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Fターム[5F004BA09]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 装置の基本構成 (5,904) | 平行平板型 (3,176) | 2電源式 (663)

Fターム[5F004BA09]に分類される特許

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【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 (もっと読む)


【課題】電極層の全域を適切に温度制御することができる電極ユニットを提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを基板に施す処理室17を備える基板処理装置10は、半導体ウエハWを載置し、且つ処理室17内に高周波電圧を印加するサセプタ12と対向するように配置されている上部電極ユニットとしてのシャワーヘッド29を備え、該シャワーヘッド29は、処理室17側から順に配置された、電極層32、加熱層33及び冷却層34を有し、加熱層33は電極層32を全面的に覆うとともに、冷却層34は加熱層33を介して電極層32を全面的に覆い、加熱層33及び冷却層34の間には伝熱シートが配置される。 (もっと読む)


【課題】基板へのパーティクルの付着を抑制することができるパーティクル付着抑制方法を提供する。
【解決手段】ウエハWを収容し且つ内部にプラズマが生じるチャンバ11と、収容されたウエハWを載置するサセプタ12と、該サセプタ12にバイアス電力を印加する第1の高周波電源19と、サセプタ12にプラズマ生成電力を印加する第2の高周波電源31と、サセプタ12に対向する上部電極33に直流電力を印加する第2の直流電源15とを備えるウエハW処理装置において、ドライエッチング処理の終了後、第2の直流電源15は直ちに直流電力の印加を終了し、続く所定の短時間(Δt)に亘って第2の高周波電源31はプラズマ生成電力を2700Wから200Wまで低下させてその印加を維持する一方、所定の短時間(Δt)の間、第1の高周波電源19は4500Wのバイアス電力の印加を維持する。 (もっと読む)


【課題】ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、金属膜をドライエッチングする。 (もっと読む)


【課題】先行処理工程で表面に堆積された堆積層の厚みを測定することで、プラズマ処理工程のエンドポイントを決定する方法を提供する。
【解決手段】本方法はこの方法は同一平面にて堆積層厚を測定するように設計されたセンサーを提供し、堆積層厚を変化させるようにプラズマ処理チャンバをプラズマに曝露し、時間の関数として堆積層厚を決定し、堆積層厚の実質的に安定した測定値で特徴付けられ、その開始がエンドポイントを表す堆積層厚の安定状態の条件を確認する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理チャンバ内の基材を処理する方法が提供される。
【解決手段】基材306は、チャック308の上方に配置され、エッジリング316によって囲まれる。エッジリングは、チャックから電気的に絶縁される。方法は、RF電力をチャックに提供することを含む。また、方法は、可変静電容量装置を提供することを含む。可変静電容量装置は、エッジリングにRF結合を提供するためにエッジリングに結合されて、エッジリングにエッジリング電位を持たせる。方法は、さらに、基材を処理するためにプラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生することを含む。基材を処理する間に可変静電容量装置がエッジリング電位を基材のDC電位に動的な同調を可能ならしめるように構成されて、基材が処理される。 (もっと読む)


【課題】改良されたチャンバ洗浄機構、装置、および方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理のさらなる調整を可能にするために利用されてもよい。一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ100は、基板を受けるよう構成された内側下部電極131と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極135とを備えた下部電極アセンブリ130を備えている。プラズマ処理チャンバは、上部電極111を備え内側下部電極と外側下部電極との真上に配置された上部電極アセンブリ110を、さらに備える。 (もっと読む)


【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第1配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第2配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第1及び第2配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第1ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第2ステップとが行われる。第1及び第2ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 (もっと読む)


【課題】ビアホールやトレンチなどのエッチング形状をウエハ面内で均一化することが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理対象の基板へ供給されるエッチングガスの供給条件を調節する供給条件調整部と、載置台上に載置される前記基板の温度を前記半径方向に沿って調整する温度調整部と、前記供給条件調整部及び前記載置台の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するエッチング装置において前記基板をエッチングするエッチング方法であって、前記基板の温度が前記基板面内で均一になるように前記温度調整部により制御する工程と、前記プラズマ発生部により発生されるプラズマ中の中性活性粒子の前記基板上方における濃度分布を前記供給条件調整部により調整することにより、前記基板面内でのエッチングレートを均一化する工程とを含むプラズマエッチング方法により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】カバレージ性の高い、面内均一性に優れたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマによりターゲット(31)から叩き出されたスパッタ粒子を基板(W)の表面に堆積させるに際して、そのスパッタ粒子をプラズマで分解して活性種を生成した後、基板表面へ堆積させる。これにより、プラズマCVDに類似した成膜形態が得られ、カバレージ性の高い、面内均一性に優れたスパッタ成膜が可能となる。特に、プラズマ源に高周波電場と環状磁気中性線(25)を用いているので、磁場ゼロ領域で非常に高密度なプラズマを効率よく発生させることができる。このプラズマは、磁気中性線の形成位置、大きさを任意に調整することで面内均一性の高いプラズマ処理が実現可能となる。 (もっと読む)


【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンの下層レジスト膜71、ハードマスクとしてのSiON膜72、反射防止膜73及びフォトレジスト膜74が順に積層されたシリコン基材70において、CFIガスとHガスとの混合ガスから生成されたプラズマによってフォトレジスト膜74の開口部75の側壁面にデポ76を堆積させて開口部75の開口幅を縮小させるシュリンク工程と、反射防止膜73及びSiON膜72をエッチングするエッチング工程とを1ステップで行う。 (もっと読む)


【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 (もっと読む)


【課題】低コスト化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にボロンを含む膜を形成する工程と、前記ボロンを含む膜上に酸化シリコンを含む膜を形成する工程と、前記酸化シリコンを含む膜をパターニングする工程と、前記パターニングされた前記酸化シリコンを含む膜をマスクとして、前記ボロンを含む膜を、塩素を含むガスを用いてエッチングする工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ホール底部の線幅及び深さのウェハ面内均一性に優れたプラズマエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置において、処理容器と、基板を保持する保持部105と、前記保持部と対向する電極板120と、前記保持部と前記電極板とに挟まれた空間で、前記基板の径方向に対して各々異なる位置に配置された複数の処理ガス供給部143と、前記保持部又は前記電極板の少なくとも一方に高周波電力を供給して、前記空間の処理ガスをプラズマ化する高周波電源116と、前記複数の供給部の各々に対応して、処理ガスの供給条件を調節する調節手段130と、前記基板上における、プラズマ化された処理ガスに含まれる活性種の濃度分布について、供給された処理ガスの拡散の影響が支配的である位置と、供給された処理ガスの流れの影響が支配的である位置とで、前記供給条件を変えるように前記調節手段を制御する制御部190とを有する。 (もっと読む)


【課題】被処理体に付着する異物粒子数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、被処理体を処理するための処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給手段と、被処理体を戴置するための戴置電極と、前記処理室を減圧するターボ分子ポンプと、前記処理室の圧力を調整するために前記ターボ分子ポンプと前記処理室の間に設置されたバタフライバルブとを有する半導体製造装置において、前記バタフライバルブのフラッパーに異物粒子落下防止用のストッパーを設置した。 (もっと読む)


【課題】シーズニングの時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置10は、処理容器12、ガス供給部44、下部電極14、及び、上部電極40を備えている。処理容器12は、処理空間Sを画成している。ガス供給部44は、処理空間S内に処理ガスを供給する。下部電極14は、処理空間Sの下方に設けられている。上部電極40は、処理空間Sの上方に設けられており、当該上部電極40には耐プラズマ性を有する被覆層40bが形成されている。当該被覆層40bの表面は研磨されている。 (もっと読む)


【課題】均熱部材を載置台内に一体的に埋め込むようにして被処理体の面内温度の均一性を高めると共に、被処理体に対する加熱効率を高めることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器4内にて被処理体Wに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を加熱する加熱手段38が埋め込まれると共に、前記被処理体を載置する載置台32と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱30とを有する載置台構造において、前記載置台内に、前記埋め込まれている前記加熱手段の上方に位置させて平面方向に広がった均熱部材40を埋め込むように構成する。 (もっと読む)


【課題】フィーチャの微細化や基板サイズの大型化に対応し、プラズマの密度や基板面にわたる均一性のためのプラズマのパラメータの制御が可能となる装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバは、大気負荷を中立化するように構成されたカンチレバー組立体を含む。前記チャンバは壁を含み、前記壁は、内部領域を囲み、かつ、該壁に形成された開口部を有する。前記カンチレバー組立体は、前記チャンバ内で基板を支持する基板体を含む。前記カンチレバー組立体は、一部分が前記チャンバの外に配置されるように開口部を通って伸びている。前記チャンバは、前記壁に対して相対的に前記カンチレバー組立体を動かすように動作する駆動機構を含む。 (もっと読む)


【課題】異常放電の判定精度を向上させることが可能な、異常検出装置及び異常検出方法を提供する。
【解決手段】処理室内に載置されたウエハであってプラズマ処理後のウエハの脱離開始から搬送ゲートバルブが開くまでの動作を監視し、動作をウエハ脱離時の動作として特定する監視部72と、特定されたウエハ脱離時の動作中、処理室内に高周波電力を印加する高周波電源と整合器との間もしくは被処理体を載置する載置台として機能する下部電極と整合器との間に設けられた方向性結合器から出力される進行波または反射波の少なくともいずれかの高周波信号を取得する取得部73と、取得された高周波信号の波形パターンを解析する解析部74と、高周波信号の波形パターンの解析結果に基づき異常放電の有無を判定する取得部73と、を備えることを特徴とする異常検出装置70が提供される。 (もっと読む)


【課題】光干渉を利用して温度を適切に測定することができる温度計測システム、基板処理装置及び温度計測方法を提供する。
【解決手段】温度計測システム1は、光源10、分光器14、光伝達機構11,12、光路長算出部16及び温度算出部20を備える。光源10は、測定光を発生させる。光伝達機構11,12は、測定対象物13の表面13a及び裏面13bからの反射光を分光器14へ出射する。分光器14は、反射光の強度分布である干渉強度分布を測定する。光路長算出部16は、フーリエ変換し光路長を算出する。温度算出部20は、光路長と温度との関係に基づいて測定対象物13の温度を算出する。光源10は、分光器14の波長スパンΔwに基づいた条件を満たす半値半幅Δλの光源スペクトルを有する。分光器14は、波長スパンΔwと計測最大厚さdとに基づいた条件を満たすサンプリング数Nで強度分布を測定する。 (もっと読む)


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