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Fターム[5F004CA08]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 装置の操作、制御方法 (5,292) | 条件の設定方法 (725)

Fターム[5F004CA08]に分類される特許

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【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 (もっと読む)


【課題】シャワープレート上部に設置された誘電体窓の温度を制御することにより、シャワープレートの温度変動を抑制し、固定時間でのプラズマ加熱によるシーズニングを行うことがを可能にする。
【解決手段】シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを制御範囲の中央Tbから上限Tdまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱する。 (もっと読む)


【課題】被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるとともに、プラズマの逆流を確実に防止して冷却板の損傷及び被処理基板の汚染を防ぐことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に貫通する複数の通気孔11が設けられるとともに、各通気孔11は、放電面21に開口する噴出側孔部22と、その反対面に開口する導入側孔部23とを厚さ方向の中間部で連結してなり、噴出側孔部22は、導入側孔部23との連結部24から放電面21に向かうにしたがって相互に離間する方向に傾斜する複数の細孔25により構成され、導入側孔部23は、連結部24における横断面積と同じか又はそれより小さい横断面積を有し、各細孔25の長さ方向に対して交差する方向に形成されている。 (もっと読む)


【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置100は、高周波電力を発生させる高周波電源6と、高周波電源6から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極2と、高周波電源6とプラズマ生成電極2との間に介在し、伝送路9のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器7と、整合器7とプラズマ生成電極2との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路8とを具備し、整合器7は、プラズマとインピーダンス調整回路8とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路8によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 (もっと読む)


【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するN+1個の補正量計算ユニットと、N番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するN個の操作変数追加ユニットとを備え、N番目の操作変数追加ユニットは、N+1番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をN+1番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 (もっと読む)


【課題】基板へのパーティクルの付着を抑制することができるパーティクル付着抑制方法を提供する。
【解決手段】ウエハWを収容し且つ内部にプラズマが生じるチャンバ11と、収容されたウエハWを載置するサセプタ12と、該サセプタ12にバイアス電力を印加する第1の高周波電源19と、サセプタ12にプラズマ生成電力を印加する第2の高周波電源31と、サセプタ12に対向する上部電極33に直流電力を印加する第2の直流電源15とを備えるウエハW処理装置において、ドライエッチング処理の終了後、第2の直流電源15は直ちに直流電力の印加を終了し、続く所定の短時間(Δt)に亘って第2の高周波電源31はプラズマ生成電力を2700Wから200Wまで低下させてその印加を維持する一方、所定の短時間(Δt)の間、第1の高周波電源19は4500Wのバイアス電力の印加を維持する。 (もっと読む)


【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト7、無機材料の中間層8、上層フォトレジスト9を形成し、上層フォトレジスト9をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板1をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第1反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第1反応ガスを第2反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層8をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第2反応ガスを第3反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層7をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】様々な位置からのパラメータの測定結果を同期または時間相関させることができる計測システムおよび監視方法を提供する。
【解決手段】回路内の複数の位置の内の1つにおける高周波電力の電気的特性に基づいて出力信号をそれぞれ発生する複数のセンサチャネルであって、各センサチャネルが、高周波電力の電気的特性に基づいて第1の信号を発生するプローブ20と、周期信号を発生する発振器62と、センサチャネルのための出力信号を発生するために、前記第1の信号と前記周期信号とを混合するミキサ64とを含む複数のセンサチャネルと、センサチャネルからの複数の出力信号に基づいて第2の出力信号を発生する高周波結合器70,72とを含む。 (もっと読む)


【課題】試料に対して均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料をプラズマ処理する真空処理室と、前記真空処理室の上面を形成する誘電体窓と、前記真空処理室内にガスを導入するガス導入手段と、前記真空処理室内に配置され前記試料を載置する試料台と、前記誘電体窓の上方に設けられた誘導コイル4dと、誘導コイル4dに高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、誘導コイル4dの下方に配置された平板の導体12を備え、誘導コイル4dは、交差した給電部を有し、導体12は、前記給電部の下方に配置され、誘導コイル4dの給電部の誘導磁場分布を調整して試料上でのプラズマ分布を補正する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム100は、測定装置114、エッチングチャンバ102、および制御装置112を有する。測定装置114は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ(CD)を測定する。エッチングチャンバ102は、ウェーハを保持するチャック108と、該チャック108内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体110と、を有し、測定装置114からウェーハを受け取る。制御装置112は、CDを受け取る測定装置114および発熱体110に接続される。この制御装置112は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるCDばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 (もっと読む)


【課題】3つ以上の環状アンテナ部を同心状に設けた高周波アンテナを用いた場合であっても、環状アンテナ部の電流の独立制御性が高い誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット50において、アンテナ13は、高周波電力が供給されることにより処理室内に誘導電界を形成する同心状に設けられた少なくとも3つのアンテナ部13a,13b,13cを有し、各アンテナ部は、アンテナ線61,62,63,64等が渦巻き状に巻回されて構成され、アンテナ部13a,13b,13cのうち隣接するものどうしは、アンテナ線が互いに逆巻となるように巻回されている。 (もっと読む)


【課題】シリコン含有物を含む被処理基板のの表面にオングストロームオーダー〜ナノオーダーの微小凹凸を形成する粗化処理の処理性能を高める。
【解決手段】大気圧近傍の処理エリア29に被処理基板9を配置する。フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有するプロセスガスを供給系10から処理エリア29に供給する。調節部3によって、処理エリア29の露点Tと被処理基板9の温度Tとの間の温度差(T−T)を0℃付近〜20℃の範囲内の所定値になるように調節する。 (もっと読む)


【課題】純粋化学エッチング並びにRIEエッチングにおいてエッチング速度の均一性向上のための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法において、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第1プラズマをストライク処理するステップを含む。この方法はさらに、基板上の複数層を第1エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リング302を設置するステップとを含む。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第2プラズマをストライク処理するステップを含む。方法はさらに、基板上の複数層を第2エッチングステップでエッチングするステップをむ。第1ステップのエッチングと第2ステップのエッチングとは実質的に均等である。 (もっと読む)


【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のCVD装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 (もっと読む)


【課題】種々の材料のガスクラスタイオンのビーム(GCIB)エッチングプロセスを実行するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】第1の材料、第2の材料及び前記第1の材料及び/又は第2の材料を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持し、1又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を選択し、少なくとも1つのエッチングガスを含む加圧ガスからガスクラスタイオンビーム(GCIB)を形成し;前記1又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を達成するために前記GCIBについてのGCIBプロセス条件の1又はそれ以上のGCIB性質を設定し;前記減圧環境を通じて前記GCIBを加速し;及び前記基板の前記表面の少なくとも1部分に前記GCIBを照射して、前記第1の材料及び前記第2の材料の少なくとも1部分をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】インピーダンス整合までの時間を短縮でき、処理効率を向上できるプラズマ生成用電源装置を提供する。
【解決手段】所定周波数の基準信号を生成する基準信号生成部と、基準信号を増幅し高周波電力信号を生成する電力増幅部と、高周波電力信号に含まれる進行波電力と反射波電力とを検出する検出部と、基準信号の周波数を変化させ電力増幅部での増幅度を変化させる制御部とを備えるプラズマ生成用電源装置において、第1の時間において基準信号を第1の周波数に固定して反射波電力が第1の電力値以下となるよう制御し、その後の第2の時間において、反射波電力が第2の電力値以下になるように基準信号の周波数を掃引するプラズマ生成動作を行うとともに、第1の周波数、第1の時間、第2の時間の最適値を見出すプラズマ生成パラメータ設定動作を行う。 (もっと読む)


【課題】CO含有プラズマの条件によらず、安定してクリーニングプラズマを生成する方法を提供する。
【解決手段】被エッチングウェハ802上に形成された磁性膜を、真空容器801内に導入されたCとOの元素を含むCO含有ガスにソース電力を印加することでCO含有ガスをプラズマ化し、生成したCO含有プラズマを用い加工する際に、該CO含有プラズマにて被エッチングウェハ802上に形成された磁性膜に所定の加工を施した後、ソース電力806を印加したまま、クリーニングガスを導入し、その後CO含有ガスの導入を停止することで、所定のクリーニングガスを用いたクリーニングプラズマを生成する。 (もっと読む)


【課題】DCバイアス電圧に応答した制御を含む真空プラズマプロセッサを提供する。
【解決手段】十分な電力を有するAC電気エネルギーを電極の少なくとも1つに供給することによって室内のガスをプラズマに励起して、電極の少なくとも1つを介してガスに供給されたAC電気エネルギーにより(a)供給されたAC電気エネルギーの周波数におけるプラズマ励起AC電場を第1電極アセンブリと第2電極アセンブリとの間に存在させ(b)DCバイアス電圧を室内のガスがプラズマに励起されるのに応答して電極の少なくとも1つに発生させ、DCバイアス電圧の指示に応答してプラズマ励起AC電場を制御する。 (もっと読む)


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