【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＨＦガスを用いたガラス基板のエッチング時に、チェンバ内壁に付着したアルカリ元素のフッ化物からなる堆積膜やパーティクルを従来に比して容易に洗浄することができるガラス基板処理装置を得ること。
【解決手段】真空チェンバ１１と、真空チェンバ１１内でガラス基板１００を保持する基板ステージ１２と、真空チェンバ１１内にガラス基板１００を処理する処理ガスを供給するガス供給機構２０と、基板ステージ１２の基板保持面に対向して配置され、基板ステージ１２に向けて処理ガスを吐出するガスシャワーヘッド１３と、真空チェンバ１１内のガスを排気する排気手段と、真空チェンバ１１内を洗浄水１１０で洗浄するシャワーヘッド３１と、真空チェンバ１１内に貯留した洗浄水１１０を排水する排水機構４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの側壁に制御性良く傾斜を形成することで、コンタクトプラグにボイドが形成されることを抑制する。
【解決手段】絶縁膜１０に第１のコンタクトホール（破線部）を形成する工程と、第１のコンタクトホールの内壁を構成する絶縁膜の上方ほどエッチング量が多くなるケミカルドライエッチングを施して内壁が傾斜した第２のコンタクトホール１３を形成する工程と、第２のコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表面における縁部を除く領域に凹凸形状を形成する。
【解決手段】基板の処理面の周縁部を選択的に覆うように配され、前記真空容器における前記ガス供給部側の内壁から前記基板ステージに向かって延在している延在部１２０と、前記基板の処理時において、前記ガス供給部と前記延在部と前記基板の処理面とで囲まれた第１の空間１０１と前記第１の空間より外側の第２の空間１０２とが互いに分離されるように前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を近づけ、前記基板の交換時において、前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を遠ざける距離調整機構２０と、第１の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第１の空間を減圧する第１の排気口１２と、第２の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第２の空間を減圧する第２の排気口１４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】工程および装置構成を煩雑にすることなく、高エッチングレートで銅を異方性エッチングする装置、及びその方法を実施するプログラムを記憶した媒体を提供する。
【解決手段】チャンバ内に表面に銅膜１０４を有する基板１０１を配置し、チャンバ内を真空状態としつつ、チャンバ内に有機化合物１０６を供給し、銅膜に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオン１０７により、銅膜の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅膜を異方的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第１処理工程と、第１処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第２処理工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ１を所定間隔をもって起立状態でＸ方向に整列させて収容する反応処理槽１０と、反応処理槽１０の底面に設けられ、反応処理槽１０にフッ化水素ガスを供給するガス供給口１１とを備え、ガス供給口１１は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ１２を有する。フィルタ１２によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ１の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ１上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】種々の材料のガスクラスタイオンのビーム（ＧＣＩＢ）エッチングプロセスを実行するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１の材料、第２の材料及び前記第１の材料及び／又は第２の材料を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持し、１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を選択し、少なくとも１つのエッチングガスを含む加圧ガスからガスクラスタイオンビーム（ＧＣＩＢ）を形成し；前記１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を達成するために前記ＧＣＩＢについてのＧＣＩＢプロセス条件の１又はそれ以上のＧＣＩＢ性質を設定し；前記減圧環境を通じて前記ＧＣＩＢを加速し；及び前記基板の前記表面の少なくとも１部分に前記ＧＣＩＢを照射して、前記第１の材料及び前記第２の材料の少なくとも１部分をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をｉｎ−ｓｉｔｕで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段１３と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段１４と、フッ素含有ガス供給手段１３及び酸素含有ガス供給手段１４と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー１１内に供給するプラズマ発生手段１５と、成膜チャンバー１１からの排ガスを分析する排ガス分析手段１９と、排ガス分析手段１９の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段１３、酸素含有ガス供給手段１４、及びプラズマ発生手段１５を制御する制御手段２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内を結晶性の高いエピタキシャル膜で埋めることができ、特にｐｎコラムの形成に適する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングにより半導体基板１０ａにトレンチＴ１を形成するトレンチ形成工程と、１２０℃以下の低温で行うケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）またはウエットエッチングによりトレンチＴ１の表層部をエッチングして、第１ダメージ層Ｄ１を除去する第１ダメージ層除去工程と、半導体基板１０ａを非酸化性かつ非窒化性の雰囲気下において１０５０℃以上の高温で熱処理を行い、第１ダメージ層Ｄ１の下層に存在する第２ダメージ層Ｄ２の結晶性を回復する第２ダメージ層回復工程と、トレンチＴ１内にエピタキシャル膜３を形成して、トレンチＴ１をエピタキシャル膜３で埋め込むトレンチ埋め込み工程とを有してなる半導体基板１０の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に形成されたパターンの倒れ、あるいは被処理体の表面の膜荒れなどといった被処理体に対するダメージを抑えながら、被処理体の表面に付着したパーティクルなどの付着物を容易に除去すること。
【解決手段】ウエハＷに対して前処理としてフッ化水素の蒸気の供給を行い、ウエハＷの表面の自然酸化膜１１を溶解させることにより、前記自然酸化膜１１の表面に付着している付着物１０について、ウエハＷの表面からいわば浮いた状態となるようにする。その後、ウエハＷの置かれる雰囲気よりも圧力の高い領域から下地膜１２に対して反応性を持たない二酸化炭素ガスを供給し、断熱膨張により当該ガスを凝縮温度以下に冷却してガスクラスターを発生させる。そして、このガスクラスターを非イオン化の状態でウエハＷに照射して、付着物１０を除去する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊および残渣の発生を抑制または防止すること。
【解決手段】フッ化水素を含むＨＦベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを基板に供給することにより、不要物をエッチングして基板から除去する除去工程（Ｓ２）が行われる。また、除去工程と並行して、基板上の溶剤を蒸発させる蒸発工程（Ｓ２）が行われる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上を図る。
【解決手段】本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置１００は、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板２０を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部１５と、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部１２と、そのエッチングガスと酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物とを排出する排出部１６と、を備えるプロセスチャンバーを有している。その上で、前述の間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理後の放置時間の長短に係わらず、効率的に堆積物を除去することができ、かつ、パターン中の構造物の二酸化シリコンに対するダメージを抑制することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、前記酸素プラズマ処理工程の後、前記基板を、処理チャンバー内でフッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気に晒し、かつ、前記アルコールガスの分圧を第１の分圧とする第１の期間と、処理チャンバー内を排気し前記アルコールガスの分圧を第１の分圧より低い第２の分圧とする第２の期間とを、複数サイクル繰り返すサイクル処理工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する際に、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な除去を行うことができる半導体ウェーハの酸化膜除去方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング装置１０のステージ１３上に、酸化膜３２が形成された半導体ウェーハ３１の裏面を下にして水平に載置した後、半導体ウェーハ３１にエッチングガス１４を供給することにより、半導体ウェーハ３１の端面に形成された余分な酸化膜３２を気相エッチングにより除去する半導体ウェーハの酸化膜除去方法であって、ステージ１３上に載置された半導体ウェーハ３１の表面からチャンバ１１の天井までの高さをｈとするとき、半導体ウェーハ３１の端面における、ウェーハ表面からｈ／２高さまでの間のエッチングガス１４の平均流速を制御して気相エッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の不要部位を、基板の有効領域への悪影響を抑えた状態で良好に洗浄することができる技術を提供すること。
【解決手段】エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Ｔが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Ｐが付着したウエハＷを真空室内の回転ステージに載置する。真空室内には、ウエハＷの上方側及び下方側にガスクラスターノズルが設けられ、これらノズルから洗浄処理に対応した洗浄ガスのクラスターＣをウエハＷの表面側及び裏面側のベベル部に照射し、ガスクラスターＣの衝突による物理的作用とガスと除去対象部位との化学的作用とにより、針状突起群Ｔ及び複合化合物Ｐを除去する。さらに、パージガスをガスクラスターＣの照射箇所に吐出することで、洗浄により生じた飛散物のウエハＷへの再付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 （もっと読む）

【課題】稼働率を向上させる基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板処理方法、クリーニング方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、反応管に設けられたガス導入ノズルにより、前記反応管内に酸化性ガスを導入して支持具により支持した基板に酸化膜を形成する工程と、酸化膜形成後の基板を前記反応管内から搬出して、前記反応管内をクリーニングする工程とを有し、前記反応管内をクリーニングする工程は、前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管内にフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給することにより、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルのうちの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去する工程と、前記所定の温度を維持した状態で前記反応管内に不活性ガスを供給する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ワーク表面に均一な濃度で処理ガスを吹き付けることができる表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】
ノズル装置のガス通路は、処理ガスが供給されるガス供給口と、上記ガス供給口からの処理ガスを分け、一直線上に間隔をおいて水平に並んだ多数の分岐下流端１２ｂへと送る通路分岐部と、これら分岐下流端１２ｂの配列方向と平行をなして直線的に連続して延びる合流部８０と、流れ方向変更部９０と、吹出スリット６１とを有している。流れ方向変更部９０は、多数の分岐下流端１２ｂから合流部８０へ送られてきた処理ガスを、下向きに送る第１通路部分９１と、上向きに送る第２通路部分９２と、下向きに送る第３通路部分９３とを有し、この第３通路部分９３からの処理ガスが吹出スリット６１からワークＷに向かって下向きに吹き付けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）