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Fターム[5F004DA24]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 処理に用いるガス (14,486) | H2 (517)

Fターム[5F004DA24]に分類される特許

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【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ密度の均一性を高めることの可能な表面波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】表面波プラズマ処理装置は、導波管20の誘電窓16と互いに向い合う部位にスロットアンテナ21を備えるとともに、基台12と誘電窓16との間に、遮蔽部32と透過部33とを有する遮蔽部材30を備えている。そして、遮蔽部材30は、載置面の法線方向から見て、スロットアンテナ21のアンテナ部24の面積をS1、アンテナ部24と遮蔽部32との重なる部分の面積をS2、スロットアンテナ21の開口部23の面積をS3、開口部23と遮蔽部32との重なる部分の面積をS4とすると、S2/S1<S4/S3が満たされるように構成される。 (もっと読む)


【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置60は、シャワーヘッド16と、処理ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する処理ガス供給部66と、処理ガス供給部66からの処理ガスを流す処理ガス供給流路64と、処理ガス供給流路64から分岐してシャワーヘッド16に処理ガスを供給する分岐流路64a,64bと、付加ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する付加ガス供給部75と、付加ガス供給部75からの付加ガスをシャワーヘッド16に流す付加ガス供給流路76とを具備し、シャワーヘッド16は、ウエハWの配置領域にガスを供給する第1、第2ガス導入部51,52と、ウエハWの外縁よりも外側にガスを供給する第3ガス導入部53とを有し、分岐流路64a,64bは第1、第2ガス導入部51,52に接続され、付加ガス供給流路76は、第3ガス導入部53に接続されている。 (もっと読む)


【課題】プラズマ密度の低下を防止できるプラズマ供給ユニットが提供される。
【解決手段】本発明によるプラズマ供給ユニット300はソースガスが供給される放電空間ISが形成されたプラズマチャンバー310と、放電空間ISに高周波電力を印加してソースガスを放電させる電力印加部330と、放電空間ISに連結され放電されたソースガスが流入する流入空間FSを有する流入ダクト340と、を含み、放電空間ISを形成するプラズマチャンバー310の内側壁311は第1材質で形成され、流入空間FSを形成する流入ダクト340の内側壁341は第1材質と異なる第2材質で形成される。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、ソレノイドコイル3が、第一石英板4、第二石英板5、及び、複数の石英管6によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。石英管6の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン12をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極13nまたはゲート電極13pを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン12を除去し、ゲート電極13nまたはゲート電極13pの側面に付着した反応生成物14を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、金属膜をドライエッチングする。 (もっと読む)


【課題】転写用マスクの黒欠陥の発生を抑制することのできるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜の表面に、エッチング阻害要因物質の濃度が0.3ppbよりも高く、pHが8以上である第1の処理液を用いて表面処理を行う第1処理工程と、前記第1処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が0.3ppb以下であり、pHが8以上である第2の処理液を用いて表面処理を行う第2処理工程と、前記第2処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が0.3ppb以下であり、pHが6より大きく8未満である第3の処理液を用いて表面処理を行う第3処理工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 (もっと読む)


【課題】低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜の除去を行うことのできる有機膜の除去方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、酸素又は窒素を含む第1のガスと、CxHy(x,yは正の整数)で示される第2のガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを被処理基板に作用させて有機膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】成膜装置内の効率的なクリーニングを可能とする。
【解決手段】実施形態の成膜装置のクリーニング方法は,塩素ガス,炭化水素ガス,および塩化炭化水素ガスのいずれか1つを有するクリーニングガスをプラズマ化するステップと,前記プラズマ化されたクリーニングガスを加熱された成膜装置の内部に供給するステップと,を具備する。 (もっと読む)


【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ1を所定間隔をもって起立状態でX方向に整列させて収容する反応処理槽10と、反応処理槽10の底面に設けられ、反応処理槽10にフッ化水素ガスを供給するガス供給口11とを備え、ガス供給口11は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ12を有する。フィルタ12によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ1の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ1上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェハ又はその他の基板における転位を減少させる、水素ベースのフォトレジスト剥離処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】水素ベースのフォトレジスト剥離を、1)オーバーストリッピングの継続時間を最小限にし、短い工程を採用することにより、水素収支を最小にする、2)例えば2%〜16%の水素濃度の希釈水素を供給する、3)プロセス条件や化学反応を制御することにより、材料の損失を最小限に抑える、4)レジスト剥離を低温で行う、5)注入条件及び濃度を制御する、6)剥離後のベントプロセスを1つ又は複数行う。 (もっと読む)


【課題】CO含有プラズマの条件によらず、安定してクリーニングプラズマを生成する方法を提供する。
【解決手段】被エッチングウェハ802上に形成された磁性膜を、真空容器801内に導入されたCとOの元素を含むCO含有ガスにソース電力を印加することでCO含有ガスをプラズマ化し、生成したCO含有プラズマを用い加工する際に、該CO含有プラズマにて被エッチングウェハ802上に形成された磁性膜に所定の加工を施した後、ソース電力806を印加したまま、クリーニングガスを導入し、その後CO含有ガスの導入を停止することで、所定のクリーニングガスを用いたクリーニングプラズマを生成する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】ウェハ表面のエッチング量の均一さを悪化させずに、エッチング量を増加せしめる酸化膜除去方法及びこの方法に用いるバッチ式半導体デバイス製造装置の提供。
【解決手段】フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させる第1の工程と、この反応によって生じた反応生成物を200℃乃至530℃で加熱・蒸発させて除去する第2の工程とを有するドライエッチング工程を、隣接するシリコンウェハ同士の間隔を2mm乃至5mmに設定して実施する。エッチング室と、マイクロ波励起機構と、ロードロック室と、クリーンブースとで構成され、処理されるシリコンウェハの隣接するウェハ同士を2mm乃至5mmの間隔で載置し得るウェハボートを有している。 (もっと読む)


【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】金属付着物の除去方法は、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物を昇華させるように、前記処理容器内部の温度と、前記処理空間の圧力とを、制御する。 (もっと読む)


【課題】太陽光発電基板面のサブ波長反射防止微細構造のような反射防止微細凹凸構造の形成に好適な単粒子膜エッチングマスクを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】易揮発性分散媒中の球形単粒子分散液を調製する工程、該単粒子分散液を、該単粒子及び該分散媒と非親和性の液体収容槽中の液体面に滴下して単粒子分散液膜を形成する工程、該単粒子分散液膜中の分散媒を揮発させて単粒子が2次元に最密充填配列している単粒子膜を形成する工程、単粒子膜を基板面に移し取る工程を有する。 (もっと読む)


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