【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を抑制することができるパーティクル付着抑制方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容し且つ内部にプラズマが生じるチャンバ１１と、収容されたウエハＷを載置するサセプタ１２と、該サセプタ１２にバイアス電力を印加する第１の高周波電源１９と、サセプタ１２にプラズマ生成電力を印加する第２の高周波電源３１と、サセプタ１２に対向する上部電極３３に直流電力を印加する第２の直流電源１５とを備えるウエハＷ処理装置において、ドライエッチング処理の終了後、第２の直流電源１５は直ちに直流電力の印加を終了し、続く所定の短時間（Δｔ）に亘って第２の高周波電源３１はプラズマ生成電力を２７００Ｗから２００Ｗまで低下させてその印加を維持する一方、所定の短時間（Δｔ）の間、第１の高周波電源１９は４５００Ｗのバイアス電力の印加を維持する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体基盤に同時にアッシングまたはエッチング処理を行うのに最適な広域高周波プラズマ供給源を提供する。
【解決手段】高周波プラズマ処理室のアンテナアレイ３０は、電極アレイ３６と、各電極チューブと個別に同心円状に配置された誘電体チューブからなる誘電体チューブアレイ３６と、気密シール４０とを有している。各電極チューブの外面と、当該電極チューブに対応する誘電体チューブの内面とによって、大気圧の空洞が形成される。気密シール４０が各誘電体チューブと処理室との間にあることによって、処理室の内部を真空圧または低圧にする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 気密性が問われる真空チャンバの信頼性が高く、作業性よく真空隔壁に設けることができる低コストの真空処理装置用の端子ユニットを提供する。
【解決手段】 透孔１１を有する真空隔壁たる真空フランジ１と、真空フランジの片面に接合され、透孔に連通する開口３１を有する絶縁体３と、絶縁体表面に接合され、透孔に連通する他の開口４１を有する導体４１とを交互に積み重ね、最下部に位置する導体または絶縁体表面に、絶縁体と導体との両開口から透孔に至る空間を閉鎖する蓋体を接合する。導体は、その内周縁部に内方に向かって突設した第１の舌片４２と、その外周縁部に外方に向かって突設した第２の舌片４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】改善されたウエハ領域圧力制御を提供するプラズマ処理室を実現する。
【解決手段】プラズマ処理室は、プラズマを発生し維持するために接続される装置を持つ真空チャンバである。この装置の一部は、エッチング用ガス源および排気口である。閉じ込めリングはウエハ上の領域を定義する。ウエハ領域圧力はこの閉じ込めリングにわたる圧力降下に依存する。閉じ込めリングは、１００％より大きいウエハ領域圧力制御範囲を提供するウエハ領域圧力制御装置の一部である。そのようなウエハ領域圧力制御装置は、所望のウエハ領域圧力制御を提供するのに用いられるホルダ上の３つの調節可能閉じ込めリングおよび閉じ込めブロックでありえる。 （もっと読む）

【課題】処理室の内側壁の温度を調節してスループットを向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内のプラズマが形成される処理室と、この処理室の下部に配置され試料が配置される試料台と、前記真空容器の上部に配置され前記処理室の上方を覆って内部を気密に区画する誘電体製の円板部材と、この円板部材の上方に配置されこの円板部材を透過して前記処理室内に供給される電界が導入される円筒形の空洞と、この空洞の中央部に連結された導波管であって内部を前記電界が伝播する導波管と前記空洞と、前記導波管との連結部の外周側に配置され前記空洞内部の外周から中央に向けて所定の高温のガスを供給する第一の供給口と、前記導波管に配置され低温のガスが供給される第二の供給口と、前記導波管に配置され前記第一及び第二の供給口から供給され内部を流れる前記ガスが排出される排出口とを備えた。 （もっと読む）

【課題】処理される試料の温度の精度あるいは信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内側でプラズマが形成される処理室３と、該処理室内の下方に配置され、その上面に試料５が載置される試料台であってその内部に冷凍サイクルの冷媒が通流して蒸発器として動作する円筒形を有する試料台４と、該試料台４の内部に配置され、前記円筒の中心について同心状に配置された前記冷媒の流路と、前記試料台４の下方に配置され、該試料台４の振動を検出する少なくとも１つの検知器３７と、前記冷凍サイクル上の圧縮機と前記試料台４との間に配置され、前記検知器３７の出力から前記流路内側を通流する前記冷媒の乾き度を検出し、その結果に基づいて前記試料台４に流入する前記冷媒の温度を調節する調節部３３と、を備えたプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングステップとデポステップを交互に繰り返すプラズマ処理において、ステップ切換時のチャンバ内の圧力を安定させる。
【解決手段】基板２１をエッチングするエッチングステップと、基板２１に対して堆積により保護膜を形成するデポステップとを交互に繰り返してドライエッチングが行われるドライエッチング装置１は、基板２１が収容されるチャンバ２、プラズマを発生させるためのアンテナ３と高周波電源部５Ａ、ガス源７Ａ，７Ｂから供給されるガスの流量調整部８Ａ，８Ｂ、チャンバ２内の圧力を制御するための圧力制御バルブ１２を備え、ドライエッチング開始後の２回目以降の前記エッチングステップと前記デポステップでは、それぞれ、予め定められた時間だけ圧力制御バルブ１２の開度を直前のステップにおける開度で維持（開度制御モード）した後に、予め定められた圧力を維持するように前記バルブの開度を制御（圧力制御モード）する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置の温度差の大きい２つのフォーカスリングの隙間において低温の部品に堆積物が付着するのを防止する。
【解決手段】プラズマエッチング装置の処理室１５内に配置されたウエハＷの周縁を囲む内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂからフォーカスリング２５を構成し、内側フォーカスリング２５ａはウエハＷに隣接して配置され且つ冷却され、外側フォーカスリング２５ｂは内側フォーカスリング２５ａを囲み且つ冷却されず、更に、ブロック部材２５ｃが、内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂの間に配される。 （もっと読む）

【課題】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置のクリーニングの終点を制度良く検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置において、チャンバクリーニング処理の際に磁気コイルに流す電流値を、基板エッチング処理の際に前記磁気コイルに流す電流値よりも小さくすることにより、プラズマ中の分子種の時間変化をアンテナコイル電圧Ｖｐｐの変化に反映させ易くして監視し、クリーニングの終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】ＩＢＥにおいてイオンビームの斜め入射を行って基板上に凹凸構造を形成する際に、入射方向ごとに入射量が異なることによる影響を低減し、基板面内において、作製された素子間の特性のバラつきを低減させる。
【解決手段】基板がイオン引き出し用グリッド電極の斜向かいにある場合に、イオンビームエッチングによって形成される被処理面に平行であり且つ基板面に平行である第１の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第１の状態とし、該第１の方向と垂直であり且つ基板面に平行である第２の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第２の状態としたとき、前記第１の状態における基板の回転速度を前記第２の状態における基板の回転速度よりも速くする。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】装置の特定の異常挙動を従来に比して高感度に検知することができる異常検知装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、装置パラメータ取得部１１は、装置の動作状態を表す装置パラメータを取得する。データ処理部１３は、装置パラメータの時系列データをフィッティング処理する。トレンド取得部１４は、フィッティング処理したデータを用いて、装置パラメータ取得時の２階微分値をトレンドの変化情報として取得する。フィッティング誤差取得部１５は、取得した装置パラメータと、フィッティング処理したデータと、のフィッティング誤差を装置パラメータの変化の度合い情報として取得する。そして、異常判定部１７は、データ挙動取得手段で取得されたトレンドの変化情報と装置パラメータの変化の度合い情報との組み合わせを、装置の動作状態が異常と判定される範囲を規定した異常判定基準情報と比較して、装置の動作状態が異常であるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】 イオン入射等の所定処理により発生する被加工体のダメージをより短時間で算出可能にする。
【解決手段】 シミュレータ１０は、入力部１１と、ダメージ演算部１２とを備える構成とする。ダメージ演算部１２は、被加工体の所定の評価点で、所定のガスから被加工体に入射される第１物質の量と、第１物質の入射により被加工体から放出される第２物質の量との関係をフラックス法で計算することにより得られる被加工体のダメージを取得する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、プラズマ励起周波数のＶＨＦ化、プラズマ励起電力の増大化及び使用電源の複数化等に伴う問題として、インピーダンス整合の調整不適合及び電力電送線路の破損等が注目されている。これは製品の歩留まり及び生産設備の稼働率を左右する問題であり、早期の解決が求められている。
【解決手段】
インピーダンスの整合器と放電電極の給電点の間に３端子サーキュレータを配置し、この３端子サーキュレータを介して前記給電点に電力を供給するとともに、前記放電電極からの反射波を前記３端子サーキュレータに接続された無反射終端器で消費させるようにしたことを特徴とするプラズマ表面処理方法及びその装置。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している異物（パーティクルやエッチング時の残渣等）をドライ洗浄により良好に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハＷの表面に形成されたシリコン酸化膜８を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハＷに付着したパーティクルＰをシリコン酸化膜８ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハＷの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハＷを加熱して帯電させることにより、パーティクルＰに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜８をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハＷの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を１回あるいは２回以上実施することで、より一層確実にパーティクルＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】手作業での環状隔壁部材の位置の変更や交換、あるいは処理ガス吐出部自体の交換をせずに、処理ガスの吐出位置を変更することが可能な処理ガス吐出部を有する処理装置を提供する。
【解決手段】載置台に対向して処理室内に設けられ、内部の隔壁１４を介して互いに区画される処理ガス吐出孔１６を有する処理ガス吐出部５と、被処理体面内のうちセンター部分に対応する第１の空間１５ａ、被処理体面内のうちエッジ部分に対応する第２の空間１５ｉ、及び第１の空間１５ａと第２の空間１５ｉとの間に設けられた少なくとも１つの第３の空間１５ｂ〜１５ｈ、に連通された処理ガス分配管１８ａ〜１８ｉ、さらに、隣接する処理ガス分配管１８ａ〜１８ｉどうしの間を開閉するバルブ１９ａ〜１９ｈを含む処理ガス分配ユニット１２と、を具備する処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理されたウエハの異常原因を分析する。
【解決手段】クラスタ型のプラズマ処理システム１０に配置された２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかにおいてプラズマ処理されたウエハＷの異常原因分析方法であって、ウエハＷがフープ１１５ａ〜１１５ｃから搬出され、前記２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかに搬送された後、前記フープ１１５ａ〜１１５ｃに戻るまでの搬送経路の情報を前記ウエハＷ毎に該ウエハの識別情報に関連付けて記憶する記憶工程と、処理済のウエハＷの状態を検査する検査工程と、前記検査工程の結果、異常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報と、正常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報とを比較し、比較の結果に基づき異常原因の分析を行う異常分析工程と、を含む異常原因分析方法を提供する。 （もっと読む）