【課題】一体型の多目的光学アラインメントのためのシステムおよび方法
【解決手段】半導体処理システムで使用される光学アラインメントシステムが提供される。この光学アラインメントシステムは、アラインメント用の特徴部を上面に一体形成されたウエハチャックを備える。また、ウエハチャックの上方には、アラインメント用の特徴部に向けて光信号を発することができるビーム形成システムが配置される。また、アラインメント用の特徴部に向けて発せられた光信号の振幅を検出することができる検出器も設けられる。一形態において、アラインメント用の特徴部は、光信号の一部をビーム形成システムに反射し返す反射性アラインメント用の特徴部であって良い。別の一形態において、アラインメント用の特徴部は、光信号の一部がウエハチャックを通過して検出器に到達することを可能にする透過性アラインメント用の特徴部であって良い。この形態では、ウエハチャックの下方に検出器を配置することができる。 （もっと読む）

基材と該基材上に設けられた耐腐食性コーティングとを含む物品が提供される。基材は、一般にアルミナから本質的になり、耐腐食性コーティングは、基材と耐腐食性コーティングの間に介在層、例えば、高温処理プロセスにより提供される反応生成物を与えることなく基材と直接接触するように設けられる。耐腐食性コーティングは、一般に希土類酸化物から本質的になり、約１５ＭＰａ以上の付着強度を有する。特定の実施態様によれば、本物品は、半導体ウェハを処理するための半導体処理装置（１０）で利用及び実装されるセラミック部材（１８、２０）である。
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プラズマプロセスシステムは、プラズマ特性のその場測定を行う診断装置を備える。この診断装置は、通常、プラズマプロセスチャンバ内に配置された非侵襲性センサアレイと、このセンサを刺激する電気回路と、プラズマプロセスをモニタまたは制御するために、センサの測定値を記録して通信する手段とを備える。一実施形態では、このセンサは、入射荷電粒子電流と電子温度とを、プロセスシステム内のプラズマ境界近傍で測定する動的にパルス化したデュアルフローティング・ラングミュアプローブである。このプラズマ測定値を用いて、プロセス用プラズマの状態をモニタしてもよいし、プラズマプロセスを制御するのに用いるために、このプラズマ測定値をプロセスシステムコントローラに提供してもよい。 （もっと読む）

処理プラズマ内において第２の周波数の電圧および電流成分のタイトな調節または制限を可能にするようにＲＦ電力生成器の出力部とプラズマチャンバの入力部との間に接続された第２のリアクティブ終端回路が提供される。第２のリアクティブ回路は、システムにおいて第２の周波数で見られる場合において、主にＲＩＦ電力生成器の基本周波数において動作するように設計された整合ネットワークのインピーダンスを制御する。可変コンデンサは、システム内の別の構成部品に引き起こされたインピーダンスの変動性に関することなしに、非連続の周波数において、プロセスにおける電圧、電流、および電力をタイトに調節することができるという利点を操作者に与える。
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【課題】 エッチングプロセスのためにフィードフォワード、フィードバックウェーハｔｏウェーハ制御法の提供。
【解決手段】 半導体処理システムのウェーハｔｏウェーハ（Ｗ２Ｗ）制御を提供するように、ランｔｏラン（Ｒ２Ｒ）コントローラを使用する方法は、提供される。Ｒ２Ｒコントローラは、フィードフォワード（ＦＦ）コントローラと、プロセスモデルコントローラと、フィードバック（ＦＢ）コントローラと、プロセスコントローラとを含む。Ｒ２Ｒコントローラは、ウェーハｔｏウェーハ時間フレームにおけるプロセスレシピをアップデートするように、フィードフォワードデータと、モデリングデータと、フィードバックデータと、プロセスデータとを使用する。 （もっと読む）

本発明の高密度ＲＦプラズマ源は、１３．５６ＭＨｚなどの周波数の波を送り出すために特殊なアンテナ構成を使用する。アンテナは、共通軸の周りに軸に沿って相互に間隔を置いて配置される数個の伝導性ループを含む。ループは、軸方向伝導性セグメントによって電気的に接続され、各ループは複数の直列接続された容量性素子を含む。このアンテナはチューニング可能なので、半導体製造のプラズマ加工において見られる発生プラズマにＲＦエネルギー（１０）を能動的に結合させるのに適する。このプラズマ源は以下の用途に使用することができる：プラズマ・エッチング、蒸着、スパッタリング・システム、宇宙推進、プラズマに基づく滅菌、プラズマ切削システム。別の実施態様において、プラズマ源は、１つまたはそれ以上の加工チャンバと組み合わされ、プロセス・チャンバは磁石アレイ（１４）及びＲＦコイル（１５、１６）を含む。これらの素子は、フィードバック制御法によってプラズマの閉じ込めまたは能動的プラズマ制御（プラズマ回転）のために使用することができ、一方、水分などの現場ＮＭＲモニタリングまたは分析のために使用することができる。
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【課題】 プロセスシステムヘルスインデックスとこれを使用する方法。
【解決手段】 半導体製造過程の間、基板を処理する処理システムをモニタする方法は、記載された。この方法は、複数の観測に対して処理システムからデータを取得することを具備する。それは、前記データから主成分分析（ＰＣＡ）モデルを構成することを更に備えおり、そこにおいて、重み因子は、取得されたデータの前記データ変数の少なくとも１つに適用される。ＰＣＡモードは、追加データの取得に関し利用され、少なくとも１つの統計量は、各々の追加の観測に対して決定される。処理システムに対してコントロールリミットを設定すると、少なくとも１つの統計量は、各々の追加の観測に対してコントロールリミットと比較され、コントロールリミットを上回るときに、処理システムのための不良は検出される。 （もっと読む）

腐食的な製造環境での製作中に、半導体ウェハーを加熱するための改良された加熱システム（１０）が開示されている。前記システム（１０）は、新規なセラミックヒータ（１２）を備えており、前記セラミックヒータ（１２）は、該セラミックヒータ（１２）のセラミック基板（１６）内部に完全に直接埋め込まれている多数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）を有している層状のセラミック基板（１６）から作成されている。前記複数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）は、前記セラミックヒータ（１２）の作動効率を改良する低い温度抵抗係数を備えているモリブデンと窒化アルミニウムの複合物から構成されている。作動時に、前記温度センサ配置（３８）は、前記半導体ウェハーの全表面に渡って一定で一様な温度分布を供給するような方法で前記加熱素子（４４）を制御すること可能であるマイクロプロセッサー（１４）に温度示度を伝達する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の熱処理後、冷却ガスにより急速に基板の冷却を行う。
【解決手段】本発明は、半導体の熱処理装置や半導体基板を熱的に冷却する方法に関する。本発明の一特徴によれば、ガス冷却クランプと関連する方法が記載され、自由分子レジームで一様な熱伝導によって基板の冷却を行う。ガス冷却クランプはそれらの間に間隙を有する複数の突起を備えたクランピングプレートを含み、間隙の距離即ち深さは、冷却ガスの平均自由行程と関連する。ガス冷却クランプは、更に、冷却ガスの熱移動係数を制御するために、複数の間隙内の冷却ガスの背圧を制御する圧力制御システムを含む。冷却ガスの熱移動係数は、当初、圧力の関数であり、実質的に間隙距離に独立である。 （もっと読む）

【課題】 メインテナンス後に再装着しても割れることのない電極板を有するプラズマ装置を提供する。
【解決手段】 電極支持体２２と電極板２３との境界面の少なくとも片方に，薄い絶縁被膜６２を設け，電極支持体２２と電極板２３との直接の接触を避け，絶縁被膜の厚さを調整して，融着を防止しつつ性能を保持したプラズマ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷチップをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動を生じることなく、信頼性の高いＳＡＷチップとこれを利用したＳＡＷデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板１１１にドライエッチングにより電極パターンを形成するＳＡＷチップ１１０の製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜２３を形成する電極膜形成工程ＳＴ１と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程ＳＴ２と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程ＳＴ３とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁保持が効果的になされ、もれ電流を最小化することができる局所処理装置を提供する。
【解決手段】 外部からの電磁的遮蔽をなすケーシングを有する。前記ケーシングの管通路上に放電管を設ける。前記放電管の一端をガス供給源に接続して放電管内に処理用気体を導入可能とする。前記放電管の他端にノズルを脱着自在に連結して、当該ノズルより処理用気体を外部に放出可能とする。前記放電管を挟むように一対の電極を対向配置して、当該電極の一方にリードの一端を接続し、当該リードの他端をケーシング部材外部の高周波電力源に接続して伝導経路を形成しする。これにより、ケーシング内を密閉空間とするとともに前記伝導経路の周囲に中空部分を設けて絶縁空間を形成した。 （もっと読む）

【課題】大面積基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うのに有用なプラズマ発生装置に関わり、真空容器に絶縁体の隔壁部あるいは天板を設けてその外側に高周波アンテナを設置する従来の誘導結合型プラズマ発生装置では、放電室の径が大きくなるにつれ絶縁体の厚みを大幅に増大させなければならず、高周波電力の利用効率が低下するという問題があった。
【解決手段】プラズマ発生装置の真空容器１の内部にアンテナ導体５全体を入れ、絶縁体の隔壁や天板を用いる必要をなくして、アンテナから放射される誘導電界の全てを有効利用できるようにした。またアンテナのインダクタンスを小さくしたり、アンテナ導体を絶縁体で被覆したりして異常放電の発生を抑制し、高密度プラズマの安定化を図っている。 （もっと読む）

【課題】 ナノインプリントによるパターニングのアライメント可能な微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法を提供する。
【解決手段】 ナノインプリントのモールドを、光等を透過可能なモールド基板に設け、このモールド基板に位置参照用のマークを設ける。ウェハにも、モールド基板のマークに対応したマークを形成する。モールド基板でのモールドの位置決めを精度良く行うために、ナノインプリントのモールドは、モールド基板にマークを形成した後に、マーク位置を参照して形成する。モールド基板にモールドとマークを形成することによって、ウェハ上側から、光等によってモールド基板を透過してモールド基板のマークとウェハのマークを同時に観察・参照することでウェハとモールドとの相対位置をアライメントする。 （もっと読む）

【課題】 低温の循環流体をランプヒータで加熱して流体の温度制御を行う場合、制御の応答性と精度を高める。
【解決手段】 流体循環供給系３１を循環する流体は、チラー３２で冷却され、熱交換器３３内のランプヒータで加熱される。ランプ制御部４１は、ランプ出力を制御することで、流体の温度を設定温度に制御する。バルブ制御部４３は、ヒータ出力が、制御に適した出力設定範囲内に入るように、チラー通路３７の流量制御弁３４とバイパス通路３５の流量制御弁３６の混合比を調節する。更に、バルブ制御部４３は、開度と流量との関係が、開度の分解能が高温域で細かく低温域で粗くなるような重み付けを線形関係に加味した関係となるように、且つ、２つの流量制御弁３４、３６の流量を合計した循環流量が常に一定になるように、開度と２つの弁３４、３６の操作量（パルス数）との対応関係を定める。 （もっと読む）

【課題】 内部配線パターンを電源／グランド層によりシールドすることにより特性インピーダンスやクロストークノイズの影響を改善でき、また厚さを薄く形成できる回路基板を提供する。
【解決手段】 コア基板１の両面に内部配線パターン２が形成されており、該内部配線パターン２の上に絶縁樹脂層３を介して電源／グランド層５が各々形成されてなる回路基板４であって、表層の絶縁樹脂層３がドライエッチングにより除去されて形成された凹部６に露出する内部配線パターン２に電子部品７が表面実装可能になっている。 （もっと読む）