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Fターム[5F004EA05]の内容

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【課題】被加工材とレジストのエッチングの選択比を高くすることのできるエッチング方法、、このエッチング方法により加工されたサファイア基板、及び、このサファイア基板を備える発光素子を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法であって、被加工材上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンが形成された前記レジスト膜を所定の変質用条件にてプラズマに曝し、前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、被加工材を変質用条件と異なるエッチング用条件にてプラズマに曝し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして被加工材のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、を含むようにした。 (もっと読む)


【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、金属膜をドライエッチングする。 (もっと読む)


【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥(凹状欠陥、凸状欠陥)を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド21,11が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤20と下定盤10との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側20より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも1以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤20側にセットして行う。 (もっと読む)


【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部12を除いた基体11の一面11a、即ち溝部12の頂面にエッチングカバー層14を形成する。エッチングカバー層14は、例えば、Ta,Tiまたはこれらを含む合金から構成される。エッチングカバー層14の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】複数回のリソグラフィ工程を実施することなく、多段の凸形状からなる微細3次元構造パターンを形成することが可能なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板900の面上に第1と第2のエッチングマスク層100,200と、パターニング処理した第3層目のエッチングマスク301を積層し、この第1層目から第3層目のエッチングマスク層100,200、301において、隣接する上層のエッチングマスクをエッチング用マスクとして下層のエッチングマスクをエッチングし上層のエッチングマスクに形成されたパターンを下層のエッチングマスクに転写する。そして、第3層目のエッチングマスク301のパターンをトリミングした後、該トリミング後のエッチングマスクとエッチング後の第1及び第2層目のエッチングマスクを用いて基板を順にエッチングし、第1及び第2層目のエッチングマスクのパターンを基板900に転写する。 (もっと読む)


【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第1配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第2配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第1及び第2配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第1ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第2ステップとが行われる。第1及び第2ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 (もっと読む)


【課題】ワイドギャップ半導体基板にテーパ状の凹部を形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】まず、ワイドギャップ半導体基板Kの表面に開口部を有したマスクMを形成する。そして、マスクMが形成されたワイドギャップ半導体基板Kを基台に載置し、当該ワイドギャップ半導体基板Kを200℃以上に加熱した後、処理チャンバ内に供給されたエッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、プラズマ化されたエッチングガスによるワイドギャップ半導体基板Kのエッチングと、プラズマ化された保護膜形成ガスによる保護膜の形成とを並行して行い、保護膜によって保護しつつ、炭化ケイ素基板Kのエッチングを進行させ、炭化ケイ素基板Kにテーパ状の凹部を形成する。 (もっと読む)


【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングにより微細加工を行った場合に、エッチング残渣が少なく、後工程における信頼性が高い非鉛の圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体膜素子1の製造方法は、基板2上に、組成式(K1−xNa)NbOで表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜5を形成する工程と、圧電体膜5を、フッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてエッチングを行う工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】オン抵抗の増加を抑制でき、さらにオフ時のゲートリーク電流およびドレインリーク電流を低減できるノーマリオフ型の窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】上層の窒化物半導体層15を下層の窒化物半導体層14の格子定数より大きい材料とし、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極との間の上層の窒化物半導体層表面15を、窒素ガスのプラズマ処理を施す。プラズマ処理を行うことにより、プラズマ処理なしの窒化物半導体層の積層構造により形成される2次元電子ガス層のキャリア濃度より、高いキャリア濃度の2次元電子ガス層16が形成され、特性の優れたノーマリオフ型の窒化物半導体装置となる。 (もっと読む)


【課題】難エッチング材料を、高速、高精度及び低ダメージでエッチングする。
【解決手段】実施形態に係わるエッチング装置は、上面側に披処理基板19が搭載されるステージ11と、ステージ11の上面側を覆うチャンバー12と、ステージ11の下面側に付加され、開口部を有する下部電極13aと、チャンバー12内にエッチングガスを供給するガス供給部14と、下部電極13aに高周波を印加することにより、チャンバー12内のエッチングガスをプラズマ化する高周波電源部17と、下部電極13aの開口部を介して被処理基板19にマイクロ波を印加することにより、披処理基板19の温度を最適範囲内に設定するマイクロ波発生部15と、ガス供給部14、高周波電源部17及びマイクロ波発生部15を制御する制御部18とを備える。 (もっと読む)


【課題】光抽出構造が形成されることで、発光効率及び信頼性を向上できる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、金属又は半導体からなる支持層;支持層上に位置する第1の電極;第1の電極上に位置し、発光層を含む多層構造の半導体層;及び半導体層上に配置され、少なくとも一つのホール又は柱形状の単位構造で形成される光抽出構造;を含む。光抽出構造はランダムに配置され、光抽出構造の高さは、nを光抽出構造が形成された物質の屈折率とし、λを発光層の中心波長とした場合にλ/2n〜3000ナノメートルであり、光抽出構造の周期又は隣接する単位構造の各中心間の平均距離は400〜3000ナノメートルであり、光抽出構造の単位構造はホール又は柱形状であり、単位構造の内側表面の半径と外側表面の半径とが互いに異なる。 (もっと読む)


【課題】チャネル形成領域が形成される半導体層のチャネル形成領域と逆側近傍の加工方法を工夫した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】少なくとも結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングを行い、第1のエッチングは非晶質半導体膜の一部を残存させつつ行い、第2のエッチングは非晶質半導体膜上の被覆膜を除去させた後に、非晶質半導体膜に対するエッチングレートが高く、且つ結晶性半導体膜に対するエッチングレートが低い条件により行い、積層半導体膜に設けられた結晶性半導体膜の一部を露出させる。 (もっと読む)


【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置、及び半導体装置の作製工程において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチに設ける。トレンチは下端コーナ部及び曲率半径が20nm以上60nm以下の曲面状の上端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、上端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも上端コーナ部において表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 (もっと読む)


【課題】基板の上のエッチング層内にエッチング特徴を形成するための方法が提供される。
【解決手段】エッチングマスクスタックが、エッチング層の上に形成される。第1のマスクが、エッチングマスクスタックの上に形成される。第1のマスクによって定められる間隔の幅を低減させる側壁層が、第1のマスクの上に形成される。側壁層を通して、第1組の特徴が、エッチングマスクスタック内へとエッチングされる。マスクおよび側壁層は、除去される。追加の特徴のステップが実施される。該ステップは、追加のマスクをエッチングマスクスタックの上に形成することと、側壁層を追加のマスクの上に形成することと、第2組の特徴を少なくとも部分的にエッチングマスクスタック内へとエッチングすることと、を含む。エッチングマスクスタック内の第1組の特徴および第2組の特徴を通して、複数の特徴がエッチング層内にエッチングされる。 (もっと読む)


【課題】相互接続領域の具現が困難なパッドレイアウトを具現化し、オーバレイマージンを増大できる半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に被食刻層、第1のハードマスク物質層、第1の分割パターン物質層及び第2のハードマスク物質層を形成して選択食刻し第2のハードマスクパターンを形成し、これをマスクとし第1の分割パターン物質層を食刻し第1の分割パターンを形成する。第1のハードマスク物質層の上部にスペーサ物質層及び第2の分割パターン物質層を形成し、第1の分割パターンが現われるまでスペーサ物質層及び第2の分割パターン物質層を部分食刻しスペーサ物質層を露出させ、複数の第1の分割パターン間に第2の分割パターンを形成し、第1、第2の分割パターンをマスクとしスペーサ物質層及び第1のハードマスク物質層を食刻し第1のハードマスクパターンを形成し、これをマスクとし被食刻層を食刻し微細パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン形成体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスク層を残存させることと、下段部は基板表面の一部が露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することが出来る。 (もっと読む)


【課題】エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体のエッチングの進行、またはポリマーの生成のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスク1900を半導体表面に形成すると共に、マスクの周辺に周辺窓1701を有する周辺マスク1700を形成する第1の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第2の工程を有し、マスク1900が、第1のパターンを有す第1のマスク部1910と、第1のマスク部上に形成され、第1のマスク部のマスク厚よりも厚く、第1のパターンの開口部幅を画定する第2のパターンを有す第2のマスク部1920とからなり、周辺マスクの窓領域が第1のパターンの回折格子方向周辺に配されるようにした。 (もっと読む)


【課題】ハードマスクパターンを用いたドライエッチングで基板の表面に凹凸のパターンを形成する場合に、パターンの側面をボーイング形状にしないで垂直面に近づける。
【解決手段】基板上にハードマスク層を形成する第1工程(S2)と、ハードマスク層を覆う状態でレジスト層を形成した後、レジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成する第2工程(S3〜S5)と、レジストパターンをマスクに用いてハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する第3工程(S6)と、ハードマスクパターンをマスクに用いて基板をドライエッチングすることにより、基板に凹凸のパターンを形成する第4工程(S8)と、を含み、第4工程(S8)においては、ハードマスクパターンの後退に寄与するガスを添加したエッチングガスを用いて基板をドライエッチングすることにより、基板のエッチングの進行とともにハードマスクパターンを後退させる。 (もっと読む)


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