【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は工程チャンバー１００の外部でジフルオロメタンＣＨ_２Ｆ_２、窒素Ｎ_２、及び酸素Ｏ_２ガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー１００内へ供給する。ソースガスの変更無しで酸素の供給量及びチャックの温度を調節することによって、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比とポリシリコン膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比との相対的な大きさを逆に調節する。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジ粗さを低減させて特徴をエッチングする
【解決手段】ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法が提供される。層の上に、フォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、パターン形成される。複数のサイクルを実施することによって、フォトレジスト特徴の側壁の上に、厚さ１００ｎｍ未満の側壁層が形成される。各サイクルは、単分子層から２０ｎｍまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させることを含む。フォトレジスト特徴を通して、層内に特徴がエッチングされる。フォトレジスト層および側壁層は、剥ぎ取られる。 （もっと読む）

【課題】被加工材とレジストのエッチングの選択比を高くすることのできるエッチング方法、、このエッチング方法により加工されたサファイア基板、及び、このサファイア基板を備える発光素子を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法であって、被加工材上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンが形成された前記レジスト膜を所定の変質用条件にてプラズマに曝し、前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、被加工材を変質用条件と異なるエッチング用条件にてプラズマに曝し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして被加工材のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ１６と、プラズマ生成アンテナ１６に高周波電力を供給する高周波電源１８と、高周波電源１８とプラズマ生成アンテナ１６との間に介在する整合回路１９と、プラズマ生成アンテナ１６を構成し、整合回路１９を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４と、複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路３０−１〜３０−４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてアンテナの長手方向の両端部間に発生する電位差を小さく抑え、それによってプラズマ電位を低く抑えると共にアンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。
【解決手段】 プラズマ処理装置を構成する平面形状が実質的にまっすぐなアンテナ３０は、二枚の矩形導体板３１、３２を同一平面上に位置するように互いに隙間３４をあけて近接させて平行に配置し、かつ両導体板の長手方向Ｘの一方端同士を導体３３で接続した往復導体構造をしている。両導体板３１、３２に高周波電流Ｉ_R が互いに逆向きに流される。かつ両導体板３１、３２の隙間側の辺に開口部３７を形成し、それを複数、アンテナ３０の長手方向Ｘに分散させて配置している。 （もっと読む）

【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置６０は、シャワーヘッド１６と、処理ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する処理ガス供給部６６と、処理ガス供給部６６からの処理ガスを流す処理ガス供給流路６４と、処理ガス供給流路６４から分岐してシャワーヘッド１６に処理ガスを供給する分岐流路６４ａ，６４ｂと、付加ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する付加ガス供給部７５と、付加ガス供給部７５からの付加ガスをシャワーヘッド１６に流す付加ガス供給流路７６とを具備し、シャワーヘッド１６は、ウエハＷの配置領域にガスを供給する第１、第２ガス導入部５１，５２と、ウエハＷの外縁よりも外側にガスを供給する第３ガス導入部５３とを有し、分岐流路６４ａ，６４ｂは第１、第２ガス導入部５１，５２に接続され、付加ガス供給流路７６は、第３ガス導入部５３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】サファイアのエッチングにおいて選択比を高めることの可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板Ｓを収容する真空槽１０と、三塩化ホウ素を含むガスで真空槽１０内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、サファイア基板Ｓが載置されるトレイ２０と、サファイア基板Ｓの端面の周囲に配置される包囲部材としてのトレイカバー２１とを備える。トレイカバー２１はトレイ２０上のうちサファイア基板Ｓ以外の部分を覆っており、その表面は、樹脂から形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法
【解決手段】フッ素ラジカルおよび酸素ラジカルなどのプラズマ生成ラジカルからＲＦストラップを保護するためにプラズマチャンバにおいて使用される、可撓性のポリマまたはエラストマを被覆されたＲＦ帰還ストラップと、プラズマ処理装置内において、粒子汚染を抑えられた状態で半導体基板を処理する方法。被覆されたＲＦストラップは、粒子の生成を最小限に抑え、被覆されていないベース・コンポーネントよりも低い浸食速度を呈する。伝導性で可撓性のベース・コンポーネント上に可撓性被覆を被覆された被覆部材は、ギャップを調整可能な静電結合プラズマリアクタチャンバ内において１つまたは２つ以上の電極の移動を可能にするように構成されたＲＦ地帰還を提供する。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置の透過窓の洗浄頻度を低減させる。
【解決手段】ＩＣＰエッチング装置１は、基板２のホルダ５が設けられた処理室３を有し、処理室３の上部には円筒形の透過窓１１が取り付けられている。透過窓１１の内周にはコーティング層２３が形成されており、透過窓１１の外側にはＩＣＰコイル２５が配置されている。基板２のエッチング時には、ＩＣＰコイル２５から電磁波が処理室３内のエッチングガスを励起させてプラズマを発生させる。プラズマ中のイオンなどは、基板２に到達して基板２上の薄膜をエッチングすると共に、コーティング層２３をエッチングする。コーティング層２３がエッチングされることで、基板２上の薄膜から放出される物質が透過窓１１の内面に付着し難くなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の低下を防止できるプラズマ供給ユニットが提供される。
【解決手段】本発明によるプラズマ供給ユニット３００はソースガスが供給される放電空間ＩＳが形成されたプラズマチャンバー３１０と、放電空間ＩＳに高周波電力を印加してソースガスを放電させる電力印加部３３０と、放電空間ＩＳに連結され放電されたソースガスが流入する流入空間ＦＳを有する流入ダクト３４０と、を含み、放電空間ＩＳを形成するプラズマチャンバー３１０の内側壁３１１は第１材質で形成され、流入空間ＦＳを形成する流入ダクト３４０の内側壁３４１は第１材質と異なる第２材質で形成される。 （もっと読む）

【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３が、第一石英板４、第二石英板５、及び、複数の石英管６によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。石英管６の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４、第二石英板５、及び、冷媒ケース１６によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５と冷媒ケース１６とは、ボルト１９をタップ１８にねじ込むことにより、固定される。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】 テーパー角度を９０度未満とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 反応性エッチングガスとしてフッ素と酸素とを真空容器１内に導入し、コイル６に高周波電力を供給して誘導結合型プラズマ７を発生し、このプラズマによって基板電極８上にエッチング部材１０として配置されたシリコンをエッチングし、基板電極８に基板電極用交流電源１１から供給する交流電力の周波数によってシリコンにエッチングされる形状を制御する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）