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Fターム[5F004AA01]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 目的 (7,312) | 均一性の向上 (1,582)

Fターム[5F004AA01]に分類される特許

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【課題】 ワーク表面に均一な濃度で処理ガスを吹き付けることができる表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】
ノズル装置のガス通路は、処理ガスが供給されるガス供給口と、上記ガス供給口からの処理ガスを分け、一直線上に間隔をおいて水平に並んだ多数の分岐下流端12bへと送る通路分岐部と、これら分岐下流端12bの配列方向と平行をなして直線的に連続して延びる合流部80と、流れ方向変更部90と、吹出スリット61とを有している。流れ方向変更部90は、多数の分岐下流端12bから合流部80へ送られてきた処理ガスを、下向きに送る第1通路部分91と、上向きに送る第2通路部分92と、下向きに送る第3通路部分93とを有し、この第3通路部分93からの処理ガスが吹出スリット61からワークWに向かって下向きに吹き付けられる。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成することができ、かつ、オーバーエッチング工程におけるミニマムバーの急激な減少を抑制することのできるプラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法並びにコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】エッチストップ層上に形成された酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法であって、酸化シリコン膜をエッチングするメインエッチング工程と、メインエッチング工程の後、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程とを具備し、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程は、処理ガスを、CガスとArガスとOガスとの混合ガスとした第1エッチング工程と、処理ガスを、CガスとArガスとOガスとの混合ガス、又は、CガスとArガスとOガスとの混合ガスとした第2エッチング工程とを交互に複数回繰り返して行う工程を含む。 (もっと読む)


【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの2層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド18は、ガス導入孔61aが形成された金属製の上部プレート61と、複数のガス通過孔66が形成された金属製の下部プレート62と、上部プレート61と下部プレート62との間に設けられたガス拡散空間Sと、下部プレート62の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔66に対応して複数のガス吐出孔67が形成されたセラミックス製のカバー部材64と、ガス拡散空間S内に上部プレート61と下部プレート62との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材70a,70bとを有する。 (もっと読む)


【課題】基板のプラズマエッチングにおいて、エッチングについて高い面内均一性が得られる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハWに形成された多層膜7の各々に対して面内均一性の高いエッチングを行うことができる適切なフォーカスリング3の温度を事前に把握して、設定温度として処理レシピ64に反映すると共に、連続してエッチングされる各膜毎に、フォーカスリング3の温度をその設定温度を含む適切な温度域に収まるように加熱機構及び冷却機構を制御する。またフォーカスリング3の加熱機構としてレーザによる熱輻射を利用する。フォーカスリング3の冷却では、熱媒体であるヒータを介さずにフォーカスリング3の熱を支持台2に逃がすように構成し、加熱機構と冷却機構とを互いに独立させて切り分ける。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】リング状空洞共振器204を用いたプラズマ処理装置において、処理室の中心軸と同心に設置されたプラズマ発生用電磁波導入経路を有し、電磁波を複数の出力ポートに分配する分岐回路の出力ポートに接続され、プラズマ発生用電磁波の導入経路と同心に設置されたリング状空洞共振器204を備え、プラズマ発生用電磁波導入経路が円形導波管201により構成され、分岐回路が、該処理室の中心軸に対して均等な角度で配置された複数の導波路で構成され、円形導波管201に円偏波の発生機構602を備えて、共振器内部に進行波を励振する。 (もっと読む)


【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で冷却する。
【解決手段】トレイ15の厚み方向に貫通する基板収容孔19A〜19Dに基板2が収容される。チャンバ3内の誘電体板23は、トレイ15の下面15cを支持するトレイ支持面28と基板載置部29A〜29Dを備え、静電吸着用電極40,202,204を内蔵している。トレイ15がトレイ支持面28に載置されると、基板載置部29A〜29Dの上端面である基板載置面31に基板2が載置される。基板2は静電吸着用電極40,204により基板載置面31に静電吸着され、トレイ15は静電吸着用電極202,204によりトレイ支持面28に静電吸着される。冷媒循環装置61により誘電体板23が冷却される。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で均一なプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置100は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部2と、一端がマイクロ波発生部2と接続された第1の導波管3と、第1の導波管3のマイクロ波発生部2と接続された側とは反対の側に接続された第2の導波管4と、を備えている。第2の導波管4は、円環状のスロット5が設けられたH面と、H面に対して垂直な方向に伸びるE面と、を有している。H面に対して垂直な方向における第1の導波管3の断面寸法Lh1と、第2の導波管4の断面寸法Lh2と、は、同じとされ、E面に対して垂直な方向における第2の導波管4の断面寸法は、第1の導波管3の断面寸法よりも大きくされている。 (もっと読む)


【課題】プラズマの均一性を高める。
【解決手段】平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極105であって、所望の誘電体から形成された基材105aと、前記基材105aの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極210側の表面の一部に形成された導電体層110と、を含み、前記導電体層110は、前記下部電極210側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極105が提供される。 (もっと読む)


【課題】従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部で基板を処理する処理チャンバーに、基板を載置するための載置台と対向するように設けられ、載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを備えたプラズマ処理装置であって、シャワーヘッドの対向面と反対側の面とを貫通する複数の排気孔と、反対側の面側の排気孔と連通した排気空間内に、反対側の面と平行に配設された導電性材料からなる環状の板体と、板体を移動させて排気孔との距離を変更するための移動手段と、を具備している。 (もっと読む)


【課題】基板を処理するためのプラズマ処理システムの処理の均一性を改善する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極152を備える。電極152は、処理チャンバ内に電界を発生させるよう構成されている。プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。インピーダンスは、電界に影響を与えることにより、基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】ボッシュプロセスにより形成される加工形状を予測することができる、プラズマ加工形状シミュレーション装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】加工処理対象物に関する条件、エッチングプロセスとデポジションプロセスとを一サイクルとした際のサイクル数を含むプロセスにおける条件及びシミュレーションに関する条件を設定する条件設定ステップ(STEP11)と、エッチングプロセスにおける条件に基づいたプラズマエッチングによる表面移動量を計算するエッチングプロセス表面移動量計算ステップ(STEP12)と、デポジションプロセスにおける条件に基づいたプラズマデポジションによる表面移動量を計算するデポジションプロセス表面移動量計算ステップ(STEP13)と、を備える。エッチングプロセス表面移動量計算ステップ(STEP12)とデポジションプロセス表面移動量計算ステップ(STEP13)とを条件設定ステップ(STEP11)にて設定されたサイクル数繰り返すことにより形成される形状を求める。 (もっと読む)


【課題】誘導結合型のプラズマ処理においてチャンバ内で生成されるドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度分布ひいては基板上のプラズマ密度分布を多様かつ精細に制御する。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘電体窓52の上に設けられるRFアンテナ54が径方向で内側コイル58、中間コイル60および外側コイル62に分割されている。高周波電源72からRF給電ライン68、RFアンテナ54およびアースライン70を通って接地電位部材まで廻った場合、より端的には第1ノードNAから第2ノードNBまで各コイルの高周波分岐伝送路を廻った場合に、内側コイル58および外側コイル62では反時計回りになるのに対して、中間コイル60では時計回りになる。第1および第2ノードNA,NBの間で中間および外側コイル60,62には可変の中間および外側コンデンサ86,88がそれぞれ電気的に直列接続される。 (もっと読む)


【課題】高周波電極の基板が載置されている側の空間におけるプラズマ生成密度の均等化を図ることができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】高周波電極12には孔121またはスリット122が設けられている。高周波電極12はそのα倍(0.25≦α≦0.75)の半径αrを有する同心円Cにより複数の範囲に区分されている。当該範囲のそれぞれにおける孔121またはスリット122の分布または配置態様が差別化されている。 (もっと読む)


【課題】基板洗浄チャンバ、チャンバコンポーネント及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも1つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 (もっと読む)


【課題】均一な表面波プラズマを形成することが可能な表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波出力部から、外側導体と内側導体とからなる同軸状の導波路を介して伝送されたマイクロ波をチャンバ内に放射して、チャンバ内に表面波プラズマを発生させるための、表面波プラズマ発生用アンテナであって、平面状をなすとともに複数のスロットが円周状に形成され、かつ、円周方向に隣接するスロットとスロットとの継ぎ目部分において、これらスロットが径方向に重なっており、その継ぎ目部分がスロットに覆われた状態となっている。 (もっと読む)


【課題】大型の基板であっても、その表面全体を均一にエッチングすることができ、また、エッチング形状の悪化が生じない基板エッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成空間9及び処理空間6を有するチャンバ2と、プラズマ生成空間9に対応する部分の外方に配設されたコイル16と、処理空間6に設けられた基板K載置用の基台10と、プラズマ生成空間9に処理ガスを供給する処理ガス供給手段19と、コイル16に高周波電力を供給する高周波電力供給手段17と、基台10に高周波電力を供給する基台電力供給手段13とを備える。プラズマ密度調整部材20を、プラズマ生成空間9と基台10との間のチャンバ2内壁に固設する。プラズマがプラズマ密度調整部材20を通過する際にその平面内密度が平準化されて、基板Kに導かれる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ発生を極大化でき、プラズマ密度を制御できる常圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】常圧プラズマ装置は、反応ガスを注入するための注入口11が形成されたハウジング10と、ハウジング10の内部に複数層で備えられる高電圧電極110と、高電圧電極110を覆う誘電体120と、高電圧を発生させて高電圧電極110に印加する高電圧発生部と、誘電体120の両側に隣接するように配置される接地電極130、及び反応によって生成されるプラズマの密度を制御する制御部で構成される。 (もっと読む)


【課題】試料の径方向について処理の特性や加工形状の均一さを向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置された試料台と、前記処理室の上方に配置され前記プラズマを形成する電界が透過する誘電体製の円形の板部材と、この板部材の上方に配置され内部に前記電界が導入される円筒形の空洞部と、この空洞の上部の中心に連結され上下に延在した内部を前記電界が伝播する円筒形の管路と、この管路の端部に配置され前記電界を発生する発生器とを備え、前記空洞部が前記板部材を底面とする径の大きな円筒形の空洞を有した第1の円筒空洞部とこの第1の円筒空洞部の上方でこれに接続されて配置され径の小さな円筒形の空洞を有した第2の円筒空洞部と、前記第1及び第2の円筒空洞部との間でこれらを接続する段差部とを備えた。 (もっと読む)


【課題】基板におけるプラズマ処理の面内分布が均一となる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Sが設置される基板設置部及びプラズマを形成するプラズマ形成部を備えた真空チャンバ11を備える真空処理装置1において、基板設置部には、基板Sが載置される基板載置台13と、真空チャンバ11に設けられると共に排気手段に接続される排気口34と、基板載置台31の周囲を囲むシールド部材50とが設けられ、シールド部材50は、その周方向に複数の開口が離間して形成されており、排気手段側に形成された開口の総面積が、排気手段とは逆側に形成された開口の総面積よりも狭い。 (もっと読む)


【課題】大型基板を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第1電極と、前記第1電極上に形成されて前記第1電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第2電極と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


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