【課題】
試料台保護部材の消耗を抑制することで試料台保護部材の寿命を延長し、装置稼働率の向上と試料台が露出することによる試料台の消耗を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
円板状の試料台１１２と、試料台１１２の側面の消耗を低減するための試料台保護部材（２０６、２０３、２００）とを備えたプラズマ処理装置において、試料台保護部材（図面上では２０３）を冷却するための冷却用ガス流路２０５を有する。また、イオンを試料台保護部材２００へ引き込む導体リング２０１や、試料台保護部材２０３と試料１２８との距離を調整する機構（２０４、２５０〜２５２、２６０、１３２）を有する。 （もっと読む）

【課題】試料台カバーの温度を安定させ、試料台カバーから発生するガス量を安定させることで、プラズマ処理性能の経時変化が小さいプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の下部に配置されプラズマに面してその上面にプラズマを用いた処理対象の試料Wが載置される試料台２０７を備え、この試料台２０７が、試料Ｗの載置される面の外周側にこれと段差を有して配置され誘電体製のリング状部材３０１が配置される凹み部及びこのリング状部材３０１の下方に配置されこれを加熱する手段３１５とを有し、リング状部材３０１の外周側上方に配置されて試料台２０７と連結されリング状部材３０１を下方に押し付けて位置決めする金属製の部材３０３，３０４と、凹み部の上面とリング状部材３０１の下面との間のすき間に熱伝達性ガスを供給する手段３０８とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一性の高いプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を行う処理容器Ｃと、処理容器Ｃに設けられた下部電極１２に高周波電力を印加するＲＦジェネレータ１４と、ＲＦジェネレータ１４と下部電極１２との間に設けられ、同軸ケーブル１６を用いてＲＦジェネレータ１４に接続された整合器１５と、を備え、同軸ケーブル１６のグラウンド側の線１６ａを下部電極１２に対向する上部電極１１に接続するバイパス経路３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電基板面のサブ波長反射防止微細構造のような反射防止微細凹凸構造の形成に好適な単粒子膜エッチングマスクを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】易揮発性分散媒中の球形単粒子分散液を調製する工程、該単粒子分散液を、該単粒子及び該分散媒と非親和性の液体収容槽中の液体面に滴下して単粒子分散液膜を形成する工程、該単粒子分散液膜中の分散媒を揮発させて単粒子が２次元に最密充填配列している単粒子膜を形成する工程、単粒子膜を基板面に移し取る工程を有する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜などの酸化によりパターン精度が劣化する材料からなるハードマスク膜上に保護膜とマスク膜の積層膜を形成し、マスク膜をダブルパターニング技術を用いてパターニングすると、保護膜も２回のエッチングに曝されて、保護膜としての機能が損なわれ、パターニングに使用する有機膜除去のアッシングの際に、ハードマスク膜が酸化されてパターン精度が劣化し、忠実なパターン転写ができなくなる。
【解決手段】マスク膜６の２回目のエッチングの際に、パターニングに用いる有機膜（反射防止膜７ｂ、８ｂ）をマスク膜６表面は露出するが、保護膜５表面は露出しないようにエッチングし、マスク膜６のみを選択的にパターニングすることで、その後の残存する有機膜のアッシング除去に際して、ハードマスク膜４を酸化から保護する保護膜５の機能を確保でき、パターン転写の忠実性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）式：Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｃ（式中、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ正の整数を表し、２≦ａ≦５、ｃ＜ｂ≧１、２ａ＋２＞ｂ＋ｃ、ｂ≦ａ＋ｃの関係を満たす。但し、ａ＝３、ｂ＝４、ｃ＝２の場合を除く。）で表される含フッ素不飽和炭化水素と、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＯＦ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２及びＹＦ_ｎ（但し、ＹはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表す。ｎは１〜５整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）Ｎ_２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ及びＫｒからなる群より選ばれる少なくとも１種のガスとを、それぞれ特定の体積％で含む、ドライエッチング剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】腐食性が極めて強い不活性ガスや水素及び酸素ガス等の高密度プラズマに完全な耐腐食性を有するとともに、水分を全く放出せず、しかも、安定した整流状態のガス放出が得られる無数のガス放出穴を有するＡｌ合金系材料のシャワープレートを提供すること。
【解決手段】Ａｌ合金系材料の薄板に、溝の深さが０．０２〜０．５ｍｍで、横巾が０．０２〜１０ｍｍで、長さが３〜３０ｍｍで、無数の溝と溝との間隔が０．１乃至２ｍｍの範囲内の角状溝を形成し、次いで、表面粗さが０．１ｓ以内のＡｌ_２Ｏ_３保護膜を生成させたシートを積層してシャワープレートを形成した。 （もっと読む）

【課題】ウェーハに対して所望のプラズマエッチングが行われたか否かを確認できるようにする。
【解決手段】ウェーハ１０を保持する測定テーブル２と、ウェーハ１０の外周部の形状確認をするための形状測定手段３とを有し、形状測定手段３が測定テーブル２の上方に位置し、形状測定手段３と測定テーブル２とを相対的に移動させることにより形状測定手段３がウェーハの形状を測定するプラズマエッチング確認装置１を用い、プラズマエッチング処理後のウェーハ１０の形状に基づき、プラズマエッチングの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に形成されたパターンの倒れ、あるいは被処理体の表面の膜荒れなどといった被処理体に対するダメージを抑えながら、被処理体の表面に付着したパーティクルなどの付着物を容易に除去すること。
【解決手段】ウエハＷに対して前処理としてフッ化水素の蒸気の供給を行い、ウエハＷの表面の自然酸化膜１１を溶解させることにより、前記自然酸化膜１１の表面に付着している付着物１０について、ウエハＷの表面からいわば浮いた状態となるようにする。その後、ウエハＷの置かれる雰囲気よりも圧力の高い領域から下地膜１２に対して反応性を持たない二酸化炭素ガスを供給し、断熱膨張により当該ガスを凝縮温度以下に冷却してガスクラスターを発生させる。そして、このガスクラスターを非イオン化の状態でウエハＷに照射して、付着物１０を除去する。 （もっと読む）

【課題】給電側電極棒と接地側電極棒とを通電可能に接続する接続部材の取り付け容易性を向上させるプラズマ処理装置のアンテナ構造の提供。
【解決手段】交流電源の給電側に接続され、真空チャンバに設けられた処理室内で軸心を鉛直方向に沿わせて垂下支持される給電側電極棒５１と、交流電源の接地側に接続され、給電側電極棒５１に対向して処理室内で垂下支持される接地側電極棒５２と、両電極棒５１、５２の先端を通電可能に接続する接続部材５３と、を備える。給電側電極棒５１および接地側電極棒５２は、先端を軸心に対して１８０度湾曲させた懸架部を有し、給電側電極棒５１の懸架部と接地側電極棒５２の懸架部とに接続部材５３が自重によって懸架可能な構成とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件を変更することなく、経時変化に伴うレジストのエッチング速度の低下を抑制することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理ガスを供給するとともに、保持部１６及び電極板３６の少なくとも一方に高周波電力を供給することによって発生させたプラズマにより基板をエッチングするプラズマエッチング方法において、処理ガスが流れる流路４５内の圧力を計測して計測値を取得する取得ステップと、取得した計測値が、予め設定された基準値から所定の範囲内にあるか否かを判定する判定ステップと、計測値が所定の範囲内にないと判定されたときに、予め設定された、電極板３６を支持する電極支持体３８から電極板３６までの間隔と流路４５内の圧力との関係に基づいて、間隔の設定値を決定する決定ステップと、間隔を、決定された設定値に調整する調整ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用した大面積基板処理装置、およびこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、プラズマ処理工程がなされる基板処理室と、基板処理室の上部に設置され、少なくとも一方向に沿って曲がった３次元構造物で形成されるリブ構造体と、エッジがリブ構造体に固定して載置される誘電体と、誘電体それぞれの上部に位置しており、高周波電源と連結して誘電体の内側空間で誘導電磁場を形成するアンテナとを含む。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理装置用のシリコン製部品に使用するシリコン廃材の選定を適正化する。
【解決手段】エッチング処理装置内に配置されるシリコン製部品をシリコン廃材から再生して製造するエッチング処理装置用のシリコン製部品の製造方法であって、シリコン廃材の不純物を測定する工程と、測定された不純物含有量と目標値に基づきシリコン廃材、シリコン原料、ドープ材の投入量を算出する工程と、算出された投入量のシリコン廃材、シリコン原料、ドープ材をるつぼに投入し、溶解する工程と、前記溶解された材料を冷却して固める工程と、前記固められた材料の少なくとも上面を含む部分を切除して多結晶シリコンを生成する工程と、前記生成された多結晶シリコンから前記シリコン製部品を製造する工程と、を含むことを特徴とするシリコン製部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合方式のように電磁界強度が強い場合にも異常放電することなく、試料全面にわたって均一なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
処理室１と、第１誘電体の真空窓４と、誘導コイル９と、高周波電源１３と、ガス供給手段と、被処理体３を載置する試料台２０とを備えたプラズマ処理装置において、ガス供給手段は、真空窓４の下方に近接して設置され、中央部にガス放出口を備えた第２誘電体のガス放出板６と、真空窓４とガス放出板６との隙間に設けられ、第１及び第２誘電体よりも比誘電率の高い第３の誘電体の島状の部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】
試料への汚染を抑制して処理の効率を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置された処理室内部に備えられその上方に処理対象の基板状の試料が載せられる試料台を有し、前記処理室内に生成したプラズマを用いて複数枚の前記試料を連続して処理するプラズマ処理装置であって、前記試料の処理の間の時間に前記試料台の温度を前記試料の処理中の温度より高い所定の値に調節するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】スパッタ効率の高いことよりも、むしろ効率よくプラズマが生成し、かつエネルギー密度の高いプラズマ発生技術が求められている。
しかも安定したプラズマを生成させる際にはトリガーを必要とするため、装置内にトリガーを設置する空間を要すること、及びより装置が複雑になることによって装置が大型化していた。
【解決手段】板状のターゲット側電極の一方の面に、
１つの中心磁石と、該中心磁石の周囲に配置してなり、該中心磁石と極性が異なる１つ以上の周辺磁石との組み合わせからなるターゲット側磁石を設け、
該ターゲット側電極の他方の面にターゲット基板を近接して設けると共に、
該ターゲット基板に対向して試料を設置し、
該試料のターゲット基板に面する側の反対の側にアシスト磁石を設置し、該アシスト磁石の該試料側の極性と、該中心磁石のターゲット側電極側の極性が同じであるプラズマ発生装置。 （もっと読む）

【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置１１におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置１１への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅のガスを用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供すること。
【解決手段】大気圧以下に減圧可能な反応室と；反応室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅からなる群から選ばれる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む冷却ガスを噴射するノズルと、大気圧以下に減圧可能な洗浄室と；洗浄室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、純水、フッ化水素水からなる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む乾燥ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第１基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第２基板とを接合する工程と、第１基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第１基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 （もっと読む）