【目的】 炭素反応性ガスの導入により、電子線を用いて任意の位置でカーボンナノ材料の局部除去及び切断し、任意の形状に加工することができる技術及び装置を提供する。
【構成】 炭素原子と反応する原子を含有するガスを導入し、導入量を制御装置により制御すると、ともに作業室内の導入するためのガスノズルの位置を制御ステージにより制御した状態において、加速電圧及び照射電流を調整した電子線を用いて、作業室内に設置したカーボンナノ試料に対して任意の位置に電子線を走査させ、カーボンナノ材料上に局所的に照射することで、カーボンナノ材料の原子結合構造を局所的に破壊し、局部除去及び切断し、任意の形状に加工することができる技術及び装置である。 （もっと読む）

【課題】マスク等の多段階のプロセスを使用することなく基材の表面に１ナノメートルの微細な穴あけや幅２ナノメートルの溝掘り、また、これらを組み合わせた加工を行なうことができる加工方法とそのための装置を提供する。
【解決手段】基板４を収めた反応容器５の中に、真空ポンプ等で吸引６しながらハロゲン化合物の気体をハロゲン化合物供給ノズル１から供給し、基板の表面に高い加速電圧の電子線２を照射し、さらに基板に対して電子線の照射方向の磁場３をかけることによって電子線を細く絞り、ナノメートルオーダーの微細で精密な加工を行う。 （もっと読む）

【課題】 腐食性ガス雰囲気中でプラズマエッチング加工をするために使われるチャンバー内のプラズマ雰囲気に曝される部位、部材ならびに部品の耐久性を向上させること、および腐食性ガス雰囲気中での、部材等の表面に形成した皮膜の耐プラズマエロージョン性を向上させること、さらに、高いプラズマ出力下においても、腐食生成物のパーティクルの発生を防ぐことのできるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提案すること。
【解決手段】 チャンバー内に収容した被処理体表面を、エッチング処理ガスプラズマによって加工するプラズマ処理装置において、このチャンバーのプラズマ生成雰囲気に曝される部位、このチャンバー内配設部材または部品の表面を、少なくとも、金属酸化物からなる多孔質層とその多孔質層上に形成された該金属酸化物の二次再結晶層とによって被覆する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの形状を損なうことなく不必要なレジストの現像残渣を除去することを可能とする、パターン付ガラス基板の製造方法及び装置を提供すること。
【解決手段】ガラス基板の表面にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンの表面を電気的に正極性に帯電する工程、及び前記ガラス基板及びレジストパターンの表面にガスクラスターイオンビームを照射して、前記レジストパターンの現像残渣を除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量子ドットの位置・配置を制御する方法および、該方法を用いた量子ドット半導体デバイスを提供する。
【解決手段】
半導体基板上に，第１の半導体極薄膜層あるいは自然酸化膜を形成し、走査型トンネル顕微鏡及あるいは走査型電子顕微鏡を用いて第１の半導体超薄膜層あるいは自然酸化膜を局所的に蒸発させて基板表面を露出させるまで穴を開ける工程を繰り返し、穴の周期的な配列を作製する。その後、第２の半導体超薄膜をエピ成長してから、加熱により半導体基板上に残留している第１の半導体超薄膜層あるいは自然酸化膜を、その上の第２の半導体超薄膜とともに昇華させる。最後に、第３の半導体薄膜をエピ成長することで位置・配列が制御された量子ドットを形成する方法である。さらに、位置・配列が制御された量子ドットを活性層にもつ半導体光／電子装置は新規なデバイス特性を実現する。 （もっと読む）

【課題】 被加工物と水平を保ち、かつ被加工物との間の距離が小さいステンシルマスクを提供する。
【解決手段】 スリット５を有する第一の部分4aと、被加工物と接触する面を有する第二の部分4bとからなるステンシルマスクであって、第一の部分4aは第二の部分4bより凹んでおり、かつ第二の部分4bの底面には滑材層６が形成されており、もって第二の部分4bが被加工物の表面に滑動自在に接触した状態では第一の部分4aの底面と被加工物の表面との間に空隙７ができることを特徴とするステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】 集束イオンビームにバラつきがあったり、また、シリコン界面にＰＮ接合がない場合においても、正確に制御されたトレンチ加工により、シリコン残膜厚が非常に均一なトレンチを掘る。
【解決手段】集束イオンビーム６ａにより半導体チップ裏面からシリコン基板１をエッチングしつつ、電子ビーム８ａにより得られる２次電子像を２次電子・２次イオン検出器９で検出し、電子ビーム８ａがシリコン基板１を透過し分離層５、ポリシリコン層２等の２次電子像のコントラストを画像処理装置１０により検出した時点を加工終点とする。このとき、電子ビーム８ａの加速度電圧の設定を変更することにより任意のシリコン残膜厚を得る。 （もっと読む）

【課題】材料をエッチングするためにビーム活性化気体を使用する局所ビーム処理の方法および装置を提供すること。
【解決手段】ビーム誘起エッチングに適切な化合物が開示される。本発明は、リソグラフィ・マスクの上のクロミウム材料を電子ビーム誘起エッチングするのに特に適している。一実施形態では、ＣｌＮＯ₂ガスなどの極性化合物が、石英基板上のクロミウム材料を選択的にエッチングするように、電子ビームによって活性化される。イオン・ビームの代わりに電子ビームを使用することによって、汚染およびリバーベッドなど、イオン・ビーム・マスク修復に関連する多くの問題が排除される。端点検出は必須ではないが、その理由は、電子ビームおよび気体は、基板を著しくエッチングしないからである。 （もっと読む）

【課題】被処理物に均一な密度の中性粒子ビームを照射することができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】中性粒子ビーム処理装置は、複数の孔４０が形成された構造体４２と複数の中性粒子ビーム生成機構５０とを有する中性粒子ビーム源を備えている。各中性粒子ビーム生成機構５０は、孔４０の内部のプラズマ領域Ｐにマイクロプラズマを発生させるマイクロプラズマ生成部５１と、マイクロプラズマ中のイオン１０２を中性化領域Ｎに引き出すイオン引出部５２と、引き出されたイオン１０２を中性化して中性粒子ビーム１０４を生成する中性化部５３とを有している。マイクロプラズマ生成部５１とイオン引出部５２と中性化部５３とは構造体４２に一体に形成されている。 （もっと読む）