【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１００は、高周波電力を発生させる高周波電源６と、高周波電源６から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極２と、高周波電源６とプラズマ生成電極２との間に介在し、伝送路９のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器７と、整合器７とプラズマ生成電極２との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路８とを具備し、整合器７は、プラズマとインピーダンス調整回路８とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路８によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 （もっと読む）

【課題】サファイアのエッチングにおいて選択比を高めることの可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板Ｓを収容する真空槽１０と、三塩化ホウ素を含むガスで真空槽１０内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、サファイア基板Ｓが載置されるトレイ２０と、サファイア基板Ｓの端面の周囲に配置される包囲部材としてのトレイカバー２１とを備える。トレイカバー２１はトレイ２０上のうちサファイア基板Ｓ以外の部分を覆っており、その表面は、樹脂から形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の処理空間に接する部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】処理容器２内で保持手段２２に保持された被処理体Ｗの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜７４の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜７０を形成す。これにより、カーボン膜の密着性を向上させ、しかも不要なカーボン膜を除去するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ１を所定間隔をもって起立状態でＸ方向に整列させて収容する反応処理槽１０と、反応処理槽１０の底面に設けられ、反応処理槽１０にフッ化水素ガスを供給するガス供給口１１とを備え、ガス供給口１１は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ１２を有する。フィルタ１２によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ１の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ１上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のエッチング量の均一さを悪化させずに、エッチング量を増加せしめる酸化膜除去方法及びこの方法に用いるバッチ式半導体デバイス製造装置の提供。
【解決手段】フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させる第１の工程と、この反応によって生じた反応生成物を２００℃乃至５３０℃で加熱・蒸発させて除去する第２の工程とを有するドライエッチング工程を、隣接するシリコンウェハ同士の間隔を２ｍｍ乃至５ｍｍに設定して実施する。エッチング室と、マイクロ波励起機構と、ロードロック室と、クリーンブースとで構成され、処理されるシリコンウェハの隣接するウェハ同士を２ｍｍ乃至５ｍｍの間隔で載置し得るウェハボートを有している。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対するプラズマ処理の均一化を損なうことがなく、また、プラズマ処理によって消耗したときの交換部分を極力少なくすることができるプラズマ処理装置用トレイ及びそのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置用トレイ１０は、反応容器２内に設けられた基板載置台２７の上面に、被処理基板１１を収容した状態で載置されるトレイであって、前記基板載置台２７の上面に載置されるトレイ本体１０１と、前記トレイ本体１０１に設けられた、該トレイ本体１０１の厚み方向に貫通する開口１０２と、開口１０２に着脱可能に装着される環状の基板保持部材と１０３とを備える。基板保持部材１０３は、開口１０２に係合する係合部１０６と、該基板保持部材１０３の内周縁の下部に形成された被処理基板１１の下面の外周縁を支持する基板支持部１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上を図る。
【解決手段】本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置１００は、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板２０を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部１５と、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部１２と、そのエッチングガスと酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物とを排出する排出部１６と、を備えるプロセスチャンバーを有している。その上で、前述の間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法が、より高い動作周波数で向上した入力インピーダンスを有するＲＦ電力を複数の電極に、より均一に分配するように提供される。
【解決手段】プラズマ処理システムは、電力バス及び接地バスと、正相一次電極バス及び負相一次電極バスと、正相二次電極バス及び負相二次電極バスとを含む。電力バス及び接地バスは、負相二次電極バスに、正相二次電極バスに供給されるＲＦ信号と１８０度位相がずれたＲＦ信号が提供されるように、絶縁トランスにより二次電極バスに結合される。二次電極バスは、コンデンサーにより各正相一次電極バス及び負相一次電極バスに結合される。一次電極バスのそれぞれは、真空チャンバー内の電極に結合される。一次電極バスをＲＦ接地に結合する負荷コイルが、コンデンサーと協働して、電力バスでの入力インピーダンスを調整することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体基盤に同時にアッシングまたはエッチング処理を行うのに最適な広域高周波プラズマ供給源を提供する。
【解決手段】高周波プラズマ処理室のアンテナアレイ３０は、電極アレイ３６と、各電極チューブと個別に同心円状に配置された誘電体チューブからなる誘電体チューブアレイ３６と、気密シール４０とを有している。各電極チューブの外面と、当該電極チューブに対応する誘電体チューブの内面とによって、大気圧の空洞が形成される。気密シール４０が各誘電体チューブと処理室との間にあることによって、処理室の内部を真空圧または低圧にする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第１プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 （もっと読む）

【課題】基板用キャリアへの電気的接触を改善した要素を備える真空処理チャンバを提供する。
【解決手段】 具体的な実施例は、キャリアを支持する台を有するプラズマ処理チャンバを提供し、複数の固定ポストおよび弾性接触部が台の領域を通じて配布されている。固定ポストはキャリアへの物理的な支持を与える。一方、弾性接触部は、信頼性が高く繰り返し可能なキャリアへの多点電気的接触を提供する。 （もっと読む）

【課題】高温状態のトレイによる基板の加熱を抑制する。
【解決手段】基板２の下面縁と当接可能なテーパー面２１ｅ，２１ｆを含む内周面を備える基板収容孔２１ｄが形成されたトレイ２１を用いる基板のドライエッチング方法において、基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃと静電チャック１１の基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが重なるようにトレイ２１を位置決めして所定の位置に降下させることにより、下面縁の少なくとも一部がテーパー面２１ｅ，２１ｆから離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置し、基板２が基板載置面１３ａから離れるまでトレイ２１を上昇させることにより、テーパー面２１ｅ，２１ｆと接触する基板２の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板２の中心Ｃ１を基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置合わせし、トレイ２１を所定の位置に降下させることにより、トレイ２１から離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の小型化ないし設置面積の低減を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置１は基板２を収容した搬送可能なトレイ３を収納したカセット６２を含むストック部１３を備える。トレイ３の搬送機構１５を収容した搬送部１２内に、回転ステージ３３が設けられている。ドライエッチング前のトレイ３を載置した回転ステージ３３を回転させ、ノッチ検出センサー４４によりノッチ３ｃを検出することでトレイ３の回転角度位置調整を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、シングルアーム型の搬送装置を採用しつつ高スループットを実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置１の搬送装置１５は、処理前のトレイ３をストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂから回転ステージ３３に搬送し、回転ステージ３３でのアラインメント処理後のトレイ３をカセット６２の仮置き棚部６７ｃ，６８ｃを経てプラズマ処理部１１へ搬送する。また、搬送装置１５は、処理後のトレイ３をプラズマ処理部１１からストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂに搬送する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で冷却する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０，２０２，２０４を内蔵している。トレイ１５がトレイ支持面２８に載置されると、基板載置部２９Ａ〜２９Ｄの上端面である基板載置面３１に基板２が載置される。基板２は静電吸着用電極４０，２０４により基板載置面３１に静電吸着され、トレイ１５は静電吸着用電極２０２，２０４によりトレイ支持面２８に静電吸着される。冷媒循環装置６１により誘電体板２３が冷却される。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスを用いて縦型反応炉内をクリーニングする際あるいは成膜中に粉末状の粒子が発生することを防止する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、モータ６の回転軸に固定される下部接続部５と、下部接続部５上に固定される上部接続部４と、上部接続部４上に固定されて被処理基板１０を支持するボート２とを有する上下移動可能な回転構造と、回転構造を収容する反応室を形成する反応管１と、を備え、上部接続部４を下部接続部５の熱膨張率とボート２の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置である。上部接続部４は、反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされている。 （もっと読む）