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Fターム[5F004CA06]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 装置の操作、制御方法 (5,292) | 自己バイアス (851)

Fターム[5F004CA06]に分類される特許

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【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 (もっと読む)


【課題】ガス管路118からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部113、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部115と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓111を備えた。 (もっと読む)


【課題】被加工材とレジストのエッチングの選択比を高くすることのできるエッチング方法、、このエッチング方法により加工されたサファイア基板、及び、このサファイア基板を備える発光素子を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法であって、被加工材上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンが形成された前記レジスト膜を所定の変質用条件にてプラズマに曝し、前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、被加工材を変質用条件と異なるエッチング用条件にてプラズマに曝し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして被加工材のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、を含むようにした。 (もっと読む)


【課題】冷媒にオゾン層破壊物質を使用せずに精度の高い温度制御が可能な温度制御装置を提供する。
【解決手段】冷媒の相変化により周囲と熱交換する熱交換部71と、冷媒を熱交換部71から流入し、内部の油と融合させるロータリーポンプ73と、油に融合された冷媒をロータリーポンプ73から流入し、油と分離させる油水分離機74と、を備え、油と分離された冷媒を再び熱交換部71に循環させることにより冷却機能を有する冷凍サイクルを構成する温度制御装置70が提供される。 (もっと読む)


【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するN+1個の補正量計算ユニットと、N番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するN個の操作変数追加ユニットとを備え、N番目の操作変数追加ユニットは、N+1番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をN+1番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 (もっと読む)


【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ16と、プラズマ生成アンテナ16に高周波電力を供給する高周波電源18と、高周波電源18とプラズマ生成アンテナ16との間に介在する整合回路19と、プラズマ生成アンテナ16を構成し、整合回路19を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ16−1〜16−4と、複数の分割アンテナ16−1〜16−4のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路30−1〜30−4とを有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法を提供する。
【解決手段】本方法はプラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供する工程を含んでおり、堆積バリアはプラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置されるように設計されており、プラズマがプラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を堆積バリアに付着させ、プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】温度設定の制御を適正化することにより温度安定待ち時間を短縮する。
【解決手段】複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置1の温度制御方法であって、プラズマ処理装置1の処理容器10内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第1の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第2の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、(a)アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第1のクリーニングを行なう工程と、(b)アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第2のクリーニングを行なう工程と、を含む。第1のクリーニングを行なう工程における処理空間の第1の圧力は、第2のクリーニングを行なう工程における処理空間の第2の圧力よりも低い。 (もっと読む)


【課題】サファイアのエッチングにおいて選択比を高めることの可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板Sを収容する真空槽10と、三塩化ホウ素を含むガスで真空槽10内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、サファイア基板Sが載置されるトレイ20と、サファイア基板Sの端面の周囲に配置される包囲部材としてのトレイカバー21とを備える。トレイカバー21はトレイ20上のうちサファイア基板S以外の部分を覆っており、その表面は、樹脂から形成されている。 (もっと読む)


【課題】エッチング量が均一であり、エッチング時のウェハの温度を常温と低温の両方に設定できるドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング対象のウェハ6と同じ材料からなり、クランプ7に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ6の周囲を取り囲むように設けられ、ウェハ6と共にエッチングされる常温エッチング用ダミーウェハ10と、エッチング対象のウェハ6と同じ材料からなり、クランプ7に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ6の周囲を取り囲むように設けられ、クランプ7とウェハ6間に介在してウェハ6を下部電極4に固定すると共に、ウェハ6と共にエッチングされる低温エッチング用ダミーウェハ11と、を備え、いずれかのダミーウェハ10,11を用いてエッチングを行うものである。 (もっと読む)


【課題】導電性の筒状部材を真空容器内に配置すると共に、筒状部材での微小放電を抑制するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内周面にアルマイト層31aが形成されたアルミニウムからなる筒状部材31を、金属製の真空容器12の内壁面に沿って配置すると共に、真空容器12の内部の支持台21、22上に処理対象の基板Wを静電吸着して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空容器12の内壁面の全周に渡って形成され、当該内壁面から突設された段差部12aと、段差部12aの上面の全周に渡って配置された弾性変形可能な金属製のチューブリング32とを有し、チューブリング32を介して、筒状部材31を段差部12a上に載置した。 (もっと読む)


【課題】 テーパー角度を90度未満とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 反応性エッチングガスとしてフッ素と酸素とを真空容器1内に導入し、コイル6に高周波電力を供給して誘導結合型プラズマ7を発生し、このプラズマによって基板電極8上にエッチング部材10として配置されたシリコンをエッチングし、基板電極8に基板電極用交流電源11から供給する交流電力の周波数によってシリコンにエッチングされる形状を制御する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低マイクロ波電力から高マイクロ波電力の広範囲において、安定的なプロセス領域を確保できるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域にて、プラズマの生成を容易にするとともに前記容易に発生させられたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、オンとオフを繰り返すパルス放電により前記プラズマを容易に生成し、前記パルス放電を生成する高周波電力のオン期間の電力は、前記連続放電によるプラズマの生成が容易になる電力とし、前記パルス放電のデューティー比は、前記高周波電力の一周期あたりの平均電力が前記連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域の電力となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法である。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングの均一性を高めつつ、ドライエッチングによる生成物が基板に付着することを抑制する。
【解決手段】上部電極110と下部電極130との間にエッチングガス121を導入する第1ガス導入部と、基板190の縁に沿って基板190を囲むように真空容器101内に位置し、基板190上にエッチングガス121を滞留させる整流ローラ150と、整流ローラ150を回転駆動するモータとを備える。さらに、基板190上に滞留させたエッチングガス121が整流ローラ150の外周面151を乗り越えて排気されるように真空容器101の内部を排気する排気部180と、互いに対向するクリーニング電極、および、整流ローラ150の外周面151に付着したエッチング残渣を除去するクリーニングガス143をクリーニング電極同士の間に導入する第2ガス導入部を含むクリーニング部とを備える。 (もっと読む)


【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト7、無機材料の中間層8、上層フォトレジスト9を形成し、上層フォトレジスト9をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板1をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第1反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第1反応ガスを第2反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層8をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第2反応ガスを第3反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層7をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】SiC膜を下地膜としてSiOC系のLow−k膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第1の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第2の高周波電源90を接続し、第2の高周波電源90に制御器95を設け、制御器95は、パワー変調するパワー変調モードで動作させる際、プラズマ着火時に、最初に前記第2の高周波電源90を同一パワーで連続的に高周波電力を供給するモードで動作させ、その後パワー変調モードに切り換えるように制御する。 (もっと読む)


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