Fターム[5F004BA12]の内容
半導体のドライエッチング (64,834) | 装置の基本構成 (5,904) | イオンビーム型、イオンシャワー型 (690) | カウフマン型 (2)
Fターム[5F004BA12]に分類される特許
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基板加工方法
【課題】基板の面内方向における加工量を調整して加工精度を向上することができる基板加工方法を提供する。
【解決手段】イオン源と、多数の微細孔を有し該イオン源で発生させたイオンを微細孔からイオンビームとして引き出す引出電極と、を具備する基板加工装置を用いて基板を加工する際に、引出電極9の所定領域の微細孔10に封止部材20を挿入して所定数の前記微細孔10を塞ぐことによって基板の面内方向における加工量を調整する調整工程を実施するようにする。
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ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
【課題】複数の被処理物を同時にエッチングすることができ、且つ各被処理物の面内を均一にエッチングすることができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子を照射する荷電粒子発生部(イオン源室10)と、該荷電粒子が照射される複数の被処理物(処理基板100)を支持して回転する回転ステージ30と、荷電粒子発生部と回転ステージとの間に設けられて荷電粒子発生部から照射される荷電粒子を遮蔽する遮蔽板40とを具備し、遮蔽板を回動させて前記荷電粒子に対する前記遮蔽板40の射影の大きさを調整することにより荷電粒子発生部から被処理物に照射される荷電粒子の面内照射量を調整する。
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