【課題】III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工することで極めて平坦な表面を形成しつつ、かつその表面の加工歪みを取り除くことによって、III族金属窒化物の無歪研磨加工面を得ることである。
【解決手段】本方法は、III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工し、前記非極性面の平均表面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とする研磨加工工程、次いで基板を不活性雰囲気下で熱処理する熱処理工程、および基板の非極性面を、ハロゲン含有ガスを用いて反応性ドライエッチングするか、または化学機械研磨加工する加工工程を有する。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート構造におけるゲート絶縁膜の局所的な薄膜化を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１導電型の半導体層１、２と、半導体層２の第１の主面側に設けられた第２導電型のベース層３と、ベース層３の表層部に選択的に設けられた第１導電型のソース領域４と、ソース領域４の表面上に設けられた第１の主電極１１と、半導体層１の第２の主面に設けられた第２の主電極１２と、ソース領域４の表面からベース層３を貫通して半導体層２に至る深さまで形成されたトレンチＴの底面及び側面に設けられたゲート絶縁膜５と、トレンチＴ内におけるゲート絶縁膜５の内側に設けられたゲート電極６とを備え、トレンチＴの底面及び側面は同じ面方位であり、底面の曲率半径は１００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中に割れや変形が発生せずに、大面積で高品質なダイヤモンド単結晶を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶の製造方法は、厚みが１００μｍ以下の板状種結晶としてのダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板１０１上にダイヤモンド単結晶１０２を気相合成法により形成する工程とを備える。ダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程は、厚みが１００μｍを超えるダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板１０１の一部分を除去して厚みを１００μｍ以下にする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】チップ化におけるクラックの発生による歩留まりの低下が抑制された、六方晶構造の基板を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】極性面を主面とする六方晶構造の窒化物系化合物半導体からなる半導体層を基板上に積層したウェハを複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法であって、半導体層の主面２０１に直交する（１−１００）面の法線方向、及びその（１−１００）面に直交する（１１−２０）面の法線方向とそれぞれ平行に切断面を設定するステップと、（１−１００）面の法線方向と平行な切断線に沿って、半導体層の主面から半導体層と基板との境界面の中間地点まで溝を形成するステップと、切断線に沿ってウェハを切断して、主面２０１と直交する非極性面である４つの側面２０２〜２０３を主面に隣接させた複数の半導体装置に分割するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】リーク電流や耐圧低下の防止された、トレンチ構造またはメサ構造を有するIII 族窒化物半導体装置。
【解決手段】Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、ＧａＮ層２上にＴ字型のＵＳＧ膜３を、ＵＳＧ膜３の側面がＧａＮ層２のＡ面とＭ面に平行となるように作製した。その後、ＵＳＧ膜３をマスクとしてＧａＮ層２をドライエッチングした。図２ａ、ｂのように、Ａ面よりもＭ面の方が荒れが少ないことが分かる。次に、ＴＭＡＨ水溶液でウェットエッチングした。図２ｃ、ｄのように、Ａ面、Ｍ面ともに荒れが解消されていて、特にＭ面は鏡面状になっている。したがって、トレンチ溝側面またはメサエッチング側面をＭ面とすれば、III 族窒化物半導体装置のリーク電流や耐圧低下を防止できる。 （もっと読む）