【課題】基板を処理する減圧処理容器内のパーティクルを適切にモニタリングする。
【解決手段】減圧処理容器１２からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタ方法であって、減圧処理容器１２を清浄化している間に、減圧処理容器１２からの排気に含まれるパーティクルをパーティクルモニタ１８により計数し、パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成し、当該ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第１の特徴量を抽出し、ヒストグラムから、パーティクルの計数期間と当該計数期間におけるパーティクルの分布傾向との相関を表す第２の特徴量を抽出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生器内のセンサの電源の具体的な構成を提供する。
【解決手段】プラズマ発生器は、容器１０と、容器１０に取り付けられ互いに対向するアンテナ（第一電極）２２および下部ステージ（第二電極）３２とを有し、アンテナ２２に所定の周波数の電圧が印加されて下部ステージ３２に交流バイアス電圧が印加されることにより、容器１０内にプラズマ１が発生する。プラズマ発生器内の下部ステージ（第二電極）３２にウェハ２が載せられており、測定装置４がウェハ２に載せられている。測定装置４は、電源装置４１、センサ４２、マイクロコンピュータ（測定結果処理器）４４を有する。センサ４２は、プラズマ発生器の内部の状態を測定する。電源装置４１は、センサ４２の電源となり、プラズマ１の発生に伴って生ずる光を受けて、電力に変換する太陽電池４１ａを備える。センサ４２は太陽電池４１ａから電力を受けて作動する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新規な優れた基材の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ_２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法である。 （もっと読む）

ウェハ質量の変化によって処理工程が特徴付けられる、それによって、製造の間、１つ以上の処理工程における統計的な処理制御を実現するための測定可能なパラメータとして質量が用いられる、半導体ウェハ製造メトロロジー方法。ある局面において、測定された質量分布の形状は、処理を監視するために、予め定められた特有の質量分布の形状と比較される。処理の制御変数と特有の質量変化との間における、定められた、実験に基づく関係によって、測定された質量分布と特有の質量分布との差が、制御変数について情報を与えることを可能にし得る。別の実施例において、個々の計測された、現在の分布におけるウェハ質量変化の相対的な位置は、一般的な処理問題から独立して、個々のウェハ問題についての情報を与える。
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半導体構造をエッチングするためのパルス化反応ガスを補充するパルス化プラズマシステムが記載されている。ある実施形態において、サンプルの一部はパルス化プラズマ・エッチング・プロセスを適用することにより除去される。パルス化プラズマ・エッチング・プロセスは複数のデューティサイクルから成り、各デューティサイクルはプラズマのオン状態とオフ状態の組合せを表す。プラズマは反応ガスから生成され、反応ガスはプラズマのオン状態の間でなくオフ状態の間に補充される。別の実施形態では、サンプルの第１部分は連続プラズマ・エッチング・プロセスを適用して除去される。次に連続エッチング・プロセスは終了され、そしてサンプルの第２部分はパルス化反応ガスを補充するパルス化プラズマ・エッチング・プロセスを適用することにより除去される。 （もっと読む）

【課題】フィードフォワード制御時の制御値となる目標値を適正化する。
【解決手段】ＴＬ８００は、ＰＭ４００をフィードフォワード制御およびフィードバック制御する。具体的には、記憶部８５０は、異なる処理手順が示された複数のレシピとエッチング処理するときの制御値となる目標値を記憶する。通信部８５５は、ウエハＷの処理状態をＩＭＭ６００に測定させ、その測定情報を受信する。演算部８６５は、ウエハＷの処理前後の測定情報に基づいて今回処理されたウエハＷのフィードバック値を算出し、更新部８７０は、フィードバック値により目標値を更新する。レシピ調整部８７５は、レシピを変更することにより同一ＰＭ４００において実行されるプロセスを変更する。プロセス実行制御部８８０は、変更後のプロセス実行時、更新された目標値を引き続き用いて、同一ＰＭ４００のウエハＷをフィードフォワード制御する。 （もっと読む）

【課題】フィードバック値の変化の程度に基づきフィードバック値の適正化を図る。
【解決手段】ＴＬ８００は、ＰＭ４００をフィードフォワード制御およびフィードバック制御する。具体的には、記憶部８５０は、ウエハＷにエッチング処理を施すときの制御値となる目標値を記憶する。通信部８５５は、ウエハＷの処理状態をＩＭＭ６００に測定させ、その測定情報を受信する。演算部８６５は、受信された測定情報のうち、ウエハＷの処理前後の測定情報に基づいて今回処理されたウエハＷのフィードバック値を算出し、前回算出されたフィードバック値との変化値ΔＦＢを算出する。判定部８７０は、変化値ΔＦＢと所定の閾値とを比較することにより、今回算出されたフィードバック値を破棄するか否かを判定する。更新部８７５は、破棄しないと判定された場合、今回算出されたフィードバック値により目標値を更新する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを連続して搬送して処理する際に，スループットを低下させることなく，ウエハの搬送の無駄を防止する。
【解決手段】処理前の表面プロファイルを測定したときに先ず第１回目のフィードフォワード計算を実行し，その結果得られた処理パラメータの値が許容範囲内となる処理室の判定を行う。そして，許容範囲内となる処理室にのみウエハの搬送を実行し，その処理室の手前までウエハを搬送し，その処理室での直前の処理に基づくフィードバック計算の結果を反映した第２回目のフィードフォワード計算を実行し，その結果算出された処理パラメータ処理によってウエハの処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】従来のサーバ装置においては、測定情報を出力対象となる期間を適切に指定できないという課題があった。
【解決手段】被処理基板に対する所定のプロセスを行う１以上の製造装置１１を備えた群管理システムを構成するサーバ装置１２であり、１以上の製造装置１１で所定のプロセスを実行した場合の測定値と時刻を示す時刻情報を有する時系列の情報である測定情報を、複数格納し得る測定情報格納部１２０１と、所定の始点を特定する情報と有効時間の情報とを含む、測定情報の出力指示を受け付ける指示受付部１２０５と、所定の始点から有効時間内の測定情報を、測定情報格納部１２０１から取得する測定情報取得部１２０３と、取得した測定情報を用いた出力情報を構成する出力情報構成部１２０６と、出力情報構成部１２０６が構成した出力情報を出力する出力部１２０７を具備するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供する。
【解決手段】ある態様では、本発明は、半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供し、その方法は、半導体処理活動中の電力変動事象の発生を検出するために半導体処理装置に供給される電力を監視する過程を含む。電力変動事象を検出すると、半導体処理は、中断されてよい。電力変動事象の終了の後に、半導体処理装置の少なくとも一つの動作パラメーター、例えば、排気された処理チャンバ内の真空レベル、が測定されてよく、半導体処理は、測定された動作パラメーターが受容可能な範囲内にある場合には、再開されてよい。測定された動作パラメーターは、好ましくは、電力変動事象によって悪影響を及ぼされた場合に他の動作パラメーターよりもゆっくりと回復する動作パラメーターを含んでいてよい。 （もっと読む）

単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するシステムであり、前記単一のフローを受け取る入口と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ラインと、少なくとも１つの所望のフロー比率を受け取る入力手段と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供する少なくとも１つのインサイチュ・プロセス・モニタと、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタとに接続されたコントローラとを含む。このコントローラは、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタから前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。製品測定値が等しくない場合には、訂正されたフロー比率は所望のフロー比率とは異なるようになる。
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