【課題】 プラズマ処理の特性を多様に変化させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
このプラズマ処理装置は、マイクロ波のエネルギーを、処理容器２の上部に配置された誘電体窓１６を介して処理容器２内に供給して、ガス供給源１００から処理容器２内に供給した処理ガスをプラズマ化して、処理容器２の下部に配置された基板Ｗをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、ガス供給源１００から供給される処理ガスを、誘電体窓１６からの距離が異なる位置に導入する少なくとも第１及び第２のガス導入部を備えている。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成するエッチングに際してより均一なエッチングを可能にする方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される１０４。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される１０８。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される１１２。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される１１６。蒸着ガスから、プラズマが形成される１２０。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される１２４。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる１２８。 （もっと読む）

【課題】基板表面処理量の面内均一性も改善することができるアンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】アンテナは、誘電体窓と、前記誘電体窓の一方面に設けられたスロット板とを備えている。前記誘電体窓の他方面は、環状の第１凹部１４７に囲まれた平坦面１４６と、平坦面１４６の重心位置を囲むように、平坦面１４６内に形成された複数の第２凹部１５３とを有している。前記スロット板の主表面に垂直な方向からみた場合、前記スロット板におけるそれぞれのスロット１３３内に、それぞれの第２凹部１５３の重心位置が重なって位置している。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できる基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、基板処理が遂行される空間を提供する工程チャンバーと、前記工程チャンバーと連結され、前記工程チャンバー内のガスが外部に排気される通路を提供する排気管と、前記排気管に設置されるポンプと、前記工程チャンバーと前記ポンプとの間の区間で前記排気管に設置され、前記排気管の通路を開閉するバルブと、を含む。前記バルブは、複数の排気ホールが形成された第１プレートと、前記複数の排気ホールが前記排気管の通路上に又は前記通路の外側に位置するように前記第１プレートを移動させる第１駆動器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】温度分布の制御精度の向上を図ることができるセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】本発明のセラミックスヒータ１によれば、各発熱抵抗体Ｑｋ（ｋ＝１〜５）から発せられた熱を、セラミックス基板２から伝熱面としての接合界面Ｓｊ（ｊ＝１〜３）を通過させた上で、セラミックス支持部材４の低温箇所に流れ込ませることができる。セラミックス基板とセラミックス支持部材との接合界面Ｓｊは、セラミックス基板２の載置面Ｓに対して垂直な軸線を取り囲むとともに、当該軸線に対して垂直な方向に離散的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】コイルからの誘電結合作用によって広域に均一で旺盛なプラズマを発生させることができるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、減圧可能なチャンバー１、チャンバーの内部の下側に設けられ被処理物２を保持する載置部３、チャンバー１の上部開口に臨むように配置され、交流電力が印加されてチャンバー１内の反応ガスを誘導結合によりプラズマ化し、載置部３に保持された被処理物２をエッチングするためのコイル４ａ，４ｂを備える。コイル４ａ，４ｂは、周辺部側環状域が高密度分布領域である第１のコイル系４ａと、中央部側環状領域が高密度分布領域である第２のコイル系４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合方式のように電磁界強度が強い場合にも異常放電することなく、試料全面にわたって均一なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
処理室１と、第１誘電体の真空窓４と、誘導コイル９と、高周波電源１３と、ガス供給手段と、被処理体３を載置する試料台２０とを備えたプラズマ処理装置において、ガス供給手段は、真空窓４の下方に近接して設置され、中央部にガス放出口を備えた第２誘電体のガス放出板６と、真空窓４とガス放出板６との隙間に設けられ、第１及び第２誘電体よりも比誘電率の高い第３の誘電体の島状の部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対するプラズマ処理の均一化を損なうことがなく、また、プラズマ処理によって消耗したときの交換部分を極力少なくすることができるプラズマ処理装置用トレイ及びそのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置用トレイ１０は、反応容器２内に設けられた基板載置台２７の上面に、被処理基板１１を収容した状態で載置されるトレイであって、前記基板載置台２７の上面に載置されるトレイ本体１０１と、前記トレイ本体１０１に設けられた、該トレイ本体１０１の厚み方向に貫通する開口１０２と、開口１０２に着脱可能に装着される環状の基板保持部材と１０３とを備える。基板保持部材１０３は、開口１０２に係合する係合部１０６と、該基板保持部材１０３の内周縁の下部に形成された被処理基板１１の下面の外周縁を支持する基板支持部１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 （もっと読む）

【課題】基板をエッチングまたはコーティングする
【解決手段】誘電体基板（１００）は第１の真空蒸着ステーション（１０２）で、１０^−５Ωｃｍ≦ρ≦１０^−１Ωｃｍが抵抗率（ρ）について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率Ｒ_Ｓが０≦Ｒ_Ｓ≦１０−４Ω_δの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板（１０４）にステーション（１０５）で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。 （もっと読む）

【課題】矩形基板の外側領域におけるプラズマ分布制御を行うことができる誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、誘導電界を形成する部分が全体として矩形基板Ｇに対応する矩形状平面を構成し、かつ、複数のアンテナ線を渦巻状に巻回してなる第１のアンテナ部１３ａと第２のアンテナ部１３ｂとを有し、第１のアンテナ部１３ａの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの角部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの角部を結合するように設けられ、第２のアンテナ部１３ｂの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの辺の中央部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの辺の中央部を結合するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できるアンテナユニット、それを含む基板処理装置、及び前記装置を利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、内部に空間が形成された工程チャンバー１００と、工程チャンバー１００の内部に位置し、基板Ｗを支持する基板支持部２００と、工程チャンバー１００の内部へ工程ガスを供給するガス供給部と、工程チャンバー１００の内部へ高周波電力を印加して工程チャンバー１００の内部へ供給された工程ガスを励起させるアンテナと、アンテナのサイズを可変させる駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上を図る。
【解決手段】本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置１００は、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板２０を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部１５と、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部１２と、そのエッチングガスと酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物とを排出する排出部１６と、を備えるプロセスチャンバーを有している。その上で、前述の間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの供給を交互に切り換える際に，これらの処理ガスが混ざり合うことなく，過渡現象を従来以上に抑制する。
【解決手段】ウエハのプラズマ処理中に少なくとも２種類以上の処理ガス（例えばＣ_４Ｆ_６ガスとＣ_４Ｆ_８ガス）を交互に切り換えて処理室内に供給する際に，切り換える処理ガスを供給する各ガス供給路については，そのガス供給路に設けられたマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の下流側の開閉バルブを開いたまま，マスフローコントローラに所定流量とゼロ流量を繰り返して設定することによって，各処理ガスの供給を交互にオンオフする。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に生成されるプラズマの密度を高めることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】高周波アンテナ１０を有するプラズマエッチング装置であって、高周波アンテナ１０の備える上段アンテナ１０ａ及び下段アンテナ１０ｂの各々は、渦巻き状をなす一つの配列ライン上に配列されて互いに並列の線路部材を有している。上段アンテナ１０ａ及び下段アンテナ１０ｂは、複数の線路部材として、配列ラインの中心側に配置された内側線路１１と、内側線路１１を取り巻く線路部材である外側線路１２とからなる。配列ラインにおける旋回の回数が、内側線路１１と外側線路１２とで連続している。 （もっと読む）

【課題】基板の周囲を整流部材で囲んだ状態でプラズマ処理を行う基板処理装置において、基板の搬入出の際にパーティクル等による基板の汚染を生じ難くすること。
【解決手段】チャンバ２の載置台３上に基板Ｇを載置し、その基板Ｇを整流部材９で囲繞した状態で、チャンバ２内に処理ガスのプラズマを形成して基板Ｇにプラズマ処理を行う基板処理装置１において、整流部材９は、角筒状をなす４つの側板９ａ、９ｂからなり、少なくとも基板搬入出口３１に対応する位置に存在する可動部材としての側板９ａが、載置台３に対する基板Ｇの搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられ、側板９ａは、回転軸４７を回転させることにより、処理の際の処理位置と退避位置との間で回動するように構成され、回転軸４７と側板９ａとが連結部材４５で結合され、連結部材４５の回転により側板９ａを回動させる。 （もっと読む）

【課題】基板全体でエッチングを均一に行うことができるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプラズマ装置は、反応チャンバーと、反応チャンバー内の上部に配置された上部電極と、上部電極と対向する下部電極と、下部電極を取り囲んで、周縁に複数の切り欠きを含むバッフルプレートとを含み、各切り欠きの境界線は、バッフルプレートの境界線と連結されて、バッフルプレートの周縁に凹部を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法が、より高い動作周波数で向上した入力インピーダンスを有するＲＦ電力を複数の電極に、より均一に分配するように提供される。
【解決手段】プラズマ処理システムは、電力バス及び接地バスと、正相一次電極バス及び負相一次電極バスと、正相二次電極バス及び負相二次電極バスとを含む。電力バス及び接地バスは、負相二次電極バスに、正相二次電極バスに供給されるＲＦ信号と１８０度位相がずれたＲＦ信号が提供されるように、絶縁トランスにより二次電極バスに結合される。二次電極バスは、コンデンサーにより各正相一次電極バス及び負相一次電極バスに結合される。一次電極バスのそれぞれは、真空チャンバー内の電極に結合される。一次電極バスをＲＦ接地に結合する負荷コイルが、コンデンサーと協働して、電力バスでの入力インピーダンスを調整することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体基盤に同時にアッシングまたはエッチング処理を行うのに最適な広域高周波プラズマ供給源を提供する。
【解決手段】高周波プラズマ処理室のアンテナアレイ３０は、電極アレイ３６と、各電極チューブと個別に同心円状に配置された誘電体チューブからなる誘電体チューブアレイ３６と、気密シール４０とを有している。各電極チューブの外面と、当該電極チューブに対応する誘電体チューブの内面とによって、大気圧の空洞が形成される。気密シール４０が各誘電体チューブと処理室との間にあることによって、処理室の内部を真空圧または低圧にする。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンと比較的サイズが大きめのパターンとを有するパターン形成方法で、サイズが大きめのパターンを従来に比して精度良く形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、加工対象上の芯材膜３１に開口を形成した後、マスク膜３２をコンフォーマルに形成する。マスク膜３２をエッチバックして芯材膜３１の側面に第１の幅のマスク膜３２を残す。開口の形成領域以外の領域にレジストパターン３５ａを形成し、これをマスクに芯材膜３１をエッチングする。さらに、芯材膜３１をスリミングして第１の幅より小さい第２の幅のラインアンドスペース状のパターンを形成する。側壁膜をコンフォーマルに形成した後、エッチバックし、さらに芯材膜３１を除去して、加工対象上に側壁膜からなる側壁パターンを形成する。そして側壁パターンで加工対象をエッチングする。 （もっと読む）