【課題】３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤は含有しておらず、研削加工を行っても表面粗さの小さい窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】耐食性を有する純度９９％以上の窒化アルミニウム焼結体であって、密度が３．２０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以上であり、Ｃａを２００ｐｐｍ以上４００ｐｐｍ以下、Ｓｉを１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、Ｃを２２０ｐｐｍ以上１５００ｐｐｍ以下含有する。窒化アルミニウム焼結体は、３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤を含有せず、緻密化を促進する物質であるＣａと阻害する物質であるＳｉおよびＣを所定量含有する。これにより、研削面において窒化アルミニウム焼結体の表面粗さを小さくすることが可能となる。その結果、研削面の表面積が小さくなり、窒化アルミニウム焼結体の耐食性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】除電構造と素子分離構造とを有するＳＯＩウエハを、従来より少ない工程で製造することができるＳＯＩウエハの製造方法の提供。
【解決手段】ＳＯＩウエハの周縁部分に活性層用半導体層および絶縁酸化膜を貫通する除電用トレンチをエッチングで形成すると同時に、当該周縁部分より内側の内側部分に上記活性層用半導体層を貫通し上記絶縁酸化膜に到達する素子分離用トレンチをエッチングで形成するトレンチ形成ステップを備え、上記トレンチ形成ステップは、上記周縁部分におけるエッチングレートが、上記内側部分におけるエッチングレートよりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価な構成であり、被処理基板におけるプラズマ処理の面内均一性を良好にすることができる被処理基板支持構造を提供する。
【解決手段】被処理基板支持構造３１は、円板状の部材であって、その上に被処理基板Ｗを載置するようにして支持する支持台３３と、円筒状の部材であって、支持台３３の下方側に一方端部が取り付けられるシャフト部３２と、支持台３３内に設けられるヒータ３６とを備える。支持台３３は、第一の熱伝導率である部材から構成されている。シャフト部３２は、第一の熱伝導率以上の第二の熱伝導率である部材から構成されている。支持台３３の内部であって、シャフト部３２の一方端部が支持台３３に取り付けられる連結部４０に対して距離を開けて連結部４０の上側に位置する部分には、第一の熱伝導率よりも低い第三の熱伝導率である断熱部４１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ１６と、プラズマ生成アンテナ１６に高周波電力を供給する高周波電源１８と、高周波電源１８とプラズマ生成アンテナ１６との間に介在する整合回路１９と、プラズマ生成アンテナ１６を構成し、整合回路１９を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４と、複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路３０−１〜３０−４とを有する。 （もっと読む）

【課題】冷媒にオゾン層破壊物質を使用せずに精度の高い温度制御が可能な温度制御装置を提供する。
【解決手段】冷媒の相変化により周囲と熱交換する熱交換部７１と、冷媒を熱交換部７１から流入し、内部の油と融合させるロータリーポンプ７３と、油に融合された冷媒をロータリーポンプ７３から流入し、油と分離させる油水分離機７４と、を備え、油と分離された冷媒を再び熱交換部７１に循環させることにより冷却機能を有する冷凍サイクルを構成する温度制御装置７０が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を抑制することができるパーティクル付着抑制方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容し且つ内部にプラズマが生じるチャンバ１１と、収容されたウエハＷを載置するサセプタ１２と、該サセプタ１２にバイアス電力を印加する第１の高周波電源１９と、サセプタ１２にプラズマ生成電力を印加する第２の高周波電源３１と、サセプタ１２に対向する上部電極３３に直流電力を印加する第２の直流電源１５とを備えるウエハＷ処理装置において、ドライエッチング処理の終了後、第２の直流電源１５は直ちに直流電力の印加を終了し、続く所定の短時間（Δｔ）に亘って第２の高周波電源３１はプラズマ生成電力を２７００Ｗから２００Ｗまで低下させてその印加を維持する一方、所定の短時間（Δｔ）の間、第１の高周波電源１９は４５００Ｗのバイアス電力の印加を維持する。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置の透過窓の洗浄頻度を低減させる。
【解決手段】ＩＣＰエッチング装置１は、基板２のホルダ５が設けられた処理室３を有し、処理室３の上部には円筒形の透過窓１１が取り付けられている。透過窓１１の内周にはコーティング層２３が形成されており、透過窓１１の外側にはＩＣＰコイル２５が配置されている。基板２のエッチング時には、ＩＣＰコイル２５から電磁波が処理室３内のエッチングガスを励起させてプラズマを発生させる。プラズマ中のイオンなどは、基板２に到達して基板２上の薄膜をエッチングすると共に、コーティング層２３をエッチングする。コーティング層２３がエッチングされることで、基板２上の薄膜から放出される物質が透過窓１１の内面に付着し難くなる。 （もっと読む）

【課題】温度設定の制御を適正化することにより温度安定待ち時間を短縮する。
【解決手段】複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置１の温度制御方法であって、プラズマ処理装置１の処理容器１０内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置６０は、シャワーヘッド１６と、処理ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する処理ガス供給部６６と、処理ガス供給部６６からの処理ガスを流す処理ガス供給流路６４と、処理ガス供給流路６４から分岐してシャワーヘッド１６に処理ガスを供給する分岐流路６４ａ，６４ｂと、付加ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する付加ガス供給部７５と、付加ガス供給部７５からの付加ガスをシャワーヘッド１６に流す付加ガス供給流路７６とを具備し、シャワーヘッド１６は、ウエハＷの配置領域にガスを供給する第１、第２ガス導入部５１，５２と、ウエハＷの外縁よりも外側にガスを供給する第３ガス導入部５３とを有し、分岐流路６４ａ，６４ｂは第１、第２ガス導入部５１，５２に接続され、付加ガス供給流路７６は、第３ガス導入部５３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電性の筒状部材を真空容器内に配置すると共に、筒状部材での微小放電を抑制するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内周面にアルマイト層３１ａが形成されたアルミニウムからなる筒状部材３１を、金属製の真空容器１２の内壁面に沿って配置すると共に、真空容器１２の内部の支持台２１、２２上に処理対象の基板Ｗを静電吸着して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空容器１２の内壁面の全周に渡って形成され、当該内壁面から突設された段差部１２ａと、段差部１２ａの上面の全周に渡って配置された弾性変形可能な金属製のチューブリング３２とを有し、チューブリング３２を介して、筒状部材３１を段差部１２ａ上に載置した。 （もっと読む）

【課題】 テーパー角度を９０度未満とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 反応性エッチングガスとしてフッ素と酸素とを真空容器１内に導入し、コイル６に高周波電力を供給して誘導結合型プラズマ７を発生し、このプラズマによって基板電極８上にエッチング部材１０として配置されたシリコンをエッチングし、基板電極８に基板電極用交流電源１１から供給する交流電力の周波数によってシリコンにエッチングされる形状を制御する。 （もっと読む）

【課題】 熱応力によるウエハ保持体の破損が生じにくく、且つ均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 埋設された発熱体２を有し、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される基板１と、この基板１に機械的に結合してこれを支持する筒状の支持体４とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、支持体４の内側には基板１の温度測定用の測温素子１１を収納する筒状体１２が設けられており、筒状体１２の内側は大気雰囲気であり且つ支持体４の内側の雰囲気から隔離されている （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、金属膜をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト７、無機材料の中間層８、上層フォトレジスト９を形成し、上層フォトレジスト９をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板１をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第１反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第１反応ガスを第２反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層８をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第２反応ガスを第３反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層７をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低マイクロ波電力から高マイクロ波電力の広範囲において、安定的なプロセス領域を確保できるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域にて、プラズマの生成を容易にするとともに前記容易に発生させられたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、オンとオフを繰り返すパルス放電により前記プラズマを容易に生成し、前記パルス放電を生成する高周波電力のオン期間の電力は、前記連続放電によるプラズマの生成が容易になる電力とし、前記パルス放電のデューティー比は、前記高周波電力の一周期あたりの平均電力が前記連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域の電力となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）