【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は工程チャンバー１００の外部でジフルオロメタンＣＨ_２Ｆ_２、窒素Ｎ_２、及び酸素Ｏ_２ガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー１００内へ供給する。ソースガスの変更無しで酸素の供給量及びチャックの温度を調節することによって、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比とポリシリコン膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比との相対的な大きさを逆に調節する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、主表面が設けられた炭化珪素層１９が形成される。炭化珪素層１９の主表面の一部を覆うマスク１７が形成される。主表面に対して傾斜した側面ＳＳが炭化珪素層１９に設けられるように、マスク１７が形成された炭化珪素層１９の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が５０％以下である雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法が提供される。
【解決手段】本発明による半導体製造装置は工程チャンバーの外部で供給されるジフルオロメタンＣＨ_２Ｆ_２、窒素Ｎ_２、及び酸素Ｏ_２ガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー内へ供給する。プラズマが工程チャンバーへ供給される途中に三フッ化窒素ＮＦ_３が供給される。このような装置構造及びソースガスを利用してシリコン窒化膜をエッチングすると、他の種類の膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比を大きく増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン層又は窒化シリコン層が側壁部に形成されたシリコン含有層の除去を、残渣が生じることなく、かつ、下層膜のロスを生じさせずに行うことができ、良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、パターニングされたシリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆うように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を形成する成膜工程と、シリコン含有層を選択的に除去し、側壁部に形成された窒化シリコン層又は酸化シリコン層を残すプラズマエッチング工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチング工程では、ＳＦ_６ガスを含むエッチングガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト７、無機材料の中間層８、上層フォトレジスト９を形成し、上層フォトレジスト９をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板１をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第１反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第１反応ガスを第２反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層８をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第２反応ガスを第３反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層７をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】穴部の側壁を基板の表面に対して垂直に形成するとともに、高速にシリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】レジスト層をマスクとしてシリコン層をプラズマエッチングする方法であって、前記プラズマエッチング工程が、所定の比率で混合した堆積性ガスおよびエッチング性ガスの混合ガスを処理容器内に導入し、該混合ガス雰囲気で前記被処理基板をプラズマエッチングする第１のエッチングステップと、前記処理容器内に前記堆積性ガスを導入し、前記第１のエッチングステップによりプラズマエッチングされた被処理基板を該堆積性ガスが主体の雰囲気で堆積処理する堆積ステップ、および、前記処理容器内に前記エッチング性ガスを導入し、前記堆積ステップにより堆積処理された被処理基板を該エッチング性ガスが主体の雰囲気でプラズマエッチングする第２のエッチングステップを、複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造で、高精確性を有し、且つ生産コストが低い三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイの製造方法は、基板を提供する第一ステップと、前記基板の表面にマスク層を設置する第二ステップと、前記マスク層を加工して、前記マスク層の表面に、並列した複数のストリップ状の突部構造を形成し、隣接する該ストリップ状の突部構造の間に、凹溝を形成させる第三ステップと、前記マスク層をエッチングして、前記凹溝と対応する領域における前記基板の表面を露出させる第四ステップと、エッチングによって、前記隣接するストリップ状の突部構造を二つずつ互いに接近させて、更に接触させ、三次元ナノ構造体予備成形物を形成する第五ステップと、前記マスク層を取り除き、三次元ナノ構造体アレイを形成する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室において、ウェハ上でスタックを形成するシリコン系の複数の二重層の中に高アスペクト比のフィーチャをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室に主エッチングガスが流入される。第１の圧力を提供しながら、主エッチングガスがプラズマにされる。２０℃未満のウェハ温度が維持される。プラズマにより上記複数のシリコン系二重層のうちの複数の組を貫いてエッチングする間に、第１の圧力よりも低い第２の圧力まで圧力を降下させる。上記複数の二重層のうち第１の複数の組がエッチングされた後に、主エッチングガスの流入を停止させる。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体基板にテーパ状の凹部を形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】まず、ワイドギャップ半導体基板Ｋの表面に開口部を有したマスクＭを形成する。そして、マスクＭが形成されたワイドギャップ半導体基板Ｋを基台に載置し、当該ワイドギャップ半導体基板Ｋを２００℃以上に加熱した後、処理チャンバ内に供給されたエッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、プラズマ化されたエッチングガスによるワイドギャップ半導体基板Ｋのエッチングと、プラズマ化された保護膜形成ガスによる保護膜の形成とを並行して行い、保護膜によって保護しつつ、炭化ケイ素基板Ｋのエッチングを進行させ、炭化ケイ素基板Ｋにテーパ状の凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜の除去を行うことのできる有機膜の除去方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、酸素又は窒素を含む第１のガスと、ＣｘＨｙ（ｘ，ｙは正の整数）で示される第２のガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを被処理基板に作用させて有機膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣を残さず、かつ、レジストの下層（例えば半導体層）へのダメージを従来よりも抑えることが可能なレジスト除去方法を実現する。
【解決手段】本発明は、素子に付いたレジスト３の一部を除去対象として除去するレジスト除去方法の発明である。本発明では、例えば、除去対象の一部が除去加工されるとともに除去対象の残りの一部６が露光されるように除去対象に向けてレジストが吸収する波長のレーザー光４を照射するとともに、露光された部分６を現像により除去することで、半導体素子に塗布したレジスト３の一部を除去する。 （もっと読む）

【課題】SiC基板のドライエッチングにおいて高エッチングレートを確保しつつマイクロトレンチを抑制する。
【解決手段】エッチングガス源４から供給されるエッチングガスは、０％を含まない５％以下のSF₆ガスを含む。SiC基板２が載置されるステージ１１は金属ブロック１２上に配置され、金属ブロック１２に高周波電源８Ｂから印加されるバイアスは３００Ｗ以上（電力密度で２．６５W/cm²以上）である。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層のエッチングにおいて、Ｍｏ層のエッチングを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及び誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、エッチング対象を収容する真空槽１１と、誘導アンテナ１９、アンテナ用高周波電源ＲＦ２、及びバイアス用高周波電源ＲＦ１から構成され、エッチング対象に引き込まれるプラズマを生成するプラズマ生成部とを備えている。エッチング対象は、下部Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層であり、プラズマ生成部は、Ｎ_２ガスからプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング室内において、基板の上に形成された二層レジストをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】二層レジストの第１の層の上にパターンを形成された基板をエッチング室に導入する工程から開始される。次いで、ＳｉＣｌ₄ガスがエッチング室に流し込まれる。次に、ＳｉＣｌ₄ガスを流し入れつつエッチング室内においてプラズマを発生させる。次いで、二層レジストがエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板の表面にダメージを与えることなく、平坦な表面を有する窒化物半導体基板を製造できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのいずれか、又はこれらいずれかの金属の窒化物から形成される表面を有する定盤を用い、前記定盤の前記表面と窒化物半導体基板の平坦化する表面とを対向して近接して配置し、対向配置の前記定盤および前記窒化物半導体基板を９００℃以上の高温状態とし、前記定盤の表面と前記窒化物半導体基板の表面との間に少なくとも水素とアンモニアを含むガスを供給することにより、前記定盤に対向する前記窒化物半導体基板の表面をエッチングして平坦化する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】薬液を使用することなく、基板から膜を剥離して製造コストおよび環境負荷を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】界面ＢＦでの超短パルスレーザービームのフルエンスが基板加工閾値よりも大きく、かつ膜加工閾値よりも小さくなるように設定された、超短パルスレーザービームが薄膜Ｆを介して界面ＢＦに照射される。このため、当該界面ＢＦでのレーザー照射部分で基板Ｗが選択的に加工されて基板Ｗと薄膜Ｆの結合が低下して薄膜Ｆが剥離される。このように薄膜Ｆに対して物理的あるいは化学的に作用させることなく、いわゆるドライ処理によってレーザー照射を行った部分の薄膜Ｆを選択的に剥離させることができる。したがって、薬液を使用することなく、薄膜Ｆを剥離させることができ、製造コストおよび環境負荷を低減することができる。 （もっと読む）