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Fターム[5F004BB15]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 発生室、反応室、処理室等の内部構成 (10,799) | ウエハの保持 (3,280)

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【課題】パーティクルを発生させるネジを用いず、熱効率にも優れた新規な構造のウェハ支持装置を提供する。
【解決手段】静電チャック11と薄板部材15と固定部材17とを備えて構成されるウェハ支持装置10であり、固定部材17の脚部18は、ウェハ載置領域を囲むように薄板部材に配置された開口16を貫通してその上面より上方にまで突出し、その上端から係合部19が内方に突出している。薄板部材および固定部材が静電チャックの静電吸着面に吸着固定されることにより、該薄板部材と該固定部材の係合部との間にウェハの周縁部を挟んでウェハを固定する。ウェハを上下から挟んだ状態で固定するので、通常の上向き使用だけでなく、下向きや垂直にして使用してもウェハが脱落しない。 (もっと読む)


【課題】被処理基板に対するプラズマ処理の均一化を損なうことがなく、また、プラズマ処理によって消耗したときの交換部分を極力少なくすることができるプラズマ処理装置用トレイ及びそのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置用トレイ10は、反応容器2内に設けられた基板載置台27の上面に、被処理基板11を収容した状態で載置されるトレイであって、前記基板載置台27の上面に載置されるトレイ本体101と、前記トレイ本体101に設けられた、該トレイ本体101の厚み方向に貫通する開口102と、開口102に着脱可能に装着される環状の基板保持部材と103とを備える。基板保持部材103は、開口102に係合する係合部106と、該基板保持部材103の内周縁の下部に形成された被処理基板11の下面の外周縁を支持する基板支持部105とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板用キャリアへの電気的接触を改善した要素を備える真空処理チャンバを提供する。
【解決手段】 具体的な実施例は、キャリアを支持する台を有するプラズマ処理チャンバを提供し、複数の固定ポストおよび弾性接触部が台の領域を通じて配布されている。固定ポストはキャリアへの物理的な支持を与える。一方、弾性接触部は、信頼性が高く繰り返し可能なキャリアへの多点電気的接触を提供する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置において、シングルアーム型の搬送装置を採用しつつ高スループットを実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置1の搬送装置15は、処理前のトレイ3をストック部13のカセット62の主棚部67b,68bから回転ステージ33に搬送し、回転ステージ33でのアラインメント処理後のトレイ3をカセット62の仮置き棚部67c,68cを経てプラズマ処理部11へ搬送する。また、搬送装置15は、処理後のトレイ3をプラズマ処理部11からストック部13のカセット62の主棚部67b,68bに搬送する。 (もっと読む)


【課題】サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造を形成するための第1プラズマ処理により生じる副生成物を除去するための第2プラズマ処理の時間を短縮化する。
【解決手段】基板のプラズマ処理方法において、サファイア基板をチャンバ内に配置して、BClが主体のガスに、CF、SFおよびNFのいずれかのガスを混合した混合ガスをチャンバ内に供給して、サファイア基板に対してプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する、第1プラズマ処理工程と、チャンバ内へ処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第1プラズマ処理工程の実施によりチャンバ内に付着した副生成物を除去する第2プラズマ処理工程とを含んで実施する。 (もっと読む)


【課題】トレイの表面粗さに関係なくプラズマ処理時及びその前後に基板をトレイに確実に固定することができ、しかも必要なときにはトレイから基板を容易に剥離することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板14をトレイ15上に載置し、該トレイ15を支持台13上に載置して基板14表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、シート状の基材の両面に熱剥離粘着層が設けられた熱剥離接着部材16でトレイ15と基板14を接着する。熱剥離粘着層は常温で粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイ15と基板14が確実に固定され、処理後はトレイ15を所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板14及び熱剥離接着部材16をトレイ15から容易に取り外すことができる。また、熱剥離接着部材16の両面に同じ熱剥離粘着層を設けたため、熱剥離接着部材16はトレイ15及び基板14に対して均等な接着力で接着する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減することを課題とする。
【解決手段】 トレイ15の厚み方向に貫通する基板収容孔19A〜19Dに基板2が収容される。チャンバ3内の誘電体板23は、トレイ15の下面15cを支持するとトレイ支持面28と、上向きに突出する基板載置部29A〜29Dを備え、静電吸着用電極40を内蔵している。基板収容孔19A〜19Dに収容された基板2を支持する基板支持部21の環状部74の上面74aは、基板収容孔19A〜19Dの孔壁15dの傾斜角度αよりも小さい傾斜角度βを有する。環状部74の上面74aにより基板2が線接触的又は点接触的な態様で支持される。 (もっと読む)


【課題】高電圧の高周波を基板載置電極に印加し堆積性の強い処理条件を用いて基板を処理するエッチング装置において、基板載置電極のエッジの堆積物の除去の効率を上げる。
【解決手段】本発明は真空処理容器内に被処理基板を載置し、高周波電力を印可する手段を備えた下部電極と、下部電極と対向する位置に配置され、高周波電力を印可する手段を備えた上部電極と、プラズマ処理に用いるガスを導入するガス導入機構と、真空処理容器内を所望の圧力に保持できる排気機構とを有するプラズマエッチング装置において、下部電極の外側の電極エッジ部に導体線路を形成し、プラズマクリーニング時に、この導体線路に電力供給を行い、電極エッジ部を加熱することによりプラズマクリーニングの効率化を図る。 (もっと読む)


【課題】加工速度の向上を図る。
【解決手段】レンズで集束されるガスクラスターイオンビームを用いて固体表面を加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの、照射軸に垂直な面内方向の電流密度分布の、照射軸方向の座標に対する変化のデータを実測によって取得し、その電流密度分布のデータから定められるガスクラスターイオンビームの焦点距離よりも短い照射軸方向の範囲において取得した加工対象領域の面積毎のエッチング加工速度の、照射軸方向の座標に対する変化のデータに基づいて、加工対象の固体表面を設置する照射軸方向の座標を、加工対象領域の面積毎に決定する。 (もっと読む)


【課題】処理装置内を真空にしても載置台が傾くことのない処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー内に処理ガスを導入するとともに高周波電力を印加してプラズマを形成し,被処理体にプラズマ処理などの所定の処理を行うプラズマ処理装置に,被処理体を載置する載置台と,載置台を保持する載置台固定部とを設け,載置台固定部は載置台固定部の上下にそれぞれベローズを配置し,載置台がチャンバーに対して水平に支持されるようにした。 (もっと読む)


【課題】基板昇降移送装置7の平面スペースを十分に削減して、工場のスペースの有効利用を図ること。
【解決手段】第1基板処理装置3の一側に第1姿勢切替用保持具37を備えた第1姿勢切替部材29が水平な軸心周りに揺動可能に設けられ、第2基板処理装置5の一側に第2姿勢切替用保持具49を備えた第2姿勢切替部材41が水平な軸心周りに揺動可能に設けられ、第1姿勢切替部材29の一側に立設した支持フレーム53に上下方向へ延びた無端状部材63が循環走行可能に設けられ、無端状部材63に複数の昇降用保持具69が周方向に間隔を置いて設けられたこと。 (もっと読む)


【課題】電極の加熱による湾曲変形や電極支持部材の破損を防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して被処理物9に接触させ、被処理物9を表面処理する装置であって、複数の電極31を電極31の長手方向と直交する方向に並べる。これら電極31の長手方向の両端にそれぞれ絶縁体からなる一対の電極端支持部材35を配置する。各電極端支持部材35にて、各電極31の端部を長手方向への変位を許容しつつ支持する。 (もっと読む)


【課題】プラズマの状態によらず、プラズマの均一性を容易に確保することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】上部電極434および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハWにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極434には高周波電源48および可変直流電源50が接続され、上部電極434は、電極板536と、電極板536を支持する一体構造の電極支持部材438とを有し、電極板536は、面内方向に所定の電気抵抗の分布が形成され、上部電極434の表面に所定の直流電界および高周波電界の分布を形成する。 (もっと読む)


【課題】突入電流やノイズを発生させずに加熱ランプを昇温させる。
【解決手段】加熱ランプ15を室温から昇温させる場合、室温から変更温度までは位相制御で昇温させ、変更温度から処理温度まではサイクル制御で昇温させる。処理温度から変更温度よりも低い最低温度まで降温した場合、サイクル制御によって処理温度まで上昇させる。加熱ランプのフィラメントが低抵抗の室温のときは、位相制御を用いているので突入電流が発生せず、変更温度以上のときは、サイクル制御を用いているのでノイズが発生しない。 (もっと読む)


【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー1内の基板ホルダー2上に基板9が保持され、エッチング用ガスがガス導入系3により導入される。プラズマ形成手段4に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板9の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部8は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系3により導入し、プラズマ形成用手段4によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー1内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ12は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ12は交換可能である。 (もっと読む)


【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー1内の基板ホルダー2上に基板9が保持され、エッチング用ガスがガス導入系3により導入される。プラズマ形成手段4に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板9の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部8は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系3により導入し、プラズマ形成用手段4によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー1内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ12は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ12は交換可能である。 (もっと読む)


【課題】 搬送トレイに貼付されている接着シートに基板をその全面に亘って効率よく接着できる簡単かつ低コストの接着装置を提供する。
【解決手段】 本発明の接着装置は、搬送トレイTの所定位置に貼付した接着シートAS表面に被処理体Wを載置して仮着したものを収容する脱気室と、脱気室を真空引きする真空排気手段6とを備え、脱気室には、被処理体に対向させて形成された通気孔8a、8b、8cが形成されている。この場合、通気孔は、被処理体の中央領域に対向する中央孔8aと、複数個の周辺孔8b、8cとから構成されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】被処理物をローラコンベアで移動させて表面処理する装置において、被処理物の幅方向の端部及び移動方向の端部の処理の過不足が生じるのを防止し、処理の均一性を高める。
【解決手段】被処理物9をローラコンベア30で移動方向Xに移動させる。ノズルヘッド20の吹出し口22から処理ガスを吹出し、被処理物9に吹き付け表面処理する。ローラコンベア30の幅方向Yの両側部にそれぞれ遮蔽部材40を設ける。遮蔽部材40の遮蔽面41が、被処理物9の移動領域Rの幅方向の縁を幅方向に跨ぐようにする。ローラ31を、遮蔽面41よりノズルヘッド20の側へ僅かに突出させる。 (もっと読む)


本発明は一般的に処理空間に基板を保持するための高効率静電チャックを提供する。高効率静電チャックは、高純度の熱可塑性部材内に埋設された電極を含む。具体的には、高純度の熱可塑性部材は、その中に極めて低いレベルの金属イオンが存在する高純度のポリアリールエーテルケトンを含んでもよい。高純度のポリアリールエーテルケトンは、静電チャックで使用されるポリイミドと比較して、優れた耐摩耗性、高温耐性、プラズマ耐性、腐食性化学薬品耐性、電気安定性及び強度を有する。本発明は単純化した高効率静電チャックの製造方法も提供する。
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パターン化媒体ディスクをエッチングするためのシステムが提供される。可動非接触電極を用いてスパッタエッチングを実行する。電極は、RFエネルギーをディスクに結合するべく、基板に接触しそうであるが接触しない距離まで移動する。エッチングされる材料は、金属であってよく、たとえば、Co/Pt/Crもしくは類似の金属であってよい。基板は搬送装置内で垂直に保持され、両面が順次的にエッチングされる。つまり、一面側が1つのチャンバ内でエッチングされ、その後、第2面側が次のチャンバでエッチングされる。2つのチャンバの間には遮断弁が配置されており、ディスク搬送装置はディスクをチャンバ間で移動させる。搬送装置は、たとえば磁気車輪及びリニアモーターを用いたリニア駆動式搬送装置であってよい。 (もっと読む)


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