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Fターム[5F004DA16]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 処理に用いるガス (14,486) | CHF3 (793)

Fターム[5F004DA16]に分類される特許

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【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するN+1個の補正量計算ユニットと、N番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するN個の操作変数追加ユニットとを備え、N番目の操作変数追加ユニットは、N+1番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をN+1番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 (もっと読む)


【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置60は、シャワーヘッド16と、処理ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する処理ガス供給部66と、処理ガス供給部66からの処理ガスを流す処理ガス供給流路64と、処理ガス供給流路64から分岐してシャワーヘッド16に処理ガスを供給する分岐流路64a,64bと、付加ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する付加ガス供給部75と、付加ガス供給部75からの付加ガスをシャワーヘッド16に流す付加ガス供給流路76とを具備し、シャワーヘッド16は、ウエハWの配置領域にガスを供給する第1、第2ガス導入部51,52と、ウエハWの外縁よりも外側にガスを供給する第3ガス導入部53とを有し、分岐流路64a,64bは第1、第2ガス導入部51,52に接続され、付加ガス供給流路76は、第3ガス導入部53に接続されている。 (もっと読む)


【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】エッチング量が均一であり、エッチング時のウェハの温度を常温と低温の両方に設定できるドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング対象のウェハ6と同じ材料からなり、クランプ7に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ6の周囲を取り囲むように設けられ、ウェハ6と共にエッチングされる常温エッチング用ダミーウェハ10と、エッチング対象のウェハ6と同じ材料からなり、クランプ7に対して着脱自在に設けられると共に、上面視でウェハ6の周囲を取り囲むように設けられ、クランプ7とウェハ6間に介在してウェハ6を下部電極4に固定すると共に、ウェハ6と共にエッチングされる低温エッチング用ダミーウェハ11と、を備え、いずれかのダミーウェハ10,11を用いてエッチングを行うものである。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン12をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極13nまたはゲート電極13pを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン12を除去し、ゲート電極13nまたはゲート電極13pの側面に付着した反応生成物14を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト7、無機材料の中間層8、上層フォトレジスト9を形成し、上層フォトレジスト9をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板1をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第1反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第1反応ガスを第2反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層8をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第2反応ガスを第3反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層7をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】半導体基板をエッチングする際、ハードマスクの肩落ちによるエッチング深さの基板面内での粗密差を低減する。
【解決手段】半導体基板1上に、絶縁層(10,11)とアッシング除去可能な材料層を形成する工程と、材料層をパターニングする工程と、パターニングされた材料層をマスクに、絶縁層を貫通し、少なくとも半導体基板の一部をエッチングする第1のエッチング工程と、材料層がなくなる前にエッチングを一旦停止し、残存する材料層(12)をアッシング除去する工程と、絶縁層をマスクに半導体基板を所定の深さにエッチングする第2のエッチング工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥(凹状欠陥、凸状欠陥)を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド21,11が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤20と下定盤10との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側20より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも1以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤20側にセットして行う。 (もっと読む)


【課題】ラジカル密度を均一化し、エッチングの均一性を向上させることのできる無電極方式のプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】減圧処理室20と、第一のガス導入機構16と、誘電体窓26と、プラズマ生成手段(13、15)と、試料21を載置する試料台18と、試料台18に接続された第一の高周波電源29とを有する無電極方式のプラズマエッチング装置において、第二のガスを供給するためのガス導入機構(36、40)と、試料21の外周周辺にラジカルを発生させる高周波電力を投入するための第二の高周波電源2とを更に有する。 (もっと読む)


【課題】改良されたチャンバ洗浄機構、装置、および方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理のさらなる調整を可能にするために利用されてもよい。一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ100は、基板を受けるよう構成された内側下部電極131と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極135とを備えた下部電極アセンブリ130を備えている。プラズマ処理チャンバは、上部電極111を備え内側下部電極と外側下部電極との真上に配置された上部電極アセンブリ110を、さらに備える。 (もっと読む)


【課題】シリコン含有物を含む被処理基板のの表面にオングストロームオーダー〜ナノオーダーの微小凹凸を形成する粗化処理の処理性能を高める。
【解決手段】大気圧近傍の処理エリア29に被処理基板9を配置する。フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有するプロセスガスを供給系10から処理エリア29に供給する。調節部3によって、処理エリア29の露点Tと被処理基板9の温度Tとの間の温度差(T−T)を0℃付近〜20℃の範囲内の所定値になるように調節する。 (もっと読む)


【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第1配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第2配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第1及び第2配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第1ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第2ステップとが行われる。第1及び第2ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 (もっと読む)


【課題】ビアホールやトレンチなどのエッチング形状をウエハ面内で均一化することが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理対象の基板へ供給されるエッチングガスの供給条件を調節する供給条件調整部と、載置台上に載置される前記基板の温度を前記半径方向に沿って調整する温度調整部と、前記供給条件調整部及び前記載置台の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するエッチング装置において前記基板をエッチングするエッチング方法であって、前記基板の温度が前記基板面内で均一になるように前記温度調整部により制御する工程と、前記プラズマ発生部により発生されるプラズマ中の中性活性粒子の前記基板上方における濃度分布を前記供給条件調整部により調整することにより、前記基板面内でのエッチングレートを均一化する工程とを含むプラズマエッチング方法により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンの下層レジスト膜71、ハードマスクとしてのSiON膜72、反射防止膜73及びフォトレジスト膜74が順に積層されたシリコン基材70において、CFIガスとHガスとの混合ガスから生成されたプラズマによってフォトレジスト膜74の開口部75の側壁面にデポ76を堆積させて開口部75の開口幅を縮小させるシュリンク工程と、反射防止膜73及びSiON膜72をエッチングするエッチング工程とを1ステップで行う。 (もっと読む)


【課題】被処理物の大型化に対応して吹出ノズルが長大化しても、吹出ノズルのメンテナンスを容易に行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置1の吹出ノズル2は、吹出口2cを有して巾方向Wに延びている。吹出ノズル2は、巾方向Wの第1側の第1分割ノズル10と、巾方向Wの第2側の第2分割ノズル20とに分割されている。分割ノズル10,20どうしの接合面30が、巾方向Wに互いにずれた一対の当接面31,32を有し、これら当接面31,32間に段差33が形成されている。分割ノズル10,20が、それぞれ吹出口2cを挟んで搬送方向Yの両側の一対の分割ノズル部材11,12,23,24に分割されている。 (もっと読む)


【課題】カバレージ性の高い、面内均一性に優れたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマによりターゲット(31)から叩き出されたスパッタ粒子を基板(W)の表面に堆積させるに際して、そのスパッタ粒子をプラズマで分解して活性種を生成した後、基板表面へ堆積させる。これにより、プラズマCVDに類似した成膜形態が得られ、カバレージ性の高い、面内均一性に優れたスパッタ成膜が可能となる。特に、プラズマ源に高周波電場と環状磁気中性線(25)を用いているので、磁場ゼロ領域で非常に高密度なプラズマを効率よく発生させることができる。このプラズマは、磁気中性線の形成位置、大きさを任意に調整することで面内均一性の高いプラズマ処理が実現可能となる。 (もっと読む)


【課題】転写用マスクの黒欠陥の発生を抑制することのできるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜の表面に、エッチング阻害要因物質の濃度が0.3ppbよりも高く、pHが8以上である第1の処理液を用いて表面処理を行う第1処理工程と、前記第1処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が0.3ppb以下であり、pHが8以上である第2の処理液を用いて表面処理を行う第2処理工程と、前記第2処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が0.3ppb以下であり、pHが6より大きく8未満である第3の処理液を用いて表面処理を行う第3処理工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 (もっと読む)


【課題】純粋化学エッチング並びにRIEエッチングにおいてエッチング速度の均一性向上のための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法において、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第1プラズマをストライク処理するステップを含む。この方法はさらに、基板上の複数層を第1エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リング302を設置するステップとを含む。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第2プラズマをストライク処理するステップを含む。方法はさらに、基板上の複数層を第2エッチングステップでエッチングするステップをむ。第1ステップのエッチングと第2ステップのエッチングとは実質的に均等である。 (もっと読む)


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