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Fターム[5F004DB00]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 被エッチング物 (6,778)

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【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、主表面が設けられた炭化珪素層19が形成される。炭化珪素層19の主表面の一部を覆うマスク17が形成される。主表面に対して傾斜した側面SSが炭化珪素層19に設けられるように、マスク17が形成された炭化珪素層19の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が50%以下である雰囲気下で行われる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン12をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極13nまたはゲート電極13pを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン12を除去し、ゲート電極13nまたはゲート電極13pの側面に付着した反応生成物14を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】処理容器内の処理空間に接する部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】処理容器2内で保持手段22に保持された被処理体Wの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜74の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜70を形成す。これにより、カーボン膜の密着性を向上させ、しかも不要なカーボン膜を除去するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させる。 (もっと読む)


【課題】基材上にパターンを低温かつ低コストで形成することができると共に、リフトオフを容易にできるパターン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン構造体の製造方法では、基材10上に、インクジェット法によりリフトオフ材12を形成する。次に、基材10及びリフトオフ材12上に、原子層堆積法により機能膜14を形成する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ材12を除去することによって、基材10上に、機能膜14からパターン14aを形成する。リフトオフ材12は、樹脂と溶媒とを含むインクを基材10上に塗布した後、溶媒を除去することによって形成される。溶媒は、樹脂に対する第1溶解性を有する第1溶媒と、第1溶解性よりも低い第2溶解性を有する第2溶媒とを含む。第1溶媒は第2溶媒に相溶する。 (もっと読む)


【課題】SiC膜を下地膜としてSiOC系のLow−k膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第1の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第2の高周波電源90を接続し、第2の高周波電源90に制御器95を設け、制御器95は、パワー変調するパワー変調モードで動作させる際、プラズマ着火時に、最初に前記第2の高周波電源90を同一パワーで連続的に高周波電力を供給するモードで動作させ、その後パワー変調モードに切り換えるように制御する。 (もっと読む)


【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第1処理工程と、第1処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第2処理工程と、を具備している。 (もっと読む)


【課題】被処理物の大型化に対応して吹出ノズルが長大化しても、吹出ノズルのメンテナンスを容易に行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置1の吹出ノズル2は、吹出口2cを有して巾方向Wに延びている。吹出ノズル2は、巾方向Wの第1側の第1分割ノズル10と、巾方向Wの第2側の第2分割ノズル20とに分割されている。分割ノズル10,20どうしの接合面30が、巾方向Wに互いにずれた一対の当接面31,32を有し、これら当接面31,32間に段差33が形成されている。分割ノズル10,20が、それぞれ吹出口2cを挟んで搬送方向Yの両側の一対の分割ノズル部材11,12,23,24に分割されている。 (もっと読む)


【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンの下層レジスト膜71、ハードマスクとしてのSiON膜72、反射防止膜73及びフォトレジスト膜74が順に積層されたシリコン基材70において、CFIガスとHガスとの混合ガスから生成されたプラズマによってフォトレジスト膜74の開口部75の側壁面にデポ76を堆積させて開口部75の開口幅を縮小させるシュリンク工程と、反射防止膜73及びSiON膜72をエッチングするエッチング工程とを1ステップで行う。 (もっと読む)


【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも2種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 (もっと読む)


【課題】チャネル移動度を高め、かつチャネル長のばらつきを抑制することができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1には、基準面から5度以内のオフ角を有する主表面MSが設けられている。基準面は、六方晶系の場合は{000−1}面であり、立方晶系の場合は{111}面である。炭化珪素層は基板の主表面MS上にエピタキシャルに形成されている。炭化珪素層には、互いに対向する第1および第2の側壁20a、20bを有する溝6が設けられている。第1および第2の側壁20a、20bの各々はチャネル領域を含む。また第1および第2の側壁20a、20bの各々は、六方晶系の場合は実質的に{0−33−8}面および{01−1−4}面のいずれか一方を含み、立方晶系の場合は実質的に{100}面を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び/又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る2以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び/又はC4以上のモノアルコールのうち少なくとも1種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングにより微細加工を行った場合に、エッチング残渣が少なく、後工程における信頼性が高い非鉛の圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体膜素子1の製造方法は、基板2上に、組成式(K1−xNa)NbOで表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜5を形成する工程と、圧電体膜5を、フッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてエッチングを行う工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】マスク倒れを防止でき、しかもAlCu配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】SiCからなる第2層間膜17上に、下側TiN/Ti膜29、AlCu膜30および上側TiN/Ti膜31を順に積層することによってAlCu配線層34を形成する。次に、AlCu配線層34上に、SiOからなるハードマスク37を形成する。そして、このハードマスク37を利用してAlCu配線層34をドライエッチングすることにより、第1AlCu配線20を形成する。第1AlCu配線20の形成後、第2層間膜17をエッチングすることにより低段部28を形成する。このとき、第2層間膜17(SiC)からCを解離させ、その解離したCを含む反応生成物を側壁保護膜32に定着させることによって、側壁保護膜32を厚くする。 (もっと読む)


【課題】In−Sn−Zn−O系半導体を用いた半導体装置を作製する際の加工技術を確立する。
【解決手段】Clまたは、BClまたは、SiClなどの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりIn−Sn−Zn−O系半導体層を選択的にエッチングする。In−Sn−Zn−O系半導体層上に接して形成する導電層を選択的に除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する場合、塩素を含むガスに加えて酸素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用い、In−Sn−Zn−O系半導体層がほとんど除去されないように導電層を選択的にエッチングすることができる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第1プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第1プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第2プラズマ処理工程とを実施する。第2プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 (もっと読む)


【課題】平行平板型のプラズマ処理装置において、上部電極40を温度調整機構47により設定温度に調整しながらプラズマ処理を行うにあたり、処理の環境雰囲気が変わることに起因する基板間の処理の均一性の低下を抑えること。
【解決手段】プラズマ処理を行うための処理レシピが格納されたレシピ格納部56と、新たな第2の電極の使用を開始した後におけるプラズマ処理の積算時間または基板の処理枚数と、第2の電極の設定温度の補正値と、を入力画面で設定する補正値設定部54と、補正された設定値を記憶する記憶部55と、処理レシピに書き込まれている上部電極40の設定温度を前記記憶部55内の補正値と加算し、補正後の設定温度に基づいて温度調整機構47を制御するプログラムとを備えるようにする。 (もっと読む)


【課題】チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧の設定の自由度を高めることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素層は、基板1の主表面上にエピタキシャルに形成されている。炭化珪素層には主表面に対して傾斜した側壁6を有する溝が設けられている。側壁6は{0001}面に対して50°以上65°以下のオフ角を有する。ゲート絶縁膜8は炭化珪素層の側壁6上に設けられている。炭化珪素層は、ゲート絶縁膜8を介してゲート電極9と対向しかつ第1導電型を有するボディ領域3と、ボディ領域3によって互いに分離されかつ第2導電型を有する1対の領域2、4とを含む。ボディ領域3は5×1016cm-3以上の不純物密度を有する。 (もっと読む)


【課題】極めて微細なパターンを形成できるフォトマスクブランク及びそのフォトマスクブランクに微細パターンを形成したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、少なくとも2層からなる薄膜を有するフォトマスクブランクであって、前記薄膜は、タンタル、窒素、およびキセノンを含む材料からなる第1の層と、該第1の層の上面に積層されるタンタル、酸素、およびアルゴンを含む材料からなる第2の層とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置における配線形状を改善すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、溝領域を規定する第1パターンを有する第1マスクを、サイドウォール形状の転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、前記第1パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第2マスクを、平面図で見た場合に、前記2マスクが前記第1マスクに重なり、前記開口が前記溝領域に重なるように、形成し、第2パターンを形成する工程と、前記第1及び第2マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第1パターンを前記層間膜に転写させる工程と、前記第2マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第2パターンを前記層間膜に転写させる工程とを具備する。前記第1パターンは、前記第2パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。 (もっと読む)


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