【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】温度設定の制御を適正化することにより温度安定待ち時間を短縮する。
【解決手段】複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置１の温度制御方法であって、プラズマ処理装置１の処理容器１０内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部１２を除いた基体１１の一面１１ａ、即ち溝部１２の頂面にエッチングカバー層１４を形成する。エッチングカバー層１４は、例えば、Ｔａ，Ｔｉまたはこれらを含む合金から構成される。エッチングカバー層１４の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】カバレージ性の高い、面内均一性に優れたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマによりターゲット（３１）から叩き出されたスパッタ粒子を基板（Ｗ）の表面に堆積させるに際して、そのスパッタ粒子をプラズマで分解して活性種を生成した後、基板表面へ堆積させる。これにより、プラズマＣＶＤに類似した成膜形態が得られ、カバレージ性の高い、面内均一性に優れたスパッタ成膜が可能となる。特に、プラズマ源に高周波電場と環状磁気中性線（２５）を用いているので、磁場ゼロ領域で非常に高密度なプラズマを効率よく発生させることができる。このプラズマは、磁気中性線の形成位置、大きさを任意に調整することで面内均一性の高いプラズマ処理が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型の装置であって、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑えることができ、しかも当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、平面形状がまっすぐなアンテナ３０を、基板２の表面に立てた垂線３に沿う方向である上下方向Ｚに互いに接近して配置されていて、高周波電流Ｉ_R が互いに逆向きに流される往復導体３１、３２によって構成している。かつ、往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させている。 （もっと読む）

【課題】 内部で行われる処理の状況を把握するといった機能は損なわれることなく、真空雰囲気に接する覗き窓表面を効果的に加熱して生成ガスの付着、堆積を効果的に抑制できるようにした低コストの真空処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、真空チャンバの壁面に設けられる覗き窓８が、内部に導線Ｗが埋め込まれた透光性板材８１を備える。透光性板材の中心Ｃｐからその周囲に向かう方向を径方向とし、この透光性板材の中心と、当該中心から径方向の距離が最短となる透光性板材の周囲までの距離の中点Ｍｐとを結ぶ線を半径とする仮想円領域内で透光性板材の中央領域を除く領域に、前記導線が蛇行させて配置され、その自由端を透光性板材外表面に延出させてなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生室に誘導結合方式で放電プラズマを発生させるようにしたエッチング装置１において、主としてラジカルでエッチングが進行する場合にエッチング速度が向上するようにする。
【解決手段】誘導放電式でプラズマが発生されるプラズマ発生室３ａ及びこのプラズマ発生室に連通し、エッチング処理すべき被処理物Ｓが配置される待機室３ｂとを有する真空チャンバ３と、プラズマ発生室に所定のエッチングガスを導入するガス導入手段９とを備える。そして、エッチングガス及び被処理物の種類により、主としてラジカルでエッチングが行われる場合、プラズマＰ発生領域に被処理物Ｓが存するように、待機室に配置された被処理物の位置を変更する位置変更手段１０、１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】チャンバ構成部品のような加工片の表面にテクスチャを設ける方法及びシステムを提供する。
【解決手段】本方法は、加工片をテクスチャ化チャンバへ供給するステップと、加工片の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップとを含む。形成されたフィーチャは、一般的には凹み、突起、及びそれらの組合わせである。プロセスチャンバ内の汚染を減少させる方法も提供される。この方法は、１またはそれ以上のプロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップと、１またはそれ以上のチャンバ構成部品をプロセスチャンバ内に位置決めするステップと、プロセスチャンバ内においてプロセスシーケンスを開始するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用の基板をプラズマ処理する際に異常放電やパーティクルの問題が生じ難いプラズマ生成用電極を提供すること。
【解決手段】プラズマ生成用電極２０は、チャンバ２内に配置されたフラットパネルディスプレイ用の基板Ｇとの対向面Ｆを有し、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材２０ａの表面に陽極酸化処理されて陽極酸化皮膜２０ｂを有する本体と、本体の対向面Ｆに開口した複数のガス吐出孔２２と、対向面Ｆにおいて、少なくともガス吐出孔２２の開口部２２ｃに形成されたセラミックス溶射皮膜２３とを有し、対向面Ｆにおいてセラミックス溶射皮膜２３の間の部分は、本体の面が露出している。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】大型基板を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板を静電的に吸着する静電チャックと基板との間に供給される冷却ガスのリークを抑えることができるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。基板Ｓに対するエッチング処理を実施しているときに、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２との切り替えを周期的に行うことによって静電チャック１７のチャック電極１７ｂに印加する直流電圧の極性を周期的に変える。 （もっと読む）

【課題】基板搬送を効率的に行うとともに、精度の高い基板の搬送処理に対応することができる基板処理装置、基板処理方法ならびに、プログラムを提供する。
【解決手段】複数のアーム１０３ａ、１０３ｂにより、同一水平線上で且つ水平位置と高さとが互いに異なる位置で把持した基板を処理室２００に搬送する。処理室２００に搬送された基板は、複数のアーム１０３ａ、１０３ｂの基板把持位置に対応する高さを有し、水平方向に並列に配置された複数の基板載置台２０６ａ、２０６ｂに載置される。また、排気処理は、第１室２０７の排気を第２室２０８の排気が開始する前に開始する。 （もっと読む）

【課題】作業効率が良く精度の高いティーチングを行って処理の効率を向上できる真空処理装置の調整方法を提供する。
【解決手段】その上面に所定の波長の光の反射の特性を局所的に異ならせた特定の箇所を有した調整用の試料を前記試料台の上面の特定の位置と前記特定の箇所とを合わせて載置した後、前記真空容器の内部を封止した状態で前記ロボットを移動させて前記ロボットのアーム上の所定の位置に配置され前記反射した所定の波長の光の通過部を前記調整用の試料の前記特定の箇所の上方に移動させ、その移動の際に前記調整用の試料から向かって前記通過部を通過した光を前記板部材の外側で検知し、検出した前記光の量に応じて前記試料の特定の箇所と前記ロボットの所定の位置との位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置のクリーニングの終点を制度良く検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置において、チャンバクリーニング処理の際に磁気コイルに流す電流値を、基板エッチング処理の際に前記磁気コイルに流す電流値よりも小さくすることにより、プラズマ中の分子種の時間変化をアンテナコイル電圧Ｖｐｐの変化に反映させ易くして監視し、クリーニングの終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】 基板ごとに処理条件の指定を可能にする。
【解決手段】 基板に対する処理を実行するプロセスモジュールを制御するプロセスモジュール制御装置を備え、プロセスモジュール制御装置は、処理すべき基板がプロセスモジュールに搬送される搬送タイミングを取得する搬送タイミング取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件に関する処理条件基本情報を取得する基本情報取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件の一部であって、基板ごとに設定される処理条件に関する処理条件差分情報を取得する差分情報取得手段と、搬送タイミング取得手段により取得される基板の搬送タイミングに応じ、基本情報取得手段及び差分情報取得手段により取得される処理条件に基づいて、プロセスモジュールに対し搬送される基板の処理条件を設定する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗを真空槽２１内に配置し、真空槽２１内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Ｗに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Ｗをエッチングし、基板Ｗに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 平面導体を大型にしても、そのインピーダンスの増大を抑えて当該平面導体に大きな電位差が発生するのを抑え、それによって均一性の良いプラズマ生成を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、ホルダ側の面３２が真空容器４内に位置しかつホルダ１０の基板保持面に対向するように設けられた平面導体３０を備えている。平面導体３０は、そのホルダ側の面３２に、高周波電流の流れ方向と交差する方向に伸びている溝４０であってその深さが、平面導体３０中を流れる高周波電流の表皮厚さよりも大きい溝４０を、高周波電流の流れ方向に１以上有していて、溝４０によってホルダ側の面３２は複数領域に分割されている。平面導体３０の各溝４０内にコンデンサ４２をそれぞれ設けて、平面導体３０の前記各領域と各コンデンサ４２とを互いに電気的に直列接続している。 （もっと読む）