説明

Fターム[5F004AA16]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 目的 (7,312) | その他 (2,017)

Fターム[5F004AA16]に分類される特許

1 - 20 / 2,017




【課題】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより形成された導電性被加工物を、下地層に段差を作ることなく、異なる電位に固定する。
【解決手段】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより線状に形成された導電性被加工物を備え、導電性被加工物は、自身を電気的に分断する2以上の分断部分を有し、分断部分における導電性被加工物は、その一部が平行になるように形成されており、平行に形成された部分の少なくとも一方は分断されている。複数回のエッチングに用いられるレジストパターンのうちの、所定回数目のエッチングに用いられる第1のレジストパターンと、他の回数目のエッチングに用いられる第2のレジストパターンとが重なる領域の、平行に形成された部分に対応する箇所の幅は、エッチングによる導電性被加工物の後退量より小さい。本技術は、半導体装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、主表面が設けられた炭化珪素層19が形成される。炭化珪素層19の主表面の一部を覆うマスク17が形成される。主表面に対して傾斜した側面SSが炭化珪素層19に設けられるように、マスク17が形成された炭化珪素層19の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が50%以下である雰囲気下で行われる。 (もっと読む)


【課題】酸化シリコン層又は窒化シリコン層が側壁部に形成されたシリコン含有層の除去を、残渣が生じることなく、かつ、下層膜のロスを生じさせずに行うことができ、良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、パターニングされたシリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆うように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を形成する成膜工程と、シリコン含有層を選択的に除去し、側壁部に形成された窒化シリコン層又は酸化シリコン層を残すプラズマエッチング工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチング工程では、SFガスを含むエッチングガスを用いる。 (もっと読む)


【課題】被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるとともに、プラズマの逆流を確実に防止して冷却板の損傷及び被処理基板の汚染を防ぐことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に貫通する複数の通気孔11が設けられるとともに、各通気孔11は、放電面21に開口する噴出側孔部22と、その反対面に開口する導入側孔部23とを厚さ方向の中間部で連結してなり、噴出側孔部22は、導入側孔部23との連結部24から放電面21に向かうにしたがって相互に離間する方向に傾斜する複数の細孔25により構成され、導入側孔部23は、連結部24における横断面積と同じか又はそれより小さい横断面積を有し、各細孔25の長さ方向に対して交差する方向に形成されている。 (もっと読む)


【課題】細い荷電粒子ビームを安定して発生させること。
【解決手段】イオンビーム生成装置1は、ガス流を発生させるガス源7と、基端部21がガス源7に接続され、先端部25がテーパー状に形成されたキャピラリーチューブ9と、キャピラリーチューブ9の側面35を外側から囲むように設けられた板状電極19と、板状電極19にパルス電圧を印加するパルス電圧源11と、イオンビームの照射対象のターゲットTに負の直流バイアスを印加するバイアス電圧源13とを備え、キャピラリーチューブ9の側面36には複数の側孔37a,37bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】冷媒にオゾン層破壊物質を使用せずに精度の高い温度制御が可能な温度制御装置を提供する。
【解決手段】冷媒の相変化により周囲と熱交換する熱交換部71と、冷媒を熱交換部71から流入し、内部の油と融合させるロータリーポンプ73と、油に融合された冷媒をロータリーポンプ73から流入し、油と分離させる油水分離機74と、を備え、油と分離された冷媒を再び熱交換部71に循環させることにより冷却機能を有する冷凍サイクルを構成する温度制御装置70が提供される。 (もっと読む)


【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置100は、高周波電力を発生させる高周波電源6と、高周波電源6から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極2と、高周波電源6とプラズマ生成電極2との間に介在し、伝送路9のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器7と、整合器7とプラズマ生成電極2との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路8とを具備し、整合器7は、プラズマとインピーダンス調整回路8とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路8によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 (もっと読む)


【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するN+1個の補正量計算ユニットと、N番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するN個の操作変数追加ユニットとを備え、N番目の操作変数追加ユニットは、N+1番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をN+1番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 (もっと読む)


【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ16と、プラズマ生成アンテナ16に高周波電力を供給する高周波電源18と、高周波電源18とプラズマ生成アンテナ16との間に介在する整合回路19と、プラズマ生成アンテナ16を構成し、整合回路19を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ16−1〜16−4と、複数の分割アンテナ16−1〜16−4のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路30−1〜30−4とを有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法
【解決手段】フッ素ラジカルおよび酸素ラジカルなどのプラズマ生成ラジカルからRFストラップを保護するためにプラズマチャンバにおいて使用される、可撓性のポリマまたはエラストマを被覆されたRF帰還ストラップと、プラズマ処理装置内において、粒子汚染を抑えられた状態で半導体基板を処理する方法。被覆されたRFストラップは、粒子の生成を最小限に抑え、被覆されていないベース・コンポーネントよりも低い浸食速度を呈する。伝導性で可撓性のベース・コンポーネント上に可撓性被覆を被覆された被覆部材は、ギャップを調整可能な静電結合プラズマリアクタチャンバ内において1つまたは2つ以上の電極の移動を可能にするように構成されたRF地帰還を提供する。 (もっと読む)


【課題】基板へのパーティクルの付着を抑制することができるパーティクル付着抑制方法を提供する。
【解決手段】ウエハWを収容し且つ内部にプラズマが生じるチャンバ11と、収容されたウエハWを載置するサセプタ12と、該サセプタ12にバイアス電力を印加する第1の高周波電源19と、サセプタ12にプラズマ生成電力を印加する第2の高周波電源31と、サセプタ12に対向する上部電極33に直流電力を印加する第2の直流電源15とを備えるウエハW処理装置において、ドライエッチング処理の終了後、第2の直流電源15は直ちに直流電力の印加を終了し、続く所定の短時間(Δt)に亘って第2の高周波電源31はプラズマ生成電力を2700Wから200Wまで低下させてその印加を維持する一方、所定の短時間(Δt)の間、第1の高周波電源19は4500Wのバイアス電力の印加を維持する。 (もっと読む)


【課題】温度設定の制御を適正化することにより温度安定待ち時間を短縮する。
【解決手段】複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置1の温度制御方法であって、プラズマ処理装置1の処理容器10内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第1の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第2の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】プラズマ密度の低下を防止できるプラズマ供給ユニットが提供される。
【解決手段】本発明によるプラズマ供給ユニット300はソースガスが供給される放電空間ISが形成されたプラズマチャンバー310と、放電空間ISに高周波電力を印加してソースガスを放電させる電力印加部330と、放電空間ISに連結され放電されたソースガスが流入する流入空間FSを有する流入ダクト340と、を含み、放電空間ISを形成するプラズマチャンバー310の内側壁311は第1材質で形成され、流入空間FSを形成する流入ダクト340の内側壁341は第1材質と異なる第2材質で形成される。 (もっと読む)


【課題】大掛かりな装置を必要とせず、被処理物のそれぞれについてプラズマ処理の完了を個別検知することが可能なインキ組成物及びそれを用いたインジケーターを提供する。
【解決手段】1)アントラキノン系色素、アゾ系色素及びフタロシアニン系色素の少なくとも1種並びに2)バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも1種を含有するプラズマ処理検知用インキ組成物であって、前記プラズマ処理に用いるプラズマ発生用ガスは、酸素及び窒素の少なくとも1種を含有することを特徴とするインキ組成物。 (もっと読む)


【課題】イオンビームを選択的に通過させるためのシャッタ装置に使用されるシャッタユニットにおいて、隣り合うシャッタ羽根間の隙間からイオンビームが漏れるのを防止し、かつ、シャッタ同士が干渉せずに動作できる構成を提供する。
【解決手段】本発明のシャッタユニットは、並置された複数のシャッタアームからなり、シャッタアーム各々の長手方向をx軸、並置方向をy軸、x軸とy軸に垂直な方向をz軸として、シャッタアームの各々がx軸方向に摺動可能であり、x軸方向先端にシャッタ羽根を有し、シャッタ羽根の各々について、隣り合うシャッタ羽根同士が、z軸方向にオフセットした形状によってz軸方向の見通し線を遮断するエッジ部を有する構成とした。 (もっと読む)


【課題】 テーパー角度を90度未満とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 反応性エッチングガスとしてフッ素と酸素とを真空容器1内に導入し、コイル6に高周波電力を供給して誘導結合型プラズマ7を発生し、このプラズマによって基板電極8上にエッチング部材10として配置されたシリコンをエッチングし、基板電極8に基板電極用交流電源11から供給する交流電力の周波数によってシリコンにエッチングされる形状を制御する。 (もっと読む)


【課題】処理容器内の処理空間に接する部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】処理容器2内で保持手段22に保持された被処理体Wの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜74の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜70を形成す。これにより、カーボン膜の密着性を向上させ、しかも不要なカーボン膜を除去するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させる。 (もっと読む)


【課題】導電性の筒状部材を真空容器内に配置すると共に、筒状部材での微小放電を抑制するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内周面にアルマイト層31aが形成されたアルミニウムからなる筒状部材31を、金属製の真空容器12の内壁面に沿って配置すると共に、真空容器12の内部の支持台21、22上に処理対象の基板Wを静電吸着して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空容器12の内壁面の全周に渡って形成され、当該内壁面から突設された段差部12aと、段差部12aの上面の全周に渡って配置された弾性変形可能な金属製のチューブリング32とを有し、チューブリング32を介して、筒状部材31を段差部12a上に載置した。 (もっと読む)


1 - 20 / 2,017