【課題】シリコン基板表面にエッチング用マスクを効率よく形成してドライエッチングすることで、量産性よくシリコン基板表面にテクスチャー構造を形成できるテクスチャー構造形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗ表面にテクスチャー構造を形成するためのテクスチャー構造形成方法であって、シリコン基板Ｗ表面に、ハニカム状の細孔ｈが所定間隔で複数開設された有機物シートＳを接着する工程と、有機物シートＳをマスクとし、この有機物シートＳが接着されたシリコン基板Ｗを処理室内に配置して減圧し、エッチングガスを導入し、放電用電力を投入して各透孔を通してシリコン基板Ｗ表面をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜８、ｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５、活性化層４及びびｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層３を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜８の残渣Ｒの垂下長さＬがｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５と活性化層４との合計膜厚Ｈよりも短くなるように透明導電膜８が除去加工される。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧に応答した制御を含む真空プラズマプロセッサを提供する。
【解決手段】十分な電力を有するＡＣ電気エネルギーを電極の少なくとも１つに供給することによって室内のガスをプラズマに励起して、電極の少なくとも１つを介してガスに供給されたＡＣ電気エネルギーにより（ａ）供給されたＡＣ電気エネルギーの周波数におけるプラズマ励起ＡＣ電場を第１電極アセンブリと第２電極アセンブリとの間に存在させ（ｂ）ＤＣバイアス電圧を室内のガスがプラズマに励起されるのに応答して電極の少なくとも１つに発生させ、ＤＣバイアス電圧の指示に応答してプラズマ励起ＡＣ電場を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ含有プラズマの条件によらず、安定してクリーニングプラズマを生成する方法を提供する。
【解決手段】被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜を、真空容器８０１内に導入されたＣとＯの元素を含むＣＯ含有ガスにソース電力を印加することでＣＯ含有ガスをプラズマ化し、生成したＣＯ含有プラズマを用い加工する際に、該ＣＯ含有プラズマにて被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜に所定の加工を施した後、ソース電力８０６を印加したまま、クリーニングガスを導入し、その後ＣＯ含有ガスの導入を停止することで、所定のクリーニングガスを用いたクリーニングプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】光アクセス窓のエッチングおよび堆積を低減させ、診断終点において所望のＳＮＲを維持できるガス注入器を提供する。
【解決手段】注入器は、プロセスチャンバの外側の診断終点Ｓ−ＯＵＴから光アクセス窓７０を通ってプロセスチャンバ内Ｓ−ＩＮへと、軸路に沿った光アクセスを提供する。中空のケースボディ９０は、第１および第２のプロセスガスを受け取り、軸路を取り囲む。ボディ内のスリーブ９２は、粒子の生成を最小限に抑えるために、ケースボディに対して促され、プロセスチャンバ内に第１のプロセスガスを注入する第１のガス穴１０６を画定する。スリーブの第２のガス穴１２４は、プロセスチャンバ内に第２のプロセスガスを注入するために、軸路を取り囲み、光信号が終点において所望の信号対ノイズ比（ＳＮＲ）を有することを可能にする。第２の穴内にセプタム１２６を提供することによって、第２の穴を、アパーチャ１３６に分割する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する異物粒子数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、被処理体を処理するための処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給手段と、被処理体を戴置するための戴置電極と、前記処理室を減圧するターボ分子ポンプと、前記処理室の圧力を調整するために前記ターボ分子ポンプと前記処理室の間に設置されたバタフライバルブとを有する半導体製造装置において、前記バタフライバルブのフラッパーに異物粒子落下防止用のストッパーを設置した。 （もっと読む）

【課題】省電力モードからの復旧を従来装置より迅速にするとともに、復帰後における良好な基板処理を実現する。
【解決手段】処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内に処理ガスを供給するガス供給装置２０と、処理チャンバ１１内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部２５と、処理チャンバ１１を加熱するヒータ１４ａ，１４ｂと、制御装置４０とを備え、プラズマによって処理チャンバ１１内の基板を処理するプラズマ基板処理装置であって、制御装置４０は、ヒータ１４ａ，１４ｂへの電力供給を低減または停止させた状態にし、かつプラズマ生成部２５への電力供給を停止させた状態とする省電力モード実行部４７と、ヒータ１４ａ，１４ｂへの電力供給を復帰させるとともに、プラズマ生成部２５への電力供給をして、処理チャンバ１１の内部温度を基板処理に適した温度に上昇させる復帰モード実行部４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】リング状シールド部材の構成部品と基板載置台との間の隙間の発生を防止するとともに、構成部品の破損を防止することができるリング状シールド部材を提供する。
【解決手段】シールドリング１５は４つのリング構成部品４１〜４４からなり、各リング構成部品４１〜４４の長手方向に関する固定端には全方位移動規制部４５が設けられ、一方向移動許容部４６が全方位移動規制部４５から離間して設けられ、例えば、一のリング構成部品４１の固定端４１ａの端面が、隣接する他のリング構成部品４３の自由端４３ｂの側面に当接し、一のリング構成部品４１の自由端４１ｂの側面が、隣接する別のリング構成部品４４の固定端４４ａの端面に当接するように、各リング構成部品４１〜４４が組み合わせられている。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体製造装置は、ステージＳＴ、複数のピン７０、及び駆動部を備えている。ステージは載置面ＰＦを含む。載置面は、被処理基体Ｗを載置するための第１の領域Ｒ１、及び、フォーカスリング１８を載置するための第２の領域Ｒ２を有する。第２の領域は、第１の領域を囲むように、設けられている。ステージには、複数の孔１４ｈが形成されている。複数の孔は、第１の領域と第２の領域との境界を通って載置面に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面７０ａ、及び、第２の上端面７０ｂを有している。第２の上端面は、第１の上端面よりも上方に設けられており、当該第１の上端面よりも第１の領域の側に偏位している。 （もっと読む）

【課題】保護ポリマーコーティングを、プラズマ処理チャンバのシリコンまたはシリコンカーバイド電極上に形成する方法が提供される。
【解決手段】ポリマーコーティングは、プラズマ成分およびガス反応物への露出に対して、下にある電極表面への保護となる。この方法は、チャンバ１０２をクリーニングするプロセス中、またはチャンバ１０２内で半導体基板１０をエッチングするプロセス中に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させるネジを用いず、熱効率にも優れた新規な構造のウェハ支持装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１１と薄板部材１５と固定部材１７とを備えて構成されるウェハ支持装置１０であり、固定部材１７の脚部１８は、ウェハ載置領域を囲むように薄板部材に配置された開口１６を貫通してその上面より上方にまで突出し、その上端から係合部１９が内方に突出している。薄板部材および固定部材が静電チャックの静電吸着面に吸着固定されることにより、該薄板部材と該固定部材の係合部との間にウェハの周縁部を挟んでウェハを固定する。ウェハを上下から挟んだ状態で固定するので、通常の上向き使用だけでなく、下向きや垂直にして使用してもウェハが脱落しない。 （もっと読む）

【課題】ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁において、プラズマが回り込みやすい側のシール部材の劣化を抑制する。
【解決手段】ゲート弁は、プラズマ処理装置のチャンバに対してウエハが出し入れされるゲートに設けられ、ウエハの出し入れの方向に対して斜めに交差する斜め方向に開閉駆動される。ゲート弁は、本体部１と、本体部１に設けられ、ゲート弁が閉じたときに、ゲート１０の周縁部に当接するシール部２と、本体部１におけるシール部２が設けられる面から突出し、シール部２の前方において、プラズマが回り込みやすい側に隙間の狭隘部３０を形成する突出部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧力調整弁の二次側圧力の変動を低減して、流量制御機器から排出するガス流量を高精度に検定でき、測定用タンク内の圧力降下率を一定に維持する。
【解決手段】プロセスガス供給源からのガスを第１ライン遮断弁２２と第２ライン遮断弁２３と流量制御機器２４とを経由しプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスライン２と、共用ガス供給源からのガスを第２ライン遮断弁２３と流量制御機器２４とを経由し排出すべく、分岐接続された共用ガスライン１とを有し、共用ガスライン１には、共用遮断弁１２と測定用タンク１３と第１圧力センサ１４１と圧力調整弁１５とを備え、第１ライン遮断弁２２及び共用遮断弁１２を弁閉したとき、測定用タンク１３内におけるガスの圧力降下を第１圧力センサ１４１により測定し流量制御機器２４の流量検定を行うガス流量検定システムにおいて、圧力調整弁１５は、該圧力調整弁１５の二次側圧力を制御する。 （もっと読む）

【課題】付着物の発生を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】一実施形態のプラズマ処理装置は、処理容器、ガス供給部、導入部、保持部材、及びフォーカスリングを備えている。処理容器により画成される処理空間において、導入部から導入されたエネルギーにより、ガス供給部から供給された処理ガスのプラズマが発生される。この処理空間に、被処理基体を保持するための保持部材と該保持部材の端面を囲むように設けられたフォーカスリングとが配置されている。保持部材の端面とフォーカスリングとの間には、３５０μｍ以下の間隙が画成されている。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にＣＶＤによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてＣｌＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、ＣＶＤによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造の加工を可能にする。
【解決手段】基板上の三次元微細構造は、以下の方法で作製される。第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２をIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で前記基板１を昇温させることにより、前記改質マスク部３以外の部分の前記自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 （もっと読む）

【課題】誘導アンテナにより生成されるプラズマの状態が変わることを抑えつつ、誘電窓に付着したエッチング生成物の除去効率を高めることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、基板Ｓを収容するとともに、誘電窓１２で封止された真空槽Ｃと、誘電窓１２の上方に配置され、真空槽Ｃ内にプラズマを生成する誘導アンテナ２１と、誘導アンテナ２１に接続され、誘導アンテナ２１に流れる電流を抑制する電流抑制コイル２４を備えている。また、プラズマエッチング装置１０は、アンテナ用整合器２３を介して容量電極２６、誘導アンテナ２１、及び電流抑制コイル２４に高周波電力を供給するアンテナ用高周波電源２２を備えている。誘導アンテナ２１及び電流抑制コイル２４からなる直列回路と容量電極２６とからなる並列回路が、アンテナ用整合器２３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）