【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法が提供される。
【解決手段】本発明による半導体製造装置は工程チャンバーの外部で供給されるジフルオロメタンＣＨ_２Ｆ_２、窒素Ｎ_２、及び酸素Ｏ_２ガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー内へ供給する。プラズマが工程チャンバーへ供給される途中に三フッ化窒素ＮＦ_３が供給される。このような装置構造及びソースガスを利用してシリコン窒化膜をエッチングすると、他の種類の膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比を大きく増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、ゲート開度を調整することによってガス配管のガス圧力を調整するバルブと、前記バルブに接続された軸部と、ガイド部と、前記軸部を軸回転させる回転駆動部と、ガス配管内のガス圧力が所望のガス圧力となるよう前記回転駆動部を制御する制御部と、を備えている。前記ガイド部は、前記軸部を支持するとともに、前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させる。また、前記ガイド部は、前記軸部を囲う筐体と、一方の端部が前記筐体に固定配置されるとともに他方の端部が前記ねじ溝に接触する固定ピン部と、を有している。前記軸部は、１本のねじ溝に複数種類のピッチが設けられ、且つ前記ねじ溝が前記固定ピン部と接触した状態で回転しながら軸方向に移動する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をエッチングする際、ハードマスクの肩落ちによるエッチング深さの基板面内での粗密差を低減する。
【解決手段】半導体基板１上に、絶縁層（１０，１１）とアッシング除去可能な材料層を形成する工程と、材料層をパターニングする工程と、パターニングされた材料層をマスクに、絶縁層を貫通し、少なくとも半導体基板の一部をエッチングする第１のエッチング工程と、材料層がなくなる前にエッチングを一旦停止し、残存する材料層（１２）をアッシング除去する工程と、絶縁層をマスクに半導体基板を所定の深さにエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト７、無機材料の中間層８、上層フォトレジスト９を形成し、上層フォトレジスト９をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板１をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第１反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第１反応ガスを第２反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層８をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第２反応ガスを第３反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層７をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室において、ウェハ上でスタックを形成するシリコン系の複数の二重層の中に高アスペクト比のフィーチャをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室に主エッチングガスが流入される。第１の圧力を提供しながら、主エッチングガスがプラズマにされる。２０℃未満のウェハ温度が維持される。プラズマにより上記複数のシリコン系二重層のうちの複数の組を貫いてエッチングする間に、第１の圧力よりも低い第２の圧力まで圧力を降下させる。上記複数の二重層のうち第１の複数の組がエッチングされた後に、主エッチングガスの流入を停止させる。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、バルブと、前記バルブに接続されている軸部と、ソレノイド部と、マイクロメータ部と、制御部と、を備えている。前記ソレノイド部は、前記軸部をソレノイド駆動によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整し、前記マイクロメータ部は、前記軸部に着脱自在に取り付けられるとともに、前記軸部に取り付けられた場合には前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整する。前記制御部は、前記マイクロメータ部を用いて前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部に取り付け、前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部から取り外す。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びその製造方法に係り、該高電子移動度トランジスタは、基板と、基板から離隔された位置に備わった高電子移動度トランジスタ積層物と、基板と高電子移動度トランジスタ積層物との間に位置した疑似絶縁層と、を含み、該疑似絶縁層は、異なる相の少なくとも２つの物質を含む。前記異なる相の少なくとも２つの物質は、固体物質と非固体物質とを含む。前記固体物質は、半導体物質であり、前記非固体物質は、空気である。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有物を含む被処理基板のの表面にオングストロームオーダー〜ナノオーダーの微小凹凸を形成する粗化処理の処理性能を高める。
【解決手段】大気圧近傍の処理エリア２９に被処理基板９を配置する。フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有するプロセスガスを供給系１０から処理エリア２９に供給する。調節部３によって、処理エリア２９の露点Ｔ_Ｄと被処理基板９の温度Ｔ_Ｓとの間の温度差（Ｔ_Ｄ−Ｔ_Ｓ）を０℃付近〜２０℃の範囲内の所定値になるように調節する。 （もっと読む）

【課題】ビアホールやトレンチなどのエッチング形状をウエハ面内で均一化することが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理対象の基板へ供給されるエッチングガスの供給条件を調節する供給条件調整部と、載置台上に載置される前記基板の温度を前記半径方向に沿って調整する温度調整部と、前記供給条件調整部及び前記載置台の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するエッチング装置において前記基板をエッチングするエッチング方法であって、前記基板の温度が前記基板面内で均一になるように前記温度調整部により制御する工程と、前記プラズマ発生部により発生されるプラズマ中の中性活性粒子の前記基板上方における濃度分布を前記供給条件調整部により調整することにより、前記基板面内でのエッチングレートを均一化する工程とを含むプラズマエッチング方法により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成されているシリコン膜と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層のドライエッチング深さの不均一化を抑制すること。
【解決手段】 基板上に形成されている、シリコン層と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層に対し、エッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスとして、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_５、ＢｒＦ_３、ＩＦ_７、ＩＦ_５から選ばれる少なくとも１種類のガスとＦ_２とを含有するガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンの下層レジスト膜７１、ハードマスクとしてのＳｉＯＮ膜７２、反射防止膜７３及びフォトレジスト膜７４が順に積層されたシリコン基材７０において、ＣＦ_３ＩガスとＨ_２ガスとの混合ガスから生成されたプラズマによってフォトレジスト膜７４の開口部７５の側壁面にデポ７６を堆積させて開口部７５の開口幅を縮小させるシュリンク工程と、反射防止膜７３及びＳｉＯＮ膜７２をエッチングするエッチング工程とを１ステップで行う。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも２種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】急速交互プロセス（ＲＡＰ）制御技術を提供する。
【解決手段】ＲＡＰシステム、及びこれを動作させる方法は、ＲＡＰチャンバ（ＲＡＰＣ）と、これに結合され、対応するプロセスガス源流量コントローラを各々が含む、複数のプロセスガス源と、ＲＡＰＣに結合されたバイアス信号源と、ＲＡＰＣに結合されたプロセスガス検出器と、ＲＡＰＣ、バイアス信号源、プロセスガス検出器、及び複数のプロセスガス源に結合されたＲＡＰＣコントローラとを含み、ＲＡＰＣコントローラは、第１のＲＡＰ段階を開始させるためのロジックを含み、該第１のＲＡＰ段階を開始させるためのロジックは、第１のプロセスガスをＲＡＰＣに投入するためのロジックと、ＲＡＰＣの中で第１のプロセスガスを検出するためのロジックと、ＲＡＰＣの中で第１のプロセスガスが検出された後に、対応する第１の段階バイアス信号をＲＡＰＣに印加するためのロジックとを含む。 （もっと読む）

【課題】ホール底部の線幅及び深さのウェハ面内均一性に優れたプラズマエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置において、処理容器と、基板を保持する保持部１０５と、前記保持部と対向する電極板１２０と、前記保持部と前記電極板とに挟まれた空間で、前記基板の径方向に対して各々異なる位置に配置された複数の処理ガス供給部１４３と、前記保持部又は前記電極板の少なくとも一方に高周波電力を供給して、前記空間の処理ガスをプラズマ化する高周波電源１１６と、前記複数の供給部の各々に対応して、処理ガスの供給条件を調節する調節手段１３０と、前記基板上における、プラズマ化された処理ガスに含まれる活性種の濃度分布について、供給された処理ガスの拡散の影響が支配的である位置と、供給された処理ガスの流れの影響が支配的である位置とで、前記供給条件を変えるように前記調節手段を制御する制御部１９０とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ又はその他の基板における転位を減少させる、水素ベースのフォトレジスト剥離処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】水素ベースのフォトレジスト剥離を、１）オーバーストリッピングの継続時間を最小限にし、短い工程を採用することにより、水素収支を最小にする、２）例えば２％〜１６％の水素濃度の希釈水素を供給する、３）プロセス条件や化学反応を制御することにより、材料の損失を最小限に抑える、４）レジスト剥離を低温で行う、５）注入条件及び濃度を制御する、６）剥離後のベントプロセスを１つ又は複数行う。 （もっと読む）

【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低Ｋ薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の２つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低Ｋ誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Ｋの酸素が豊富な部分を通過し、低Ｋ部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低Ｋ部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】SiC基板のドライエッチングにおいて高エッチングレートを確保しつつマイクロトレンチを抑制する。
【解決手段】エッチングガス源４から供給されるエッチングガスは、０％を含まない５％以下のSF₆ガスを含む。SiC基板２が載置されるステージ１１は金属ブロック１２上に配置され、金属ブロック１２に高周波電源８Ｂから印加されるバイアスは３００Ｗ以上（電力密度で２．６５W/cm²以上）である。 （もっと読む）