【課題】半導体ウエハ等の試料の処理の歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】ロック室の後方に相互に連結され減圧された内部を前記ウエハが搬送される真空搬送室の容器の並びと、前記真空搬送室の容器の間に配置され前記ウエハが内部に載せられて収納される中間室と、前記真空搬送室の容器の各々の左右方向のいずれかの側の側壁に連結され内部で前記ウエハが処理される処理容器を含む複数の処理ユニットと、これらの処理ユニットを連結するバイパス路を構成するバイパス室とを備え、前記複数の真空搬送室の容器は、前記ロック室から前記複数の処理ユニットのいずれかに向けて搬送される前記ウエハまたは前記複数の処理ユニットの何れかで処理された後に前記バイパス室を通り別の処理ユニットで処理されて前記ロック室へ向けて搬送される前記ウエハのいずれかのみが搬送される。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理物の大型化に対応して吹出ノズルが長大化しても、吹出ノズルのメンテナンスを容易に行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の吹出ノズル２は、吹出口２ｃを有して巾方向Ｗに延びている。吹出ノズル２は、巾方向Ｗの第１側の第１分割ノズル１０と、巾方向Ｗの第２側の第２分割ノズル２０とに分割されている。分割ノズル１０，２０どうしの接合面３０が、巾方向Ｗに互いにずれた一対の当接面３１，３２を有し、これら当接面３１，３２間に段差３３が形成されている。分割ノズル１０，２０が、それぞれ吹出口２ｃを挟んで搬送方向Ｙの両側の一対の分割ノズル部材１１，１２，２３，２４に分割されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と発熱反応を起こすガスをエッチングガスとして用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ロードロック室と、大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、アンロードロック室と、前記ロードロック室から前記エッチング室を経て前記アンロードロック室にまで、半導体基板を収容したトレーを搬送する搬送機構とを有する半導体基板の表面エッチング装置を提供する。前記ロードロック室、前記エッチング室および前記アンロードロック室は、一方向に配列して構成される。前記エッチング室は、前記半導体基板の表面にプラズマにより活性イオンとすることなくエッチングガスを噴射する複数の第１開口部と、前記半導体基板の表面に冷却ガスを噴射する複数の第２開口部とを備え、前記第１開口部と前記第２開口部とが、前記搬送方向に沿って繰り返して配置されている。 （もっと読む）

【課題】撓みによって生じる搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる搬送装置及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】筐体内へ被搬送物を搬送する搬送装置である。搬送装置は、搬送アーム５２、アーム軸５３、複数の電磁石５０及び制御部４０を備えている。搬送アームは、被搬送物を載置するピック部５２ｂを先端に有し、水平方向に伸縮する。アーム軸５３は、搬送アーム５２を支持する。複数の電磁石５０は、筐体内部に磁場を発生させることにより搬送アーム５２に上昇方向の力を作用させる。制御部４０は、搬送アーム５２が水平方向に伸縮する際にアーム軸５３から搬送アーム５２先端までの長さが長くなるほど搬送アーム５２に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石５０を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する異物粒子数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、被処理体を処理するための処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給手段と、被処理体を戴置するための戴置電極と、前記処理室を減圧するターボ分子ポンプと、前記処理室の圧力を調整するために前記ターボ分子ポンプと前記処理室の間に設置されたバタフライバルブとを有する半導体製造装置において、前記バタフライバルブのフラッパーに異物粒子落下防止用のストッパーを設置した。 （もっと読む）

【課題】リング状シールド部材の構成部品と基板載置台との間の隙間の発生を防止するとともに、構成部品の破損を防止することができるリング状シールド部材を提供する。
【解決手段】シールドリング１５は４つのリング構成部品４１〜４４からなり、各リング構成部品４１〜４４の長手方向に関する固定端には全方位移動規制部４５が設けられ、一方向移動許容部４６が全方位移動規制部４５から離間して設けられ、例えば、一のリング構成部品４１の固定端４１ａの端面が、隣接する他のリング構成部品４３の自由端４３ｂの側面に当接し、一のリング構成部品４１の自由端４１ｂの側面が、隣接する別のリング構成部品４４の固定端４４ａの端面に当接するように、各リング構成部品４１〜４４が組み合わせられている。 （もっと読む）

【課題】少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体製造装置は、ステージＳＴ、複数のピン７０、及び駆動部を備えている。ステージは載置面ＰＦを含む。載置面は、被処理基体Ｗを載置するための第１の領域Ｒ１、及び、フォーカスリング１８を載置するための第２の領域Ｒ２を有する。第２の領域は、第１の領域を囲むように、設けられている。ステージには、複数の孔１４ｈが形成されている。複数の孔は、第１の領域と第２の領域との境界を通って載置面に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面７０ａ、及び、第２の上端面７０ｂを有している。第２の上端面は、第１の上端面よりも上方に設けられており、当該第１の上端面よりも第１の領域の側に偏位している。 （もっと読む）

【課題】気体の供給効率を低下させることなく、微細粒子を大きさに関わりなく除去することができる気体清浄化装置を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０におけるローダーモジュール１４は、搬送室１５の内部空間に大気の下降流を形成するファンフィルタユニット２０を備え、ファンフィルタユニット２０は、大気流を生じさせるファン２１と、大気流に混在するパーティクルを捕捉して除去するフィルタ２２と、ファン２１及びフィルタ２２の間に配される照射ヒータ２３とを備える。気体流上に位置し且つフィルタ２２よりも温度が高い少なくとも１つの高温部を、気体流に混在する微細粒子に対して熱泳動力を作用させることによりフィルタ２２に対する移動力を大きくすることができるように、気体流が流れる方向と直交する方向から気体流に向けて照射ヒータ２３から放射熱を照射することによって形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のエッチング量の均一さを悪化させずに、エッチング量を増加せしめる酸化膜除去方法及びこの方法に用いるバッチ式半導体デバイス製造装置の提供。
【解決手段】フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させる第１の工程と、この反応によって生じた反応生成物を２００℃乃至５３０℃で加熱・蒸発させて除去する第２の工程とを有するドライエッチング工程を、隣接するシリコンウェハ同士の間隔を２ｍｍ乃至５ｍｍに設定して実施する。エッチング室と、マイクロ波励起機構と、ロードロック室と、クリーンブースとで構成され、処理されるシリコンウェハの隣接するウェハ同士を２ｍｍ乃至５ｍｍの間隔で載置し得るウェハボートを有している。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にＣＶＤによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてＣｌＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、ＣＶＤによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板を載置台にフラットに載置することが可能であり、かつ、静電チャックによる吸着を解除して基板を載置台から持ち上げる際、基板に異常放電を発生し難くすることができる基板受け渡し方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｇを基板載置面４ｃの上方にて、第１の昇降ピン８ａと、第１の昇降ピン８ａよりも低い位置の第２の昇降ピン８ｂとにより支持した基板Ｇを下降させ、基板Ｇを、基板Ｇの中央部から基板載置面４ｃに載置させる基板載置工程と、基板載置面４ｃに載置された基板Ｇを静電チャック４１により吸着して、基板Ｇにプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理終了後、静電チャック４１による吸着を解除し、第１の昇降ピン８ａと第２の昇降ピン８ｂとを同じ高さとして基板Ｇを支持し、基板Ｇを基板載置面４ｃから離脱させる基板離脱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】カセット内のウェハを処理装置に搬送して処理する際、搬送したウェハに各カセットとも共通な真空処理を施すカセットの並列処理、１つのカセット内に収納された複数のウェハに共通の真空処理を施す真空処理室の並列処理等のいずれかを選択的に施す。
【解決手段】ウェハを前記真空処理室に搬送し、真空処理されたウェハを搬出する制御を行う制御手段とを備え、制御手段は、少なくとも２つのカセットを使用し、各カセットに収納されたウェハを各カセット毎に対応する真空処理室に搬送し、各カセット毎に割り付けられ各カセットとも共通な真空処理を施すカセットの並列処理と、１つのカセット内に収納された複数のウェハを複数の真空処理室へ順次搬送し、前記順次搬送された複数のウェハに共通の真空処理を施す真空処理室の並列処理とを備え、ウェハ供給停止、カセット供給停止、実行中の真空処理等の動作を停止するサイクル停止、実行中のカセットの真空処理の動作を全て即時停止する即停止の何れかにより実行中の処理を終了させる。 （もっと読む）

【課題】
試料への汚染を抑制して処理の効率を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置された処理室内部に備えられその上方に処理対象の基板状の試料が載せられる試料台を有し、前記処理室内に生成したプラズマを用いて複数枚の前記試料を連続して処理するプラズマ処理装置であって、前記試料の処理の間の時間に前記試料台の温度を前記試料の処理中の温度より高い所定の値に調節するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置１１におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置１１への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅のガスを用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供すること。
【解決手段】大気圧以下に減圧可能な反応室と；反応室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅からなる群から選ばれる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む冷却ガスを噴射するノズルと、大気圧以下に減圧可能な洗浄室と；洗浄室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、純水、フッ化水素水からなる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む乾燥ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をエッチングして穴部を形成する際に、穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるとともに、高速にシリコン層をエッチングできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の上方にレジスト層が形成されてなる被処理基板が設置されている処理容器内に、酸素ガスとフッ化硫黄ガスとを含んだエッチングガスを所定の流量で供給し、供給したエッチングガスをプラズマ化したプラズマにより、シリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ化硫黄ガスの流量に対する酸素ガスの流量の流量比を第１の流量比とした状態でエッチングする第１のステップＳ１と、流量比が第１の流量比から第１の流量比よりも小さい第２の流量比になるように、酸素ガスの流量を減少させながらエッチングする第２のステップＳ２と、流量比を第２の流量比とした状態でエッチングする第３のステップＳ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板背面に形成された各種異物を取り除くためのプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、非反応性ガスが噴射される第１電極３０と、第１電極３０との離隔を調整可能であり、基板５０を支持する基板支持台２０と、基板支持台２０と離隔配置され、電源７０が印加されて反応性ガスが噴射されて、基板支持台２０によって支持された基板５０との間にプラズマを生成させる第２電極４０と、により構成される。基板支持台２０は、少なくとも一つのアーム２１を備え、基板の安定した搭載を保障する。 （もっと読む）