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Fターム[5F004BB23]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 発生室、反応室、処理室等の内部構成 (10,799) | ウエハの保持 (3,280) | ウエハ周囲のカバー (395)

Fターム[5F004BB23]に分類される特許

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【課題】プラズマの逆流を抑制して冷却板の損傷を防ぐことができるとともに、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板3は、プラズマ処理装置1内においてウエハ8(被処理基板)と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板であって、厚さ方向に貫通する通気孔11が複数設けられてなり、その通気孔11は、ウエハ8と対向する放電面30a側に、厚さ方向に対して斜めに形成された傾斜孔部21を有し、放電面30aには、傾斜孔部21の開口端部を切り欠く凹部23が形成されており、傾斜孔部21の傾斜方向に沿う断面において、その傾斜孔部21の180°対向する二つの周縁21A,21Bと傾斜孔部21に交差する凹部23の切欠面24とのなす角度が、両周縁部で同じ角度に設定されている。 (もっと読む)


【課題】冷媒にオゾン層破壊物質を使用せずに精度の高い温度制御が可能な温度制御装置を提供する。
【解決手段】冷媒の相変化により周囲と熱交換する熱交換部71と、冷媒を熱交換部71から流入し、内部の油と融合させるロータリーポンプ73と、油に融合された冷媒をロータリーポンプ73から流入し、油と分離させる油水分離機74と、を備え、油と分離された冷媒を再び熱交換部71に循環させることにより冷却機能を有する冷凍サイクルを構成する温度制御装置70が提供される。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法を提供する。
【解決手段】本方法はプラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供する工程を含んでおり、堆積バリアはプラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置されるように設計されており、プラズマがプラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を堆積バリアに付着させ、プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法
【解決手段】フッ素ラジカルおよび酸素ラジカルなどのプラズマ生成ラジカルからRFストラップを保護するためにプラズマチャンバにおいて使用される、可撓性のポリマまたはエラストマを被覆されたRF帰還ストラップと、プラズマ処理装置内において、粒子汚染を抑えられた状態で半導体基板を処理する方法。被覆されたRFストラップは、粒子の生成を最小限に抑え、被覆されていないベース・コンポーネントよりも低い浸食速度を呈する。伝導性で可撓性のベース・コンポーネント上に可撓性被覆を被覆された被覆部材は、ギャップを調整可能な静電結合プラズマリアクタチャンバ内において1つまたは2つ以上の電極の移動を可能にするように構成されたRF地帰還を提供する。 (もっと読む)


【課題】サファイアのエッチングにおいて選択比を高めることの可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板Sを収容する真空槽10と、三塩化ホウ素を含むガスで真空槽10内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、サファイア基板Sが載置されるトレイ20と、サファイア基板Sの端面の周囲に配置される包囲部材としてのトレイカバー21とを備える。トレイカバー21はトレイ20上のうちサファイア基板S以外の部分を覆っており、その表面は、樹脂から形成されている。 (もっと読む)


【課題】エッチング量が均一であり、エッチング時のウェハの温度を常温と低温の両方に設定できるドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング対象のウェハ6と同じ材料からなり、クランプ7に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ6の周囲を取り囲むように設けられ、ウェハ6と共にエッチングされる常温エッチング用ダミーウェハ10と、エッチング対象のウェハ6と同じ材料からなり、クランプ7に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ6の周囲を取り囲むように設けられ、クランプ7とウェハ6間に介在してウェハ6を下部電極4に固定すると共に、ウェハ6と共にエッチングされる低温エッチング用ダミーウェハ11と、を備え、いずれかのダミーウェハ10,11を用いてエッチングを行うものである。 (もっと読む)


【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の表面における縁部を除く領域に凹凸形状を形成する。
【解決手段】基板の処理面の周縁部を選択的に覆うように配され、前記真空容器における前記ガス供給部側の内壁から前記基板ステージに向かって延在している延在部120と、前記基板の処理時において、前記ガス供給部と前記延在部と前記基板の処理面とで囲まれた第1の空間101と前記第1の空間より外側の第2の空間102とが互いに分離されるように前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を近づけ、前記基板の交換時において、前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を遠ざける距離調整機構20と、第1の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第1の空間を減圧する第1の排気口12と、第2の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第2の空間を減圧する第2の排気口140とを備える。 (もっと読む)


【課題】SiC膜を下地膜としてSiOC系のLow−k膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第1の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第2の高周波電源90を接続し、第2の高周波電源90に制御器95を設け、制御器95は、パワー変調するパワー変調モードで動作させる際、プラズマ着火時に、最初に前記第2の高周波電源90を同一パワーで連続的に高周波電力を供給するモードで動作させ、その後パワー変調モードに切り換えるように制御する。 (もっと読む)


【課題】特定のイオン種洗浄ガスから除外する洗浄チャンバ、簡単に交換又は再調整できるチャンバ構成部品、基板汚染を抑え均等な加熱を可能にする基盤加熱台座部を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバ24は、例えば消耗セラミックライナ60、基板加熱台座部80及び処理キット114等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザ52のガス出口チャネル62を基板洗浄チャンバのガス入口チャネル40に接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボール90が位置決めされた基板受け面を有する環状プレート82を備える。処理キットは、トッププレート116、トップライナ118、ガス分散プレート120、ボトムライナ122及びフォーカスリング124を備える。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理チャンバ内の基材を処理する方法が提供される。
【解決手段】基材306は、チャック308の上方に配置され、エッジリング316によって囲まれる。エッジリングは、チャックから電気的に絶縁される。方法は、RF電力をチャックに提供することを含む。また、方法は、可変静電容量装置を提供することを含む。可変静電容量装置は、エッジリングにRF結合を提供するためにエッジリングに結合されて、エッジリングにエッジリング電位を持たせる。方法は、さらに、基材を処理するためにプラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生することを含む。基材を処理する間に可変静電容量装置がエッジリング電位を基材のDC電位に動的な同調を可能ならしめるように構成されて、基材が処理される。 (もっと読む)


【課題】撓みによって生じる搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる搬送装置及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】筐体内へ被搬送物を搬送する搬送装置である。搬送装置は、搬送アーム52、アーム軸53、複数の電磁石50及び制御部40を備えている。搬送アームは、被搬送物を載置するピック部52bを先端に有し、水平方向に伸縮する。アーム軸53は、搬送アーム52を支持する。複数の電磁石50は、筐体内部に磁場を発生させることにより搬送アーム52に上昇方向の力を作用させる。制御部40は、搬送アーム52が水平方向に伸縮する際にアーム軸53から搬送アーム52先端までの長さが長くなるほど搬送アーム52に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石50を制御する。 (もっと読む)


【課題】純粋化学エッチング並びにRIEエッチングにおいてエッチング速度の均一性向上のための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法において、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第1プラズマをストライク処理するステップを含む。この方法はさらに、基板上の複数層を第1エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リング302を設置するステップとを含む。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第2プラズマをストライク処理するステップを含む。方法はさらに、基板上の複数層を第2エッチングステップでエッチングするステップをむ。第1ステップのエッチングと第2ステップのエッチングとは実質的に均等である。 (もっと読む)


【課題】省電力モードからの復旧を従来装置より迅速にするとともに、復帰後における良好な基板処理を実現する。
【解決手段】処理チャンバ11と、処理チャンバ11内に処理ガスを供給するガス供給装置20と、処理チャンバ11内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部25と、処理チャンバ11を加熱するヒータ14a,14bと、制御装置40とを備え、プラズマによって処理チャンバ11内の基板を処理するプラズマ基板処理装置であって、制御装置40は、ヒータ14a,14bへの電力供給を低減または停止させた状態にし、かつプラズマ生成部25への電力供給を停止させた状態とする省電力モード実行部47と、ヒータ14a,14bへの電力供給を復帰させるとともに、プラズマ生成部25への電力供給をして、処理チャンバ11の内部温度を基板処理に適した温度に上昇させる復帰モード実行部48とを備える。 (もっと読む)


【課題】リング状シールド部材の構成部品と基板載置台との間の隙間の発生を防止するとともに、構成部品の破損を防止することができるリング状シールド部材を提供する。
【解決手段】シールドリング15は4つのリング構成部品41〜44からなり、各リング構成部品41〜44の長手方向に関する固定端には全方位移動規制部45が設けられ、一方向移動許容部46が全方位移動規制部45から離間して設けられ、例えば、一のリング構成部品41の固定端41aの端面が、隣接する他のリング構成部品43の自由端43bの側面に当接し、一のリング構成部品41の自由端41bの側面が、隣接する別のリング構成部品44の固定端44aの端面に当接するように、各リング構成部品41〜44が組み合わせられている。 (もっと読む)


【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Wを載置させる載置台11は、所定の温度に温度調節される載置台本体12と、載置台本体12の上部に配置された、基板Wを吸着するための静電チャック13を備え、静電チャック13の上面に、中央に配置される第1の熱伝達用ガス拡散領域47と、周縁部に配置される第2の熱伝達用ガス拡散領域48とが形成され、第1の熱伝達用ガス拡散領域47に熱伝達用ガスを供給する第1の熱伝達用ガス供給部51と、第2の熱伝達用ガス拡散領域48に熱伝達用ガスを供給する第2の熱伝達用ガス供給部52とを備え、第1の熱伝達用ガス拡散領域47と第2の熱伝達用ガス拡散領域48において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第2の熱伝達用ガス拡散領域48は、静電チャック13の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 (もっと読む)


【課題】フィーチャの微細化や基板サイズの大型化に対応し、プラズマの密度や基板面にわたる均一性のためのプラズマのパラメータの制御が可能となる装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバは、大気負荷を中立化するように構成されたカンチレバー組立体を含む。前記チャンバは壁を含み、前記壁は、内部領域を囲み、かつ、該壁に形成された開口部を有する。前記カンチレバー組立体は、前記チャンバ内で基板を支持する基板体を含む。前記カンチレバー組立体は、一部分が前記チャンバの外に配置されるように開口部を通って伸びている。前記チャンバは、前記壁に対して相対的に前記カンチレバー組立体を動かすように動作する駆動機構を含む。 (もっと読む)


【課題】Mo層上に積層されたAlN層のエッチングにおいて、Mo層のエッチングを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及び誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置10は、エッチング対象を収容する真空槽11と、誘導アンテナ19、アンテナ用高周波電源RF2、及びバイアス用高周波電源RF1から構成され、エッチング対象に引き込まれるプラズマを生成するプラズマ生成部とを備えている。エッチング対象は、下部Mo層上に積層されたAlN層であり、プラズマ生成部は、Nガスからプラズマを生成する。 (もっと読む)


【課題】試料台カバーの温度を安定させ、試料台カバーから発生するガス量を安定させることで、プラズマ処理性能の経時変化が小さいプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の下部に配置されプラズマに面してその上面にプラズマを用いた処理対象の試料Wが載置される試料台207を備え、この試料台207が、試料Wの載置される面の外周側にこれと段差を有して配置され誘電体製のリング状部材301が配置される凹み部及びこのリング状部材301の下方に配置されこれを加熱する手段315とを有し、リング状部材301の外周側上方に配置されて試料台207と連結されリング状部材301を下方に押し付けて位置決めする金属製の部材303,304と、凹み部の上面とリング状部材301の下面との間のすき間に熱伝達性ガスを供給する手段308とを備える。 (もっと読む)


【課題】エッチング処理装置用のシリコン製部品に使用するシリコン廃材の選定を適正化する。
【解決手段】エッチング処理装置内に配置されるシリコン製部品をシリコン廃材から再生して製造するエッチング処理装置用のシリコン製部品の製造方法であって、シリコン廃材の不純物を測定する工程と、測定された不純物含有量と目標値に基づきシリコン廃材、シリコン原料、ドープ材の投入量を算出する工程と、算出された投入量のシリコン廃材、シリコン原料、ドープ材をるつぼに投入し、溶解する工程と、前記溶解された材料を冷却して固める工程と、前記固められた材料の少なくとも上面を含む部分を切除して多結晶シリコンを生成する工程と、前記生成された多結晶シリコンから前記シリコン製部品を製造する工程と、を含むことを特徴とするシリコン製部品の製造方法。 (もっと読む)


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