【課題】シャワープレート上部に設置された誘電体窓の温度を制御することにより、シャワープレートの温度変動を抑制し、固定時間でのプラズマ加熱によるシーズニングを行うことがを可能にする。
【解決手段】シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを制御範囲の中央Ｔｂから上限Ｔｄまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱する。 （もっと読む）

【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】安価な構成であり、被処理基板におけるプラズマ処理の面内均一性を良好にすることができる被処理基板支持構造を提供する。
【解決手段】被処理基板支持構造３１は、円板状の部材であって、その上に被処理基板Ｗを載置するようにして支持する支持台３３と、円筒状の部材であって、支持台３３の下方側に一方端部が取り付けられるシャフト部３２と、支持台３３内に設けられるヒータ３６とを備える。支持台３３は、第一の熱伝導率である部材から構成されている。シャフト部３２は、第一の熱伝導率以上の第二の熱伝導率である部材から構成されている。支持台３３の内部であって、シャフト部３２の一方端部が支持台３３に取り付けられる連結部４０に対して距離を開けて連結部４０の上側に位置する部分には、第一の熱伝導率よりも低い第三の熱伝導率である断熱部４１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】真空槽に導入されるプラズマと基板との間でプラズマに接する部材がプラズマ中の活性種を失活させることを抑えることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが導入される導入口１２ａを有する真空槽１０と、導入口１２ａと処理の対象物との間でプラズマに接する中間部材と、を備えるプラズマ処理装置について、中間部材を、導入口１２ａの周囲に吊り下げられた金属製の支柱３０と、支柱３０に連結されて導入口１２ａと互いに向かい合う金属製の対向板３１と、から構成する。そして、支柱３０及び対向板３１を、シリコン酸化膜３５により被覆する。 （もっと読む）

【課題】電極層の全域を適切に温度制御することができる電極ユニットを提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを基板に施す処理室１７を備える基板処理装置１０は、半導体ウエハＷを載置し、且つ処理室１７内に高周波電圧を印加するサセプタ１２と対向するように配置されている上部電極ユニットとしてのシャワーヘッド２９を備え、該シャワーヘッド２９は、処理室１７側から順に配置された、電極層３２、加熱層３３及び冷却層３４を有し、加熱層３３は電極層３２を全面的に覆うとともに、冷却層３４は加熱層３３を介して電極層３２を全面的に覆い、加熱層３３及び冷却層３４の間には伝熱シートが配置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を抑制して冷却板の損傷を防ぐことができるとともに、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、プラズマ処理装置１内においてウエハ８（被処理基板）と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板であって、厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、その通気孔１１は、ウエハ８と対向する放電面３０ａ側に、厚さ方向に対して斜めに形成された傾斜孔部２１を有し、放電面３０ａには、傾斜孔部２１の開口端部を切り欠く凹部２３が形成されており、傾斜孔部２１の傾斜方向に沿う断面において、その傾斜孔部２１の１８０°対向する二つの周縁２１Ａ，２１Ｂと傾斜孔部２１に交差する凹部２３の切欠面２４とのなす角度が、両周縁部で同じ角度に設定されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の均一性を高めることの可能な表面波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】表面波プラズマ処理装置は、導波管２０の誘電窓１６と互いに向い合う部位にスロットアンテナ２１を備えるとともに、基台１２と誘電窓１６との間に、遮蔽部３２と透過部３３とを有する遮蔽部材３０を備えている。そして、遮蔽部材３０は、載置面の法線方向から見て、スロットアンテナ２１のアンテナ部２４の面積をＳ１、アンテナ部２４と遮蔽部３２との重なる部分の面積をＳ２、スロットアンテナ２１の開口部２３の面積をＳ３、開口部２３と遮蔽部３２との重なる部分の面積をＳ４とすると、Ｓ２／Ｓ１＜Ｓ４／Ｓ３が満たされるように構成される。 （もっと読む）

【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１００は、高周波電力を発生させる高周波電源６と、高周波電源６から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極２と、高周波電源６とプラズマ生成電極２との間に介在し、伝送路９のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器７と、整合器７とプラズマ生成電極２との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路８とを具備し、整合器７は、プラズマとインピーダンス調整回路８とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路８によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 （もっと読む）

【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ１６と、プラズマ生成アンテナ１６に高周波電力を供給する高周波電源１８と、高周波電源１８とプラズマ生成アンテナ１６との間に介在する整合回路１９と、プラズマ生成アンテナ１６を構成し、整合回路１９を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４と、複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路３０−１〜３０−４とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置６０は、シャワーヘッド１６と、処理ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する処理ガス供給部６６と、処理ガス供給部６６からの処理ガスを流す処理ガス供給流路６４と、処理ガス供給流路６４から分岐してシャワーヘッド１６に処理ガスを供給する分岐流路６４ａ，６４ｂと、付加ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する付加ガス供給部７５と、付加ガス供給部７５からの付加ガスをシャワーヘッド１６に流す付加ガス供給流路７６とを具備し、シャワーヘッド１６は、ウエハＷの配置領域にガスを供給する第１、第２ガス導入部５１，５２と、ウエハＷの外縁よりも外側にガスを供給する第３ガス導入部５３とを有し、分岐流路６４ａ，６４ｂは第１、第２ガス導入部５１，５２に接続され、付加ガス供給流路７６は、第３ガス導入部５３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ工程において、インピーダンスをマッチングする基板処理装置及びインピーダンスマッチング方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態による基板処理装置は、高周波電力を発生させる高周波電源と、前記高周波電力を利用してプラズマ工程を遂行する工程チャンバーと、前記工程チャンバーの変化するインピーダンスを補償するマッチング回路と、前記工程チャンバーと前記マッチング回路との間に配置されて前記工程チャンバーのインピーダンスを減衰させるトランスフォーマと、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な装置構成を有して小型化でありながら、基板やトレイ上におけるガスの流れや圧力分布の偏りを効果的に低減できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置１のチャンバ５は頂壁８、底壁７、側壁９、端壁１１、及び開口端１２を備える一体構造のチャンバ本体６と、開口端１２を閉鎖する蓋体１６とを備える。処理対象物支持台２６のベース３１の側部３１ａには端壁１１と処理対象物支持台２６との間にガスが流れる十分な空間を確保する凹部５１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置に適用したときに、一方向に長手の導波管導波管下面に列設されたスリット直下に位置する処理室内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度を均一にすることができ、しかも処理室内のマイクロ波の電磁場強度の再調整を簡単に行うことが可能なマイクロ波導入装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１１の上壁１１ａに設けられたマイクロ波導入窓１２に対向配置される、一方向に長手の導波管７を備え、この導波管７は、そのマイクロ波導入窓と対向する下面に所定間隔で開設された複数のスリット７０ａ、７０ｂを有する。スリットの直上に位置する導波管の内部空間に対し進退自在に設けたアース接地の導体７１を更に備える （もっと読む）

【課題】エッチング量が均一であり、エッチング時のウェハの温度を常温と低温の両方に設定できるドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング対象のウェハ６と同じ材料からなり、クランプ７に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ６の周囲を取り囲むように設けられ、ウェハ６と共にエッチングされる常温エッチング用ダミーウェハ１０と、エッチング対象のウェハ６と同じ材料からなり、クランプ７に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ６の周囲を取り囲むように設けられ、クランプ７とウェハ６間に介在してウェハ６を下部電極４に固定すると共に、ウェハ６と共にエッチングされる低温エッチング用ダミーウェハ１１と、を備え、いずれかのダミーウェハ１０，１１を用いてエッチングを行うものである。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】トレンチの深さを安定化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に前記半導体基板に比べエッチング選択比の高い第一膜を作成する工程と、前記第一膜上に前記第一膜に比べエッチング選択比の高い第二膜を作成する工程と、一部の領域の前記第二膜および第一膜をエッチングし前記領域の半導体基板表面を露出させる工程と、前記露出した半導体基板表面をエッチングしトレンチを作成する工程を有する安定したトレンチ深さを提供する半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングの均一性を高めつつ、ドライエッチングによる生成物が基板に付着することを抑制する。
【解決手段】上部電極１１０と下部電極１３０との間にエッチングガス１２１を導入する第１ガス導入部と、基板１９０の縁に沿って基板１９０を囲むように真空容器１０１内に位置し、基板１９０上にエッチングガス１２１を滞留させる整流ローラ１５０と、整流ローラ１５０を回転駆動するモータとを備える。さらに、基板１９０上に滞留させたエッチングガス１２１が整流ローラ１５０の外周面１５１を乗り越えて排気されるように真空容器１０１の内部を排気する排気部１８０と、互いに対向するクリーニング電極、および、整流ローラ１５０の外周面１５１に付着したエッチング残渣を除去するクリーニングガス１４３をクリーニング電極同士の間に導入する第２ガス導入部を含むクリーニング部とを備える。 （もっと読む）

【課題】天盤の少なくとも一部が誘電体窓を形成するエンクロージャを有する誘導結合プラズマ反応器が提供される。
【解決手段】基板支持体２１５が誘電体窓２０７の下のエンクロージャ２００内に配置される。ＲＦ電力アプリケータ２４０が、誘電体窓を通してエンクロージャ内にＲＦ電力を印加するために誘電体窓の上に配置される。複数のガス注入装置２３０、２３５が、処理ガスをエンクロージャ内に供給するために基板支持体の上に均一に分配される。処理ガスの流れを制限するように、円形バッフル２７０が、エンクロージャの内部に配置され、基板支持体の上であるが、複数のガス注入装置の下に配置される。 （もっと読む）

【課題】基材上にパターンを低温かつ低コストで形成することができると共に、リフトオフを容易にできるパターン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン構造体の製造方法では、基材１０上に、インクジェット法によりリフトオフ材１２を形成する。次に、基材１０及びリフトオフ材１２上に、原子層堆積法により機能膜１４を形成する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ材１２を除去することによって、基材１０上に、機能膜１４からパターン１４ａを形成する。リフトオフ材１２は、樹脂と溶媒とを含むインクを基材１０上に塗布した後、溶媒を除去することによって形成される。溶媒は、樹脂に対する第１溶解性を有する第１溶媒と、第１溶解性よりも低い第２溶解性を有する第２溶媒とを含む。第１溶媒は第２溶媒に相溶する。 （もっと読む）