【課題】プラズマ生成空間から処理空間に進入するプラズマの光エネルギーを低下させ、生産性を向上することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係るプラズマ処理装置は、被処理物を載置する載置部１０３を有する処理容器１０１と、前記被処理物Ｗを処理するためにプロセスガスを活性化してプラズマを生成するプラズマ生成部６と、前記プラズマを生成した空間と前記被処理物を処理する空間７の間に設けられた遮光部８とを備え、前記遮光部は、内壁部に遮光面を持つ開口部を有し、前記プラズマの光が前記遮光面に遮られることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で効率良く処理チャンバ内パーツを加熱することのできる半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に基板を収容し、基板に所定の処理を施す半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられた処理チャンバ内パーツを加熱する半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法であって、第１の処理チャンバ内パーツを透過し、第１の処理チャンバ内パーツとは異なる材料からなる第２の処理チャンバ内パーツに吸収される波長域の加熱用の光を発生させる加熱用光源を処理チャンバの外側に配設し、加熱用の光を第１の処理チャンバ内パーツを透過させて第２の処理チャンバ内パーツに照射し、第２の処理チャンバ内パーツを加熱する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。
【解決手段】真空成膜装置において、クリーニング時において加熱機構の外周を不活性ガスで覆うことによって、反応性に高いクリーニングプラズマあるプラズマによって発生するラジカルが加熱機構に接触しないようにし、これによってクリーニング処理により劣化や腐食を防ぐ。保護機構は、ヒータの周囲空間に不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を備え、クリーニング時に不活性ガスを導入して加熱機構をクリーニングガスプラズマ又はラジカルから空間的に分離してヒータを保護する。 （もっと読む）

【課題】スループットが高く、かつ被処理基板の回転にともなうパーティクルの発生および熱ストレスによるポリマーの剥がれの発生を抑制しつつ被処理基板の周縁部に環状に付着したポリマーを除去すること。
【解決手段】被処理基板Ｗの周縁部に環状に付着したポリマー２を除去するポリマー除去装置であって、周縁部に環状にポリマーが付着した被処理基板Ｗを収容する処理容器１１と、被処理基板Ｗを載置する載置台１２と、被処理基板Ｗに環状に付着したポリマー２にリング状レーザー光を一括照射するレーザー照射部２０と、被処理基板Ｗに環状に付着した前記ポリマーにオゾンガスを供給するオゾンガス供給機構１５，１９と、オゾンガスを排気する排気機構２３，２４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】反応炉内の被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理装置において、反応炉内の熱容量を低く抑え、且つ、炉内温度の昇降応答性能を向上することのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ５は、石英ガラスにより形成され、前記被処理基板Ｗの周囲を囲む第１のベルジャ７と、第１のベルジャ７の外側を覆うと共に、第１のベルジャ７との間に所定の空間層８を形成する第２のベルジャ９と、空間層８のガスを給排することにより所定の気圧を形成する第１の気圧調整手段１５，１６と、チャンバ５内のガスを給排することにより所定の気圧を形成する第２の気圧調整手段２，２４と、前記気圧調整手段の駆動制御を行う制御手段２１と、前記空間層８の気圧を検出し、検出信号を制御手段２１に出力する第１の気圧センサＳ１と、チャンバ５内の気圧を検出し、検出信号を制御手段２１に出力する第２の気圧センサＳ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】汚染や紫外線の影響を極力低減させた、低温プラズマを用いた水素ラジカル発生装置を提供する。
【解決手段】低温プラズマを用いて水素ラジカルＲを生成し、この水素ラジカルを被処理物Ｍに照射するダウンフロー型の水素ラジカル発生装置２０において、低温プラズマを生成するプラズマ生成室２１と、被処理物Ｍとプラズマ生成室２１との間に設けられた少なくとも一つの紫外線遮蔽板１とを備え、紫外線遮蔽板１には、プラズマに含まれる紫外線ＵＶは直接照射されるとともに、プラズマに含まれる水素ラジカルＲは通過して前記プラズマ生成室２１から被処理物Ｍに供給される流路が設けられる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを用いることなく薄膜を加工することができる加工方法及び半導体装置の作製方法を提供する。特に、容易に薄膜を加工できる方法及び加工後の薄膜の不良を防止する方法及び半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に光吸収層を形成し、光吸収層にレーザビームを選択的に照射して、レーザビームが照射された領域の光吸収層を除去する。残存する光吸収層に一導電型を付与する不純物元素又は不活性元素を添加して、光吸収層の引っ張り応力をレーザビームの照射前よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】中性化手段の損傷及び異物の生成を防止する中性ビームを用いるエッチング装置を提供する。
【解決手段】複数のグリッド１２によりプラズマから抽出されたイオンビームを、電子との衝突によって中性ビームに変換させる電子放出部１３を備えることによって、イオンビームが電子放出部１３に物理的に衝突するのを防止し、イオンビームを、方向性及びエネルギーの損失を招くことなく、高い中性化効率で中性ビームに変換させ、大面積の中性ビームを生成して半導体ウエハを均一にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する基板を用いて半導体装置の大量生産を行う場合、ステッパを製造プロセスに用いない半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜に対して、光制御手段、具体的には電気光学装置を介してレーザ光の照射を選択的に行ってアブレーションを生じさせることで薄膜を部分的に除去し、残存させた領域の薄膜を所望の形状とする。電気光学装置は、半導体装置の設計ＣＡＤデータに基づく電気信号を入力することで可変のマスクとして機能する。 （もっと読む）

【課題】光を照射する光源を真空チャンバー内に設置または導入し、真空チャンバー内壁部並びに使用部材に照射することで、チャンバー内壁並びに使用部材等に吸着した有機物などの汚染を取り除く事が出来る真空チャンバー内汚染除去装置に関する。
【解決手段】
真空チャンバー内の内壁部または使用部材に向けて光を照射する光源を有し、
前記光源より照射する光の波長が１２０〜３６０ｎｍであることを特徴とする真空チャンバー内汚染除去装置。 （もっと読む）

【課題】
処理容器内のプラズマ発光分布を正確に測定することのできるプラズマ発光測定システムを提供する。
【解決手段】
真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを導入するガス導入手段５と、試料を載置し前記処理室内に保持する試料台６と、真空処理室に導入した処理ガスに電磁エネルギを印加してプラズマを生成する電磁エネルギ印加手段２とを備えたプラズマ処理装置におけるプラズマ発光を測定するプラズマ発光測定システムであって、観測窓を有し該観測窓に入射するプラズマ光を受光する受光部１３と、受光したプラズマ光を分光する分光器１７と、該分光器の分光出力を蓄積または解析するコンピュータ１８を備え、前記受光部１３は、真空処理室内に回転可能に配置されその受光方向は少なくとも前記試料台の中心部からその一方の周辺部までの範囲で調整可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】 光の強度低下に対する処置を容易にした終点検出装置及びドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】 密閉可能なチャンバ１０を有するドライエッチング装置１００の当該チャンバ１０内でのエッチング処理の終点を検出する終点検出装置であって、チャンバ１０の壁部に設けられた検出窓３０と、チャンバ１０の外側から検出窓３０を通してその内側へ光を投射するために当該チャンバ１０の該外側に配置された発光部５０と、チャンバ１０の内側から検出窓３０を通してその外側へ反射してくる光を検出するために当該チャンバ１０の該外側に配置された検出部６０と、検出部６０で得られる光の強度が最適値となるときの当該検出部６０及び発光部５０のそれぞれの配置位置を探索し、探し当てた配置位置に検出部６０と発光部５０とをそれぞれ移動させるコントローラ７０と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 基材の裏面外周部の不要膜を表側の膜に影響を与えることなく除去する。
【解決手段】 ステージ１０上にウェハ９０を外周部が突出するようにして支持する。輻射加熱器２０から熱光線をウェハ９０の裏面外周部に向かって収束するように照射し、この基材裏面外周部を局所加熱する。この局所加熱された部位の近傍の反応性ガス吹出し口３０ｂから不要膜除去のための反応性ガスを吹出す。 （もっと読む）