Fターム[5F004CA00]の内容
半導体のドライエッチング (64,834) | 装置の操作、制御方法 (5,292)
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Fターム[5F004CA00]に分類される特許
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半導体製造装置
【課題】半導体製造装置間でのデータのコピー、移動に使用される可搬性の記憶媒体で、信頼性の低い記憶媒体であっても、コピー、移動が高精度に実行できる様にした半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理実行用データの第1格納手段43と一時的に格納する第2格納手段間45でデータの移動を制御する制御手段42を具備し、前記第1格納手段43からコピー元ファイルをテンポラリフォルダに1時ファイルとしてコピーし、前記コピー元ファイルを前記第2格納手段45のコピー先フォルダにコピー先ファイルとしてコピーし、前記1時ファイル及び前記コピー先ファイルを所定バイト単位で各々比較し、差異があればファイル異常として前記第2格納手段45の前記コピー先ファイル及び前記テンポラリフォルダの前記1時ファイルを削除し、ファイル全ての比較で差異がない場合は、前記テンポラリフォルダの前記1時ファイルを削除する。
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ラインエッジラフネス制御
【解決手段】基板の上で、エッチング対象層とフォトレジストマスクとの間にARC層を配した状態で、フォトレジストマスクを通してエッチング対象層をエッチングするための方法が提供される。基板は、処理室の中に置かれる。処理室の中には、ARC開口用混合ガスが供給される。ARC開口用混合ガスは、エッチャントガスと、COおよびCH3Fを含む重合ガスとを含む。ARC開口用混合ガスからは、ARC開口用プラズマが形成される。ARC層は、開口されるまでARC開口用プラズマでエッチングされる。ARC開口用混合ガスは、エッチング対象層が完全にエッチングされる前に停止される。 (もっと読む)
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