【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ１６と、プラズマ生成アンテナ１６に高周波電力を供給する高周波電源１８と、高周波電源１８とプラズマ生成アンテナ１６との間に介在する整合回路１９と、プラズマ生成アンテナ１６を構成し、整合回路１９を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４と、複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路３０−１〜３０−４とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】サファイアのエッチングにおいて選択比を高めることの可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板Ｓを収容する真空槽１０と、三塩化ホウ素を含むガスで真空槽１０内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、サファイア基板Ｓが載置されるトレイ２０と、サファイア基板Ｓの端面の周囲に配置される包囲部材としてのトレイカバー２１とを備える。トレイカバー２１はトレイ２０上のうちサファイア基板Ｓ以外の部分を覆っており、その表面は、樹脂から形成されている。 （もっと読む）

【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程チャンバと真空ポンプの間に位置し、低圧プラズマを生成して工程チャンバから排出される汚染物質を除去するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】プラズマ反応器３１０は、内部にプラズマ生成空間を形成する少なくとも１つの誘電体３０と、誘電体３０の少なくとも一端に連結する接地電極４１，４２と、誘電体３０の外周面に固定され、交流電源部６０と連結して交流駆動電圧が印加される少なくとも１つの駆動電極５０と、を含み、接地電極４１，４２は、プラズマ反応器３１０の長さ方向に沿って非均一直径を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。
【解決手段】イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの密度及び均一性の向上を図るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓｂを収容する処理室５０を有する真空槽１１と、電磁波を処理室５０へ出力する高周波アンテナ２０と、高周波アンテナ２０と処理室５０との間に介在し、電磁波の導入口となる誘電体窓１２とを備えたプラズマ処理装置において、誘電体窓１２には、電磁波を処理室５０に導入する窓部と、窓部よりも厚い補強部とが一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】排気効率の低下を防止することができる粒子捕捉ユニットを提供する。
【解決手段】パーティクルＰが飛来する空間に晒されるパーティクルトラップユニット４０を構成する第１のトラップユニット４０ａは、複数の第１のステンレス鋼４４ａからなる第１のメッシュ状層４４と、複数の第２のステンレス鋼４５ａからなる第２のメッシュ状層４５とを備え、第１のステンレス鋼４４ａの太さは第２のステンレス鋼４５ａの太さよりも小さく、第１のメッシュ状層４４における第１のステンレス鋼４４ａの配置密度は第２のメッシュ状層４５における第２のステンレス鋼４５ａの配置密度よりも高く、第２のメッシュ状層４５は第１のメッシュ状層４４及びパーティクルＰが飛来する空間の間に介在し、第１のメッシュ状層４４及び第２のメッシュ状層４５は焼結によって焼き固められて互いに接合している。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で均一なプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置１００は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部２と、一端がマイクロ波発生部２と接続された第１の導波管３と、第１の導波管３のマイクロ波発生部２と接続された側とは反対の側に接続された第２の導波管４と、を備えている。第２の導波管４は、円環状のスロット５が設けられたＨ面と、Ｈ面に対して垂直な方向に伸びるＥ面と、を有している。Ｈ面に対して垂直な方向における第１の導波管３の断面寸法Ｌｈ１と、第２の導波管４の断面寸法Ｌｈ２と、は、同じとされ、Ｅ面に対して垂直な方向における第２の導波管４の断面寸法は、第１の導波管３の断面寸法よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】改善されたウエハ領域圧力制御を提供するプラズマ処理室を実現する。
【解決手段】プラズマ処理室は、プラズマを発生し維持するために接続される装置を持つ真空チャンバである。この装置の一部は、エッチング用ガス源および排気口である。閉じ込めリングはウエハ上の領域を定義する。ウエハ領域圧力はこの閉じ込めリングにわたる圧力降下に依存する。閉じ込めリングは、１００％より大きいウエハ領域圧力制御範囲を提供するウエハ領域圧力制御装置の一部である。そのようなウエハ領域圧力制御装置は、所望のウエハ領域圧力制御を提供するのに用いられるホルダ上の３つの調節可能閉じ込めリングおよび閉じ込めブロックでありえる。 （もっと読む）

【課題】ステージ温度変化など運用条件の変更に対応し、突入電流の発生や過剰なＥＳＣ電流が流れることを防ぎ、なおかつ伝熱用ガスを導入する時点で裏面圧力以上の静電吸着力を発生させる。
【解決手段】被処理基板をプラズマ処理するための処理室と、該処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理室内に設けられ被処理基板を保持する静電吸着膜を備えたステージを具備したプラズマ処理装置において、静電吸着膜と被処理基板間に流れるＥＳＣ電流の電流値を検知し、ＥＳＣ電流の値で吸着条件を設定し、ＥＳＣ電流が設定した制御範囲内に収まるようにＥＳＣ電流を検知しながら吸着電圧を段階的にステージに印加し、ＥＳＣ電流が制御範囲内に収まったことを検知した後に伝熱用ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】処理基板の中心部と周辺部のエッチング速度が異なるローディング効果を抑制することの出来るエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理基板１１が載置されるステージ７が配置された陰極側電極３と、該電極に対向する陽極側電極との間に、前記陽極側電極側から前記陰極側電極側に貫通して、開口状態が調整可能な複数の開口部１００を有する障害物９を、処理基板１１の近傍に該基板の全面を覆うように配設することによって、前記基板の面内中心部のプラズマ密度を低減させて前記基板の中心部と外周部のプラズマ密度の偏りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ１内の測定対象プラズマ２のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ１内に質量分析器３を配置し、前記プラズマ２と前記質量分析器３との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器３内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理される試料の温度の精度あるいは信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内側でプラズマが形成される処理室３と、該処理室内の下方に配置され、その上面に試料５が載置される試料台であってその内部に冷凍サイクルの冷媒が通流して蒸発器として動作する円筒形を有する試料台４と、該試料台４の内部に配置され、前記円筒の中心について同心状に配置された前記冷媒の流路と、前記試料台４の下方に配置され、該試料台４の振動を検出する少なくとも１つの検知器３７と、前記冷凍サイクル上の圧縮機と前記試料台４との間に配置され、前記検知器３７の出力から前記流路内側を通流する前記冷媒の乾き度を検出し、その結果に基づいて前記試料台４に流入する前記冷媒の温度を調節する調節部３３と、を備えたプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】排ガス吸着剤及びそれを利用した排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】層状化合物と、吸着活性成分と、無機保湿剤とを含む半導体エッチング工程用の排ガス吸着剤である。吸着活性成分は、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物及び酸化鉄化合物からなる群から選択される１種以上の化合物からなる。また、排ガス処理方法において、上記構成を有する排ガス吸着剤を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置の温度差の大きい２つのフォーカスリングの隙間において低温の部品に堆積物が付着するのを防止する。
【解決手段】プラズマエッチング装置の処理室１５内に配置されたウエハＷの周縁を囲む内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂからフォーカスリング２５を構成し、内側フォーカスリング２５ａはウエハＷに隣接して配置され且つ冷却され、外側フォーカスリング２５ｂは内側フォーカスリング２５ａを囲み且つ冷却されず、更に、ブロック部材２５ｃが、内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂの間に配される。 （もっと読む）

【課題】基板を載置して搬送するトレイを備えるプラズマ処理システムにおいて、トレイの厚さを自動的に測定して適切に管理する。
【解決手段】ドライエッチング装置１は、基板を載置したトレイを収納するトレイストック部とプラズマ処理部１１の間で前記トレイを搬送する搬送機構１５と、アラインメント部１４においてトレイを所定の位置に位置決めするセンタリング機構２７と、位置決めされた前記トレイの前記所定の位置の高さを計測する高さ計測センサー３７と、を備え、計測された前記高さからトレイ厚さ計測処理部４９が前記トレイの厚さデータを算出する。消耗状態判定部５１が前記厚さデータに基づいてトレイの消耗状態を判断する。 （もっと読む）

【課題】プラズマインピーダンスマッチングにおいて、より正確に、速やかなマッチングが行われるようにする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０００は、工程チャンバー１１００と、この内に供給されたガスからプラズマを発生させる電極と、高周波電力を出力する高周波電源１２００と、高周波電源１２００から前記電極へ高周波電力を伝送する伝送ライン１２１０と、伝送ライン１２１０に連結されてプラズマインピーダンスをマッチングするインピーダンス整合器と、当該インピーダンス整合器へ制御信号を送出する制御器１３２０と、を含み、前記インピーダンス整合器は、複数のキャパシター１４０１の各々にスイッチ１４０２を連結し、スイッチ１４０２を制御器１３２０の制御信号にしたがって断続してキャパシタンスを調節する可変キャパシター１４００を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ支持部の面内の温度分布を適切にする処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理室１０と、該処理室内に設けられたウェーハＷの支持部２２と、該支持部を加熱するヒータｈと、前記支持部に対向して設けられ、前記処理室に通じる複数のガス吹出孔１４を有するシャワープレート１２と、を備え、該シャワープレートにおける前記支持部に対向する表面は、前記支持部側からの輻射熱に対する反射率が相対的に異なる複数の領域を含む。 （もっと読む）