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Fターム[5F004AA01]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 目的 (7,312) | 均一性の向上 (1,582)

Fターム[5F004AA01]に分類される特許

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【課題】エッチング速度の向上を図りつつ、良好な面内均一性を得ることができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング装置1は、真空槽10と、真空槽内にエッチングガスを供給するガス供給部10dと、基板Sbを基板位置に載置するステージ11と、真空槽10の側方に配置され、真空槽内に誘導電場を形成してエッチングガスのプラズマを生成する第1アンテナ21と、真空槽10の上方に配置され、真空槽内に誘導電場を形成してエッチングガスのプラズマを生成する第2アンテナ22と、第1アンテナ21に供給される高周波の位相と、第2アンテナ22に供給される高周波の位相とを一致させるように制御する位相制御部16と、真空槽10の外側に配置され、第1アンテナ21及び第2アンテナ22により誘導電場を生成する空間に磁気中性線NLを生成する磁気コイル群25とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 上部電極に印加される直流電圧に対するグランドとなる直流電圧用グランド部材の設置状態による処理の偏りを容易に修正することができ、均一な処理を効率良く実施することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】下部電極に高周波電力を印加するための高周波電源と、上部電極に直流電圧を印加するための直流電源と、導電性材料から全体形状がリング状に形成され少なくとも一部が処理空間に露出するように処理チャンバー内に配設され上部電極に印加される直流電圧に対する接地電位を形成するための直流電圧用グランド部材と、直流電圧用グランド部材を上下動させて当該直流電圧用グランド部材の接地状態を調整可能とされた複数の上下動機構とを具備したプラズマ処理装置。 (もっと読む)


【課題】 平面導体を大型にしても、そのインピーダンスの増大を抑えて当該平面導体に大きな電位差が発生するのを抑え、それによって均一性の良いプラズマ生成を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、ホルダ側の面32が真空容器4内に位置しかつホルダ10の基板保持面に対向するように設けられた平面導体30を備えている。平面導体30は、そのホルダ側の面32に、高周波電流の流れ方向と交差する方向に伸びている溝40であってその深さが、平面導体30中を流れる高周波電流の表皮厚さよりも大きい溝40を、高周波電流の流れ方向に1以上有していて、溝40によってホルダ側の面32は複数領域に分割されている。平面導体30の各溝40内にコンデンサ42をそれぞれ設けて、平面導体30の前記各領域と各コンデンサ42とを互いに電気的に直列接続している。 (もっと読む)


【課題】中密度プラズマ領域のプラズマを用い、高い制御性を得るとともに大口径ウエハにおける処理の均一性を得る。
【解決手段】真空排気手段により排気される真空処理室と、該真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、前記真空処理室内に磁場を発生させるためのソレノイドコイルと、ヨークと、中央部あるいは外周部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の略1/4 突出させて形成した誘電体製マイクロ波透過窓とを備えたプラズマ処理装置において、前記誘電体製マイクロ波透過窓は、平板部と、該平板部上に載置された突出部と、該突出部を平板部に位置決めする位置決め用凹凸部を備えた。 (もっと読む)


【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで,これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハWを載置する基板載置面115とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面116を有するサセプタ114を備えた載置台110と,ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに,フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック120と,伝熱ガス供給機構200とを備え,伝熱ガス供給機構は,基板裏面に第1伝熱ガスを供給する第1伝熱ガス供給部210と,フォーカスリング裏面に第2伝熱ガスを供給する第2伝熱ガス供給部220とを独立して設けた。 (もっと読む)


【課題】
被処理基板の温度制御性がよく、基板全体において局所的に抜熱量が急変するような特異点の無い基板載置台を提供する。
【解決手段】
基板載置台表面に、熱伝達用ガスの流入口と流出口を設け、基板載置台表面と基板との間の閉空間を流路とする定常的なガス流を形成させ、この流路に各種の障害物を置くことによってガスの流れやすさ(コンダクタンス)を調整し、ガスの流入口と流出口との間に10Torrから40Torrの差圧を発生させる。ガスの熱伝達率が圧力に比例することから、この差圧により被処理基板の温度分布を調節することができる。 (もっと読む)


【課題】薄膜加工を高精度に行うエッチング処理に好適なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は薄膜を有する試料の前記薄膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Anm厚さの薄膜を4×Anm/min未満の低エッチングレートでプラズマエッチングし、該プラズマエッチングは前記試料を載置する試料台に時間変調された間欠の高周波電力を印加してプラズマエッチングし、前記高周波電力の1周期での印加していない時間は、1周期での印加している時間より4倍〜100倍長いことを特徴とするプラズマ処理方法である。 (もっと読む)


【課題】実質的に一人で操作可能な、最適化された上部部材を備えたプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、基板を保持するように構成されたチャックを含む下部部材を有している。また、プラズマ処理システムは、基板を処理するプラズマを発生させるための電磁場を形成するように構成された誘導コイルと、その末端部に加熱及び冷却プレートを収容するための中が空洞で円筒形の部分を有する上部部材であって、下部部材と結合する最適化された上部部材を含んでなる。前記加熱及び冷却システムが、最適化された上部部材によって電磁場とは実質的に遮断され、該上部部材は実質的に一人で操作可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】均熱性の良好なウェハ支持部を提供する。
【解決手段】ウェハ支持部材10は、基体3と、絶縁体5と、基体と絶縁体とを接合する接合層90とを具備したウェハ支持部材であって、接合層は、第1の層91と該第1の層よりも絶縁体側に位置する第2の層92とを有する複数の層の積層構造であり、第1の層と第2の層との熱伝導率が異なることから、ウエハを載置する面の均熱性を良好にできる。 (もっと読む)


【課題】本発明は磁場または排気偏芯によりウエハ上に拡散したプラズマの偏芯を補正することができるプラズマを発生させる手段を有するプラズマ処理装置を提供することである。
【解決手段】本発明は、試料をプラズマ処理する真空処理室と真空処理室内にガスを導入するガス導入手段と真空処理室内に配置され、試料を載置する試料台と真空処理室外に設けられた誘導コイルと誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源とプラズマと容量結合するファラデーシールドとを具備するプラズマ処理装置において、誘導コイルと真空処理室の上面を形成する誘電体封止窓との間に設置された偏芯補正手段を有し、偏芯補正手段は、プラズマの偏芯を補正するプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ処理装置である。 (もっと読む)


【課題】手作業での環状隔壁部材の位置の変更や交換、あるいは処理ガス吐出部自体の交換をせずに、処理ガスの吐出位置を変更することが可能な処理ガス吐出部を有する処理装置を提供する。
【解決手段】載置台に対向して処理室内に設けられ、内部の隔壁14を介して互いに区画される処理ガス吐出孔16を有する処理ガス吐出部5と、被処理体面内のうちセンター部分に対応する第1の空間15a、被処理体面内のうちエッジ部分に対応する第2の空間15i、及び第1の空間15aと第2の空間15iとの間に設けられた少なくとも1つの第3の空間15b〜15h、に連通された処理ガス分配管18a〜18i、さらに、隣接する処理ガス分配管18a〜18iどうしの間を開閉するバルブ19a〜19hを含む処理ガス分配ユニット12と、を具備する処理装置とする。 (もっと読む)


【課題】処理室の壁部との間において不必要な電界が生じるのを防止することができる電極構造を提供する。
【解決手段】電極構造としてのシャワーヘッド22は、プラズマ処理装置のチャンバ11内において、ウエハWを載置するサセプタ12と対向し、且つチャンバ11の側壁部によって囲まれ、また、シャワーヘッド22は、サセプタ12に載置されたウエハWの中心部と対向する内側電極25と、該内側電極25と絶縁され且つ内側電極25を囲う外側電極26と、該外側電極26と絶縁され且つ外側電極26を囲う接地電極27とを備え、内側電極25及び外側電極26には第2の高周波電源32からそれぞれ高周波電力が印加され、接地電極27は接地され且つチャンバ11の側壁部によって囲まれる。 (もっと読む)


【課題】パターン疎密差の影響を受けないハードマスク形成法を提供する。
【解決手段】基板101上に、第1から第3の膜111,112,113およびレジスト層114を形成した後、疎部R1と密部R2が存在するパターンを前記レジスト層に形成して前記第3の膜をエッチングする。次に、前記第3の膜及び前記レジスト層をマスクとして、密部R2内では前記第2の膜が残存するが、疎部R1内では前記第1の膜が露出するまで、前記第2の膜を除去する。その後CXYZガスを使用して、第5の膜115を、疎部R1内に露出した前記第1の膜上に第1の膜厚T1で形成し、密部R2内に残存する前記第2の膜上には膜厚T1よりも薄い第2の膜厚T2で形成する。膜厚T1の前記第5の膜で疎部R1内に露出した前記第1の膜を保護しながら密部R2内に残存する前記第2の膜を除去し、最後に、前記第3から第5の膜を除去して前記第2の膜をハードマスクとする。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置11は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置41と、処理容器12と、処理容器12の上部開口を閉鎖するように配置される誘電体窓16と、誘電体窓16の上方に配置されるスロットアンテナ板17と、スロットアンテナ板17の上方側に配置される誘電体部材18と、スロットアンテナ板17にマイクロ波を導入する導波部32とを備える。ここで、マイクロ波発生装置41は、搬送波を変調することによって所定の周波数帯域幅を有するマイクロ波を生成する変調装置61を有する。 (もっと読む)


【課題】 被処理基板の周縁部の温度上昇を抑制することによってプラズマ処理の面内均一性を向上させることができ、均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバーと、処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理チャンバー内から排気するための排気機構と、処理ガスのプラズマを生成するためのプラズマ生成機構と、処理チャンバー内に設けられ、被処理基板と、当該被処理基板の周囲を囲むように配設されるフォーカスリングとが同一の平面に載置されるよう構成された載置台と、載置台の温度を調節する温調機構と、載置台の上面に配設され、フォーカスリングの下部にまで延在する吸着用電極を有する静電チャックとを具備したプラズマ処理装置。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置の処理チャンバのプラズマ発生領域においてrf電磁界分布を発生するアンテナ装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生領域内に伸びる第1高周波電磁界を発生するrf誘導性アンテナ210、および受動アンテナ220,222を備え、受動アンテナ220,222は誘導的にrf誘導性アンテナ210に結合されることによって、第2高周波電磁界を生成するよう構成され、該第2高周波電磁界は、前記プラズマ発生領域における前記高周波電磁界の半径方向分布および方位角方向分布を変化させ、受動アンテナ220,222がないときと比較して処理装置の処理均一性を異ならせるように前記第1高周波電磁界を変更し、前記プラズマ発生領域における前記高周波電磁界分布は、rf誘導性アンテナ210に対して受動アンテナ220,222がないときとは異なる方位角対称性を有する。 (もっと読む)


【課題】VHF帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置において、第1の電極における第2の主面は複数の第1の給電点と複数の第2の給電点と少なくとも1つの第3の給電点と少なくとも1つの第4の給電点とを有し、前記複数の第1の給電点と前記複数の第2の給電点とは、対称点に関して対称な位置であって対称軸に関して対称な位置に配されるとともに、給電される高周波電力の位相差が互いに180度であり、前記少なくとも1つの第3の給電点と前記少なくとも1つの第4の給電点とは、それぞれ、前記対称点から等距離であり前記対称軸上となる位置に配される、あるいは前記対称点から等距離であり前記対称軸に関して対称な位置に配された1組の給電点を含む。 (もっと読む)


【課題】真空装置中に存在する、特にプラズマにより生成したイオン計測の効率を高めるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ装置中に設置した電極に、これに接続してプラズマ装置中の成分を分析できる質量分析器の計測部に対して高い(低い)電位を与え、これによってプラズマ中の正(負)イオンを質量分析器へ効率よく導入することを特徴とするプラズマ中のイオン計測方法、及び、プラズマ装置中に設置した電極に、これに接続してプラズマ装置中の成分を分析できる質量分析器の計測部に対して高い(低い)電位を与え、これによってプラズマ中の正(負)イオンを質量分析器へ効率よく導入することを特徴とするプラズマ中のイオン計測装置。 (もっと読む)


【課題】処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて処理チャンバー内に収容された基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、上部開口を有し、容器状に形成された処理チャンバー本体10と、直径が異なる複数の環状の誘電体部材15と金属部材16とを交互に同心状に組み合わせ、誘電体部材と金属部材との間を気密封止した天板部14を有し、上部開口を覆うように設けられた上蓋12と、上蓋の金属部材の部分に配設され、処理チャンバー内に処理ガスを供給するための複数のガス導入機構18,19,20と、処理チャンバー外の誘電体部材の上部に配設された高周波コイル17と、を具備している。 (もっと読む)


【課題】素子分離絶縁膜の上面の高さを、基板上の全面でほぼ均一にできるとともに、素子分離絶縁膜の上面を平坦化することができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、反応室11と、反応室11とゲートバルブGVを介して接続される真空ポンプ12と、加工対象を保持する保持部19と、エッチングガス供給手段と、加熱部20と、昇華量判定手段と、を備える。エッチングガス供給手段は、加工対象と反応して反応生成物を生成可能なエッチングガスを反応室11内に供給する。加熱部20は、反応生成物が昇華する温度以上に加工対象を加熱する。昇華量判定手段は、加熱部20による昇華処理の経過による反応生成物の昇華の度合いに対応して変化する所定の物理量を昇華量対応変化値としてモニタする。 (もっと読む)


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