Fターム[5F004AA01]の内容
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Fターム[5F004AA01]に分類される特許
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半導体装置、及び半導体装置の作製方法
【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置、及び半導体装置の作製工程において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチに設ける。トレンチは下端コーナ部及び曲率半径が20nm以上60nm以下の曲面状の上端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、上端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも上端コーナ部において表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。
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アッシング方法およびアッシング装置
【課題】ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。
【解決手段】イオン注入により表面に形成された変質層4とその下の未変質層3とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜5を形成し、前記レジストと前記塗布膜5とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。
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静電チャックの目標メサ構成を決定する方法
【課題】チャックの絶縁層のメサ構成の面密度を設定することによって静電チャックの熱伝達係数プロフィルを修正する方法や、チャックの絶縁層のメサ構成の高さを調節する方法、または静電チャックの静電容量プロフィルを修正する方法を提供する。
【解決手段】所与の箇所における熱伝達係数は、熱流束プローブを使用して測定することができ、静電容量は、静電容量プローブを使用して測定することができる。これらのプローブは、チャックの絶縁表面上に配置され、チャック全体にわたって複数回の測定を行うことで、目標メサ面密度および目標メサ高さを求めるための熱伝達係数プロフィルおよび静電容量プロフィルが得られる。目標密度は、すでに存在するメサの面密度を機械的に調節することで実現される。目標高さは、メサを作製する予定の領域の周りに低い領域を作製することで、または既に存在しているメサの周りの低領域を掘り下げることによって実現される。
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ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
【課題】高温状態のトレイによる基板の加熱を抑制する。
【解決手段】基板2の下面縁と当接可能なテーパー面21e,21fを含む内周面を備える基板収容孔21dが形成されたトレイ21を用いる基板のドライエッチング方法において、基板収容孔21dの中心軸Acと静電チャック11の基板載置面13aの中心C2とが重なるようにトレイ21を位置決めして所定の位置に降下させることにより、下面縁の少なくとも一部がテーパー面21e,21fから離間した状態で基板2を基板載置面13aに載置し、基板2が基板載置面13aから離れるまでトレイ21を上昇させることにより、テーパー面21e,21fと接触する基板2の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板2の中心C1を基板収容孔21dの中心軸Ac上に位置合わせし、トレイ21を所定の位置に降下させることにより、トレイ21から離間した状態で基板2を基板載置面13aに載置する。
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プラズマ処理装置および処理方法
【課題】従来のプラズマ処理では、ウエハ外周周辺部の等電位面が湾曲し、ウエハ外周部周辺のエッチングレートが不均一であるという課題がある。
【解決手段】ウエハ載置用電極111の段差部に、ウエハ載置用電極111と同電位となるように設けたリング状部材303が配置され、かつ前記リング状部材303の上面をウエハ載置用電極111の上面より高くすることでウエハ外周部周辺の等電位面301の湾曲を改善し、ウエハ外周周辺部のエッチングレートを高均一化するプラズマ処理装置および処理方法。
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誘導結合プラズマ処理装置
【課題】 被処理基板の大型化に対応して誘電体窓部を一辺当たり三以上に分割して従来技術よりも多数の分割片に分割した場合でも、処理室内に強いプラズマを発生させることが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ11a〜11cと、プラズマ生成領域と高周波アンテナ11a〜11cとの間に配置され、複数の誘電部材3a〜3hと、該複数の誘電部材3a〜3hを支持する導電性梁7とを含む誘電体窓部3を備え、導電性梁7が誘電体窓部3を一辺当たり三以上に分割し、かつ、導電性梁7には、導電性梁7が誘電体窓部3を一辺当たり三以上に分割したときに誘電体窓部3の中央部分に高周波アンテナ11a、11bに沿って生じる閉ループ回路200がない。
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プラズマ処理装置
【課題】ICPプラズマ処理装置における誘導磁場分布を調整し試料上でのプラズマ分布を補正して、試料に対して均一なプラズマ処理を行う。
【解決手段】ICPプラズマ処理装置において、誘導コイル4と誘電体窓1aの間に、誘導コイルに沿って少なくとも誘導コイルの周方向の一部に併設された導体12を設け、誘導コイルから導体の表面までの最短距離をLrとし、誘導コイルから誘電体窓直下のプラズマまでの最短距離をLpとし、誘導コイルからの誘導磁場強度を弱めたい箇所で、Lp≧Lrの関係を満たす位置に導体を設置する。
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加工装置および加工条件算出方法
【課題】装置保守によって装置状態が大きく変わった場合に、その装置状態に適合するモデルを短時間で導出する手法を提供することを目的とする。
【解決手段】実績データの加工量と、この時の加工条件とを用いて加工量予測重回帰式を調整し、
得られた加工量予測重回帰式を用いて、加工対象の加工目標値と加工量予測重回帰式に含まれる加工条件以外の説明因子とから加工条件を算出する手段を備え、
得られた加工条件で加工することを特徴とする加工装置。
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プラズマ処理装置
【課題】 誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、X方向の一端部から他端部に高周波電流IR が流されるアンテナ30を備えている。アンテナ30の下面33に、上下方向の凹凸を付け、かつアンテナ30のX方向における中央部よりも両端部付近に凸部35を多く配置している。アンテナ30の下方に、アンテナ30とプラズマ50との間の電界を遮蔽するくし型のシールド導体60を備えている。シールド導体60は、Y方向に平行な線状導体62をX方向に複数有しており、かつ当該複数の線状導体62のY方向の一端部を電気的に並列接続する電気的に接地された接続導体を有している。
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誘導結合プラズマ処理装置
【課題】 被処理基板の大型化に対応でき、かつ、処理室内におけるプラズマ分布の制御性を良好にすることが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ11a、11bと、プラズマ生成領域と高周波アンテナとの間に配置される金属窓3と、を備え、金属窓3が、この金属窓3の周方向θに沿って2以上に互いに電気的に絶縁されて分割される第1の分割がされ(3a、3b)、かつ、第1の分割がされた金属窓3が、さらに周方向θと交差する方向r1、r2に沿って互いに電気的に絶縁されて分割される第2の分割がされている(3a1〜3a4、3b1〜3b4)。
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プラズマ処理方法
【課題】マイクロ波プラズマエッチングによるシリコン深溝トレンチの高速エッチングを実現することによる生産性の高いエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板111やSOI(Silicon On Insulator)基板111に高アスペクト比(アスペクト比=トレンチ深さ/トレンチ幅)の深いシリコントレンチまたは穴を形成するプラズマエッチング方法において、マイクロ波によって生成されたプラズマを用い、プラズマを形成するマイクロ波は、高圧力、高マイクロ波出力においても安定したプラズマを形成するため、導波管104の一部にマイクロ波回転発生器105を設け、マイクロ波回転発生器105を通過したものであり、また、プラズマ形成に用いるガスとして少なくともフッ素を含むガスとO2の混合ガスを用い、かつ、試料台110に高周波電源112によりバイアス電圧を印加することにより深いシリコントレンチまたは穴を形成する。
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半導体ウェーハの酸化膜除去方法
【課題】ウェーハ端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する際に、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な除去を行うことができる半導体ウェーハの酸化膜除去方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング装置10のステージ13上に、酸化膜32が形成された半導体ウェーハ31の裏面を下にして水平に載置した後、半導体ウェーハ31にエッチングガス14を供給することにより、半導体ウェーハ31の端面に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去する半導体ウェーハの酸化膜除去方法であって、ステージ13上に載置された半導体ウェーハ31の表面からチャンバ11の天井までの高さをhとするとき、半導体ウェーハ31の端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間のエッチングガス14の平均流速を制御して気相エッチングすることを特徴とする。
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基板処理装置に用いられるプロセスモニター装置、プロセスモニター方法、および基板処理装置
【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置11は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハWまで導き、ウェハWから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路21と、第一光経路21と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハWを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路21を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハWの構造を解析するコントローラ17とを備える。
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プラズマ処理装置用電極板
【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置内においてウエハ(被処理基板)と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板3に、プラズマ生成用ガスを通過させるための、厚さ方向に貫通する複数の通気孔11を形成し、通気孔11の内壁面に、その通気孔11の長さ方向に沿う螺旋状の溝11aを、少なくとも一条設ける。
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プラズマ処理装置
【課題】ウエハ外周部における反応生成物分布とウエハ最外周部への入射イオン分布を高精度に制御でき、エッチング条件に応じたエッチングレートで最適にエッチングを行う。
【解決手段】真空処理室内にプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記真空容器内に配置した試料載置電極上に載置された試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料載置電極は、その表面外周部に配置したリング状の第1のサセプタ111と該第1のサセプタの外周に配置され放射方向に複数の貫通孔を穿設したリング状の第2のサセプタ112と、前記第2のサセプタを上下方向に駆動する駆動部を備え、第2のサセプタを上下方向に駆動して、試料の表面と第2のサセプタの表面、および第2のサセプタに穿設した貫通孔と第1のサセプタの相対位置を調整する。
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プラズマ処理装置
【課題】プラズマの密度及び均一性の向上を図るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板Sbを収容する処理室50を有する真空槽11と、電磁波を処理室50へ出力する高周波アンテナ20と、高周波アンテナ20と処理室50との間に介在し、電磁波の導入口となる誘電体窓12とを備えたプラズマ処理装置において、誘電体窓12には、電磁波を処理室50に導入する窓部と、窓部よりも厚い補強部とが一体に形成されている。
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処理装置
【課題】基板を均一に処理するために有利な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理空間において基板を支持する基板支持部と、前記処理空間を外部空間から仕切る仕切り部材30,42と、前記処理空間にガスを供給するための環状ガス流路90とを備える。環状ガス流路90の前記処理空間への出口は、環状スリットであり、環状ガス流路90に対して供給されるガスが環状スリットを通して前記処理空間に供給される。
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エッチング装置及びエッチング方法
【課題】高圧下において面内均一性の向上を図るとともに、エッチングレートの低下を抑制することができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板Sを収容する真空槽11と、基板Sが載置される下部電極25と、下部電極25に対してプラズマ生成空間PLを介して対向する上部電極12と、下部電極25に接続された高周波電源26と、真空槽11にエッチングガスを供給するガス導入口12aと、真空槽11内の圧力を調整する排気系制御部C2とを備えるエッチング装置であって、高周波電源26は、下部電極25にVHF周波数帯の高周波電力を供給し、排気系制御部C2は、真空槽11内を50Pa以上150Pa以下に調整し、下部電極25と上部電極12との間の電極間距離Lが50mm以上100mm以下である。
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プラズマ処理装置
【課題】試料の温度分布を所望の値に制御することができるとともに、信頼性の高い、長寿命のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、該真空処理室に配置された試料台を備え、前記真空処理室内にプラズマを生成して、前記試料台に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台107は、円柱状の基材部201と、該基材部上に配置されヒータ電極膜を備えた誘電体膜部202と、前記誘電体膜部上に配置され吸着用電極膜を備えたセラミクス板209と、前記誘電体膜部とセラミクス板を接着する第1の接着層207と、前記第1の接着層の側面を被覆する耐熱性の第2の接着層211と、前記第2の接着層および誘電体膜部の側面を被覆する保護部材212を備えた。
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プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
【課題】平行平板型のプラズマ処理装置において、上部電極40を温度調整機構47により設定温度に調整しながらプラズマ処理を行うにあたり、処理の環境雰囲気が変わることに起因する基板間の処理の均一性の低下を抑えること。
【解決手段】プラズマ処理を行うための処理レシピが格納されたレシピ格納部56と、新たな第2の電極の使用を開始した後におけるプラズマ処理の積算時間または基板の処理枚数と、第2の電極の設定温度の補正値と、を入力画面で設定する補正値設定部54と、補正された設定値を記憶する記憶部55と、処理レシピに書き込まれている上部電極40の設定温度を前記記憶部55内の補正値と加算し、補正後の設定温度に基づいて温度調整機構47を制御するプログラムとを備えるようにする。
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