【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理空間からの排気を均一に行う。
【解決手段】プラズマ処理空間を囲う真空チャンバ２と、その壁を貫通する開口２ａに対して外側から吸引口５１ａが連通接続された真空ポンプ５０と、プラズマ処理空間に臨んで基板を乗載可能な基板支持体１２とを備えたプラズマ処理装置において、真空ポンプ５０を介して真空チャンバに基板支持体１２を固設する。また、その支持脚１２ａが、開口２ａの中央を通り、真空ポンプ５０の支軸５２を兼ねるようにする。さらに、その支軸５２を中空の杆体にする。これにより、プラズマ処理空間から開口に至る排気路が基板支持体の周りで同じになるうえ、その開口のところでも同一性が維持されて、排気が均一になる。コンパクトな装置にもなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ閉じ込めリングのプラズマに露出する面上のポリマー堆積を回避するために、これらの面上が十分な高温に達するように構成されたプラズマ閉じ込めリング組立体を提供する。
【解決手段】プラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０は、それぞれサーマルチョーク５４、５６、５８および６０を含む。プラズマエッチング処理中に、プラズマおよび他の加熱効果によって、プラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０に熱が供給される。サーマルチョーク５４、５６、５８および６０は、サーマルチョーク５４、５６、５８および６０の位置から外方向への放射状の熱伝導を低減し、それによって、サーマルチョーク５４、５６、５８および６０と内側リング状面３４、３６、３８および４０のそれぞれとの間に規定されたそれぞれのプラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０の内側部分の加熱を促進する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の処理チャンバのプラズマ発生領域においてｒｆ電磁界分布を発生するアンテナ装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生領域内に伸びる第１高周波電磁界を発生するｒｆ誘導性アンテナ２１０、および受動アンテナ２２０，２２２を備え、受動アンテナ２２０，２２２は誘導的にｒｆ誘導性アンテナ２１０に結合されることによって、第２高周波電磁界を生成するよう構成され、該第２高周波電磁界は、前記プラズマ発生領域における前記高周波電磁界の半径方向分布および方位角方向分布を変化させ、受動アンテナ２２０，２２２がないときと比較して処理装置の処理均一性を異ならせるように前記第１高周波電磁界を変更し、前記プラズマ発生領域における前記高周波電磁界分布は、ｒｆ誘導性アンテナ２１０に対して受動アンテナ２２０，２２２がないときとは異なる方位角対称性を有する。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの裏面側空間における異常放電等のプラズマ処理に悪影響を与える現象の発生を抑制することができ、良好なプラズマ処理を安定的に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー１０内に設けられ、基板載置台を兼ねた下部電極２１と、ガスを供給するシャワーヘッドとしての機能を備え、かつ、上下動可能とされた上部電極１３と、上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体１２と、上部電極と蓋体との間の空間を閉塞するように配設され、内側に外側と隔離された隔離空間を形成するとともに、内部に気体を導入・排出するための導入・排出口を有し、上部電極の上下動に応じて隔離空間の容積を変動可能とされた隔離空間形成部材３１と、隔離空間形成部材の隔離空間に気体を供給、及び排出する気体供給排出機構３４を具備している。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム（ＡｌＮ）被覆膜（層）を耐熱性部材の表面に被覆した際に、反り変形のない寸法精度に優れた耐蝕性部材を提供する。
【解決手段】 被覆膜の結晶粒のＡｌＮ中に酸素を０．１質量％以上２０質量％以下含有させて、被覆膜の熱膨張率を基材+に合わせるよう調整することを特徴とする。被覆膜の相対密度が５０以上９８％未満であることが好ましい。被覆膜が、化学気相成長法によって成膜され、その後、酸素雰囲気中で７００℃以上１１５０℃以下の温度で加熱されること、あるいは、大気中で暴露させて水和物を形成させた後に不活性雰囲気中で９００℃以上１３００℃以下の温度で加熱処理されること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともにそれぞれの基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給して、それぞれの基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、トレイおよびそれぞれの基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】高い光出力を保ちつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、発光層と、クラッド層と、電流拡散層と、第２の層と、電極と、を有する。クラッド層は、第１の導電形を有する。電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。電極は、前記加工層の前記表面のうち前記凸部および前記底部が設けられていない領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】真空装置中に存在する、特にプラズマにより生成したイオン計測の効率を高めるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ装置中に設置した電極に、これに接続してプラズマ装置中の成分を分析できる質量分析器の計測部に対して高い（低い）電位を与え、これによってプラズマ中の正（負）イオンを質量分析器へ効率よく導入することを特徴とするプラズマ中のイオン計測方法、及び、プラズマ装置中に設置した電極に、これに接続してプラズマ装置中の成分を分析できる質量分析器の計測部に対して高い（低い）電位を与え、これによってプラズマ中の正（負）イオンを質量分析器へ効率よく導入することを特徴とするプラズマ中のイオン計測装置。 （もっと読む）

【課題】平板状のサンプル材料の組み合わせにより形成されるサンプル管を有するラジカル測定装置及びラジカル測定管を提供すること
【解決手段】本発明のラジカル測定装置１は、ラジカル生成室２と、測定管４と、支持体１６と、真空排気部１０とを具備する。ラジカル生成室２は、原料ガスのプラズマを発生させることで原料ガスのラジカルを生成させるラジカル生成手段６を有する。測定管４は、ラジカル生成室２に連通する。支持体１６は測定管４内に配置され、複数の、平板状のサンプル材料からなるサンプル板Ｓにより管状のサンプル管が形成されるように、それぞれのサンプル板を支持する。真空排気部１０は、測定管４を真空排気する。温度センサ９は、サンプル管に挿通され、サンプル管の軸方向に沿って移動可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理されたウエハの異常原因を分析する。
【解決手段】クラスタ型のプラズマ処理システム１０に配置された２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかにおいてプラズマ処理されたウエハＷの異常原因分析方法であって、ウエハＷがフープ１１５ａ〜１１５ｃから搬出され、前記２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかに搬送された後、前記フープ１１５ａ〜１１５ｃに戻るまでの搬送経路の情報を前記ウエハＷ毎に該ウエハの識別情報に関連付けて記憶する記憶工程と、処理済のウエハＷの状態を検査する検査工程と、前記検査工程の結果、異常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報と、正常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報とを比較し、比較の結果に基づき異常原因の分析を行う異常分析工程と、を含む異常原因分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】動作回数を重ねても、機構部の軸動作のズレが累積することを抑制できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板処理レシピ記憶部と、当該基板処理装置を構成する機構部の原点出しを行うイニシャルレシピ記憶部と、イニシャル処理を行う基準回数を記憶するイニシャル基準記憶部と、実行済みの基板処理回数記憶部と、基板処理レシピを実行する基板処理実行部と、イニシャルレシピを実行するイニシャル処理実行部と、基板処理回数を更新する処理回数更新部と、基板処理回数記憶部に記憶した基板処理回数が、イニシャル基準記憶部に記憶した基準回数に達したか否かを判定する処理終了判定部と、イニシャル処理可能状態であるか否かを判定するイニシャル可否判定部とを備え、基板処理回数が前記基準回数に達すると当該基板処理装置における新たな基板処理開始を保留し、イニシャル処理可能状態になるとイニシャルレシピを実行するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】多種類の半導体ガスの貯蔵、供給装置を低圧で小型化する。
【解決手段】直方体形状の流体貯蔵・計量分配容器５０，５２を含む流体貯蔵・計量分配装置及び、こうした流体貯蔵・計量分配装置および／または使用時換気ガス清浄器６１を、換気されたガスキャビネット２０内に含む一体型ガスキャビネットアセンブリを開示する。たとえば、ガスキャビネット２０から供給された処理ガスが、有毒又は有害な特性のものである場合、ガスキャビネット２０は、物理的吸着剤及び化学吸着媒体の使用によって、運転の安全面で強化されることが可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理にあたって、安価でコンパクトなプラズマ電位やイオン速度等のプラズマ状態の計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマと該分析器の間に印加した電圧と質量分析器において同一イオンが検出された条件との関係からイオン速度とプラズマ電位との関係を算出し、さらに該質量分析器をシングルプローブに見立てて、質量分析器とプラズマ間に連続的あるいは断続的に負から正の電圧を印加し、これらの関係からプラズマ電位を算出し、前記イオン速度とプラズマ電位との関係と算出したプラズマ電位との関係からプラズマ中のイオン速度を算出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層とを備えるダイヤモンド電子素子であって、前記構造保持材は、開口部を有し、前記ドリフト層の一方の面に積層されており、前記コンタクト層は、前記開口部内において、前記ドリフト層に直接積層されており、また、アノード電極は、前記開口部内の前記コンタクト層に設け、カソード電極は前記ドリフト層の他方の面に設けて、例えば、ショットキーバリアダイオードを実現する。単結晶ダイヤモンド基板の一方の基板面に欠陥層を形成した後、該基板面上に前記ドリフト層を成膜し、半絶縁性ダイヤモンド層を選択的に成長させて開口部を有する構造保持材を形成した後、前記基板はスマートカット法により素子部より分離する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理効率を向上させることができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０のロードロックモジュール１３では、該ロードロックモジュール１３の内部において上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３が互いに独立して上下動し、上部基板搬送機構２２では、昇降ベース２６に配された４つのガイドレール２５に対して４つのガイドアーム２７がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、各ガイドアーム２７に対して４つのピック２８がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、下部基板搬送機構２３では、昇降ベース３０に配された４つのガイドレール２９に対して４つのガイドアーム３１がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、各ガイドアーム３１に対して４つのピック３２がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理することによってトレイが高温或いは低温になった場合でも、トレイ上の所定位置に正確に被処理基板を載置したり前記トレイから被処理基板を確実に取り出したりすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反応室２外に設けられたトレイステージ３０、ウエハＷが載置されたトレイ１４をトレイステージ３０と反応室２との間で搬送するロボット２２、反応室２外に設けられたウエハＷを収納するウエハケース３２、トレイステージ３０上のトレイ１４からプラズマ処理済みのウエハＷを取り出してウエハケース３２に収納すると共にウエハケース３２からプラズマ処理前のウエハＷを取り出してトレイステージ３０上のトレイ１４に載置する移載用ロボット３４、トレイステージ３０上に載置されるトレイ１４の温度を所定温度範囲に維持する赤外線ヒータ３８を備える。 （もっと読む）

【課題】熱電対がサセプターの周囲のスペースを圧迫せず、しかも熱電対に過度の圧力がかかることのないサセプターを提供する。
【解決手段】円盤状のセラミックプレート２０の中に、熱電対５０が埋設されている。熱電対５０は、互いに材料組成の異なる第１及び第２素線５１，５２と、第１及び第２素線５１，５２の先端を接合した測温部５０ａと、第１及び第２素線５１，５２を被覆する高純度アルミナ又はＭｏからなる水平及び垂直保護管５３，５４とを備えている。セラミックプレート２０は、一対のセラミックディスク２２，２４を接合したものであり、熱電対５０は、下方のセラミックディスク２４に形成された水平溝２４ａに配置されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理が停止した場合であっても、確実なエンドポイントの検出をする。
【解決手段】発光検出部３１は、プラズマ処理の発光強度を検出する。波形記憶部３３は、検出された発光強度の時間変化である発光波形を記憶する。判定部３５は、発光波形が、ある値に設定された発光閾値以下の場合、且つ、前記時間変化が、ある値に設定された設定時間を越えた場合、エンドポイントであると判定する。出力部３６は、プラズマ処理がエンドポイントに至ったことをエッチング装置１０の高周波電源１２に出力する。モニタ３０は、設定時間に至る前にプラズマ処理が停止し、その後再処理をした場合、波形記憶部３３に記憶されている発光波形とこの再処理の発光波形とを波形結合部３４で結合する。判定部３５は、結合された波形により、エンドポイントを判定する。 （もっと読む）