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Fターム[5F004DA00]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 処理に用いるガス (14,486)

Fターム[5F004DA00]の下位に属するFターム

CF4 (1,450)
C2F6 (313)
C3F8 (211)
Cl2 (911)
CCl4 (102)
CCl2F2 (8)
CClF3 (36)
C2Cl2F4 (1)
C2Cl3F3 (2)
CBrF3 (9)
BCl3 (356)
PCl3 (2)
SiCl4 (132)
CHCl3 (22)
CH2F2 (321)
CHF3 (793)
NF3 (544)
SF6 (890)
XeF2 (78)
HF (219)
Air (40)
He (632)
Ar (1,539)
H2 (517)
N2 (930)
O2 (2,010)
O3 (172)
NO2 (43)
HCl (151)
混合量の変化 (134)

Fターム[5F004DA00]に分類される特許

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【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】酸化シリコン層又は窒化シリコン層が側壁部に形成されたシリコン含有層の除去を、残渣が生じることなく、かつ、下層膜のロスを生じさせずに行うことができ、良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、パターニングされたシリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆うように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を形成する成膜工程と、シリコン含有層を選択的に除去し、側壁部に形成された窒化シリコン層又は酸化シリコン層を残すプラズマエッチング工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチング工程では、SFガスを含むエッチングガスを用いる。 (もっと読む)


【課題】HFガスを用いたガラス基板のエッチング時に、チェンバ内壁に付着したアルカリ元素のフッ化物からなる堆積膜やパーティクルを従来に比して容易に洗浄することができるガラス基板処理装置を得ること。
【解決手段】真空チェンバ11と、真空チェンバ11内でガラス基板100を保持する基板ステージ12と、真空チェンバ11内にガラス基板100を処理する処理ガスを供給するガス供給機構20と、基板ステージ12の基板保持面に対向して配置され、基板ステージ12に向けて処理ガスを吐出するガスシャワーヘッド13と、真空チェンバ11内のガスを排気する排気手段と、真空チェンバ11内を洗浄水110で洗浄するシャワーヘッド31と、真空チェンバ11内に貯留した洗浄水110を排水する排水機構40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】プラズマ密度の低下を防止できるプラズマ供給ユニットが提供される。
【解決手段】本発明によるプラズマ供給ユニット300はソースガスが供給される放電空間ISが形成されたプラズマチャンバー310と、放電空間ISに高周波電力を印加してソースガスを放電させる電力印加部330と、放電空間ISに連結され放電されたソースガスが流入する流入空間FSを有する流入ダクト340と、を含み、放電空間ISを形成するプラズマチャンバー310の内側壁311は第1材質で形成され、流入空間FSを形成する流入ダクト340の内側壁341は第1材質と異なる第2材質で形成される。 (もっと読む)


【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホールの側壁に制御性良く傾斜を形成することで、コンタクトプラグにボイドが形成されることを抑制する。
【解決手段】絶縁膜10に第1のコンタクトホール(破線部)を形成する工程と、第1のコンタクトホールの内壁を構成する絶縁膜の上方ほどエッチング量が多くなるケミカルドライエッチングを施して内壁が傾斜した第2のコンタクトホール13を形成する工程と、第2のコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン12をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極13nまたはゲート電極13pを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン12を除去し、ゲート電極13nまたはゲート電極13pの側面に付着した反応生成物14を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板をエッチングする際、ハードマスクの肩落ちによるエッチング深さの基板面内での粗密差を低減する。
【解決手段】半導体基板1上に、絶縁層(10,11)とアッシング除去可能な材料層を形成する工程と、材料層をパターニングする工程と、パターニングされた材料層をマスクに、絶縁層を貫通し、少なくとも半導体基板の一部をエッチングする第1のエッチング工程と、材料層がなくなる前にエッチングを一旦停止し、残存する材料層(12)をアッシング除去する工程と、絶縁層をマスクに半導体基板を所定の深さにエッチングする第2のエッチング工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト7、無機材料の中間層8、上層フォトレジスト9を形成し、上層フォトレジスト9をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板1をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第1反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第1反応ガスを第2反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層8をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第2反応ガスを第3反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層7をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】電気的特性が良好な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板の上面に、第1方向に延びる複数の凹部を形成する工程と、前記凹部が形成された前記シリコン基板を、弗素又は弗化物を含むガス中でプラズマ処理する工程と、前記プラズマ処理する工程の後で、前記シリコン基板を、水素を含むガス中で熱処理する工程と、前記熱処理する工程の後で、前記凹部の内面上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低マイクロ波電力から高マイクロ波電力の広範囲において、安定的なプロセス領域を確保できるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域にて、プラズマの生成を容易にするとともに前記容易に発生させられたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、オンとオフを繰り返すパルス放電により前記プラズマを容易に生成し、前記パルス放電を生成する高周波電力のオン期間の電力は、前記連続放電によるプラズマの生成が容易になる電力とし、前記パルス放電のデューティー比は、前記高周波電力の一周期あたりの平均電力が前記連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域の電力となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法である。 (もっと読む)


【課題】テーパー形状と垂直形状が連通した形状を効率的に形成できる微細構造の形成方法及び流体噴射ヘッドの製造方法の提供。
【解決手段】基板1に垂直な側壁部を有する第1開口部7と、第1開口部7と連通するテーパー状の側壁部を有する第2開口部10と、を備えた微細構造の形成方法であって、基板1上に階段状の構造を有する貫通孔5を備えたマスク2を形成する第1工程と、マスク2を介してドライエッチング工程と、保護膜8を形成するパッシベーション工程とを交互に連続して繰り返すことにより第1開口部7と第2開口部10とを形成する第2工程と、を備え、第2工程では、ドライエッチングにおけるエッチング量をパッシベーションにおいて形成される保護膜8の量よりも多くし、第2開口部10の側壁部となる基板1の一部をエッチングしつつ第1開口部7の底面をエッチングすることで、第2開口部10の側壁部をテーパー状に形成する。 (もっと読む)


【課題】ラジカル密度を均一化し、エッチングの均一性を向上させることのできる無電極方式のプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】減圧処理室20と、第一のガス導入機構16と、誘電体窓26と、プラズマ生成手段(13、15)と、試料21を載置する試料台18と、試料台18に接続された第一の高周波電源29とを有する無電極方式のプラズマエッチング装置において、第二のガスを供給するためのガス導入機構(36、40)と、試料21の外周周辺にラジカルを発生させる高周波電力を投入するための第二の高周波電源2とを更に有する。 (もっと読む)


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