する。
【解決手段】プロセスガス供給源からのガスを第１ライン遮断弁２２と第２ライン遮断弁２３と流量制御機器２４とを経由しプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスライン２と、共用ガス供給源からのガスを第２ライン遮断弁２３と流量制御機器２４とを経由し排出すべく、分岐接続された共用ガスライン１とを有し、共用ガスライン１には、共用遮断弁１２と測定用タンク１３と第１圧力センサ１４１と圧力調整弁１５とを備え、第１ライン遮断弁２２及び共用遮断弁１２を弁閉したとき、測定用タンク１３内におけるガスの圧力降下を第１圧力センサ１４１により測定し流量制御機器２４の流量検定を行うガス流量検定システムにおいて、圧力調整弁１５は、該圧力調整弁１５の二次側圧力を制御する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のエッチング量の均一さを悪化させずに、エッチング量を増加せしめる酸化膜除去方法及びこの方法に用いるバッチ式半導体デバイス製造装置の提供。
【解決手段】フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させる第１の工程と、この反応によって生じた反応生成物を２００℃乃至５３０℃で加熱・蒸発させて除去する第２の工程とを有するドライエッチング工程を、隣接するシリコンウェハ同士の間隔を２ｍｍ乃至５ｍｍに設定して実施する。エッチング室と、マイクロ波励起機構と、ロードロック室と、クリーンブースとで構成され、処理されるシリコンウェハの隣接するウェハ同士を２ｍｍ乃至５ｍｍの間隔で載置し得るウェハボートを有している。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、処理チャンバー外の誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、誘電体窓の内側に位置するように上蓋に支持され、処理ガスを供給するガス供給機構とを有し、ガス供給機構は、誘電体窓の周縁に沿って配設された周縁側ガス流路と、周縁側ガス流路に基端部が接続され、誘電体窓の中央方向に向かって延在する板体からなり、内部に配設され周縁側ガス流路に接続されたガス流路と、当該ガス流路に接続された複数のガス吐出口とを有する複数のフィン状ガス供給部とを具備し、フィン状ガス供給部は、延在方向に沿った回転軸の回りに回転可能とされている。 （もっと読む）

【課題】 被処理基体の中央部分の処理速度を低減し得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態のプラズマ処理装置は、処理容器、ガス供給部、マイクロ波発生器、アンテナ、同軸導波管、保持部、誘電体窓、及び誘電体棒を備えている。ガス供給部は、処理容器内に処理ガスを供給する。マイクロ波発生器は、マイクロ波を発生する。アンテナは、プラズマ励起用のマイクロ波を処理容器内に導入する。同軸導波管は、マイクロ波発生器とアンテナとの間に設けられている。保持部は、被処理基体を保持するものであり、同軸導波管の中心軸線が延びる方向においてアンテナと対向配置されている。誘電体窓は、アンテナと保持部との間に設けられており、アンテナからのマイクロ波を処理容器内に透過する。誘電体棒は、保持部と誘電体窓との間の領域において同軸導波管の中心軸線に沿って設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造チャンバーにおける複数のガス供給口に対し、等しい濃度比の成分ガスからなる材料ガスを、それぞれ異なる流量に制御して供給する。
【解決手段】各ガス供給口Ｃにそれぞれ接続される複数のガス供給装置１０を具備し、前記各ガス供給装置１０が、各種のガスが個別に流れる複数の成分ガス供給管１と、各成分ガス供給管１を流れるガスの流量をそれぞれ制御する流量制御機構４と、各成分ガス供給管１を束ねる材料ガス供給管２とを具備しており、前記流量制御機構４が、各成分ガス供給管１にそれぞれ上流側から順に設けられた流量制御弁Ｖ、個別圧力センサＰ及び流体抵抗素子Ｒと、前記材料ガス供給管２に設けられた共通圧力センサＰＣと、各成分ガス供給管１を流れるガス流量を、個別圧力センサＰで測定した圧力及び前記共通圧力センサＰＣで測定した圧力から算出し、この算出ガス流量に基づいて流量制御弁Ｖを制御する制御部４１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング室内において、基板の上に形成された二層レジストをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】二層レジストの第１の層の上にパターンを形成された基板をエッチング室に導入する工程から開始される。次いで、ＳｉＣｌ₄ガスがエッチング室に流し込まれる。次に、ＳｉＣｌ₄ガスを流し入れつつエッチング室内においてプラズマを発生させる。次いで、二層レジストがエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】基板の各部により均一に処理ガスを供給することができ、均一な処理を行うことのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、載置台と対向するように、処理室の天井部に配設された天板と、処理室内の載置台と天板との間の空間に、処理室の側壁側から処理室の中央側に突出するよう配設され、少なくとも天板に向けて処理ガスを噴出させる複数のガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】載置台の面内全体の設定温度に対して面内の所望部位だけを局部的に設定温度よりも高くしたり，低くしたりする。
【解決手段】載置台２００内にその面内全体に渡って形成した主流路３２０と，載置台内に主流路の上側に離間して載置台の面内一部に形成した補助流路３３０と，所定の設定温度に調整した温調媒体を主流路に供給し循環させるとともに，その温調媒体を分流させて，さらに前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で補助流路に供給し循環させる温調媒体循環機構とを設けた。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できるバッフル及びこれを含む基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の基板処理装置はプラズマを発生させるプラズマ生成部３００と、プラズマ生成部３００の下部に位置し、内部に空間が形成されたハウジング１１０と、ハウジング１１０の内部に位置し、基板Ｗを支持するサセプタ１１２と、プラズマ生成部３００で供給されたプラズマを基板Ｗへ噴射する噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成されたバッフル１４０と、を含み、バッフル１４０は噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成され、中心領域の厚さが縁領域より厚いベース１４１を含む。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域に導入するエッジガスが基板のセンタ領域に拡散することを抑制する。
【解決手段】 基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けてガスを別々に供給するガス導入部を構成する上部電極２００を設ける。上部電極はセンタガスのガス孔２１２を複数設けたセンタガス導入部２０４と，エッジガスのガス孔２１４を複数設けたエッジガス導入部２０６とを備え，エッジガス導入部のガス孔に連通するガス孔２３２が形成されたガス孔形成板２３０をエッジガス導入部の下面に取り付けることによって，エッジガス噴出口の垂直位置を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型の装置であって、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑えることができ、しかも当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 平面形状がまっすぐなアンテナ３０を、基板２の表面に立てた垂線３に沿う方向である上下方向Ｚに互いに接近して配置されていて、高周波電流Ｉ_R が互いに逆向きに流される往復導体３１、３２によって構成している。往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させている。かつ、上側の導体３２の近傍に、アンテナ３０の長手方向Ｘに移動可能な複数の磁性体７０を設けている。 （もっと読む）