【課題】膜パターンの倒れを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板上に低ガラス転移温度材料膜と高ガラス転移温度材料膜との積層膜を形成する工程と、前記積層膜上に加熱下で上層膜を形成する工程と、前記上層膜をパターニングする工程と、前記上層膜をマスクとして前記積層膜をパターニングする工程と、前記上層膜をウェットエッチング処理により除去する工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）

【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 （もっと読む）

【課題】不純物領域の自己整合的な形成を精度よく行うことができる、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】マスク層３１の開口部ＯＰを介して炭化珪素基板９０上に第１導電型不純物が注入される。第１および第２の材料のそれぞれから作られた第１および第２の膜３２、３３が成膜される。異方性エッチング中に第１の材料のエッチングが生じたことが検知され、異方性エッチングが停止される。第１および第２の膜３２、３３によって狭められた開口部ＯＰを介して、炭化珪素基板９０上に第２導電型不純物が注入される。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンと比較的サイズが大きめのパターンとを有するパターン形成方法で、サイズが大きめのパターンを従来に比して精度良く形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、加工対象上の芯材膜３１に開口を形成した後、マスク膜３２をコンフォーマルに形成する。マスク膜３２をエッチバックして芯材膜３１の側面に第１の幅のマスク膜３２を残す。開口の形成領域以外の領域にレジストパターン３５ａを形成し、これをマスクに芯材膜３１をエッチングする。さらに、芯材膜３１をスリミングして第１の幅より小さい第２の幅のラインアンドスペース状のパターンを形成する。側壁膜をコンフォーマルに形成した後、エッチバックし、さらに芯材膜３１を除去して、加工対象上に側壁膜からなる側壁パターンを形成する。そして側壁パターンで加工対象をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の側壁側にサイドウォールを精度よく形成することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】まず、ＳＯＩ基板５の一方面側においてゲート電極３４上及びゲート電極３４の周囲の領域に第１絶縁膜４０を形成する。次に、第１絶縁膜４０上に積層させる構成で第１絶縁膜４０とは材質の異なる第２絶縁膜４２を形成する。そして、第１絶縁膜４０及び第２絶縁膜４２におけるゲート電極３４の側壁３４ａ側の部分を残しつつ、第２絶縁膜４２よりも第１絶縁膜４０のほうが、エッチング速度が遅くなるように第１絶縁膜４０及び第２絶縁膜４２を除去し、ゲート電極３４の側壁３４ａ側にサイドウォール４５を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に形成される凹部の加工精度を高めることのできるシリコン基板のエッチング方法及び該方法を用いるシリコン基板のエッチング装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成する際に、シリコン基板を含む基板Ｓを収容する真空槽１１内に六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガスのプラズマを生成して、該シリコン基板の厚さ方向に延びる凹部を形成する。加えて、真空槽１１内に三フッ化ホウ素（ＢＦ_３）ガスのプラズマを生成して、上記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】離型層としての堆積膜を表面に有するモールドの製造において、モールドの製造におけるスループットをより向上させることを可能とする。
【解決手段】離型層１４としての堆積膜を表面に有するモールド１の製造において、堆積性ガス５ａ・５ｂを含むエッチングガスを用いて、石英基板１０およびマスク層Ｍからなる構造体に所望の形状の凹凸パターンが形成されるとともに、堆積性ガス５ａ・５ｂの堆積物からなる堆積膜がこの凹凸パターンに沿って形成されるように石英基板１０をプラズマエッチングする。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの形成において、残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅が、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅となることを可能とする。
【解決手段】凹凸パターンが転写されたレジスト膜２の残膜エッチング工程が、エッチングの際に堆積物４を生成する堆積性ガスを含有する第１のエッチングガスを用いて、レジストパターンにおける凸部の側壁に堆積物４が堆積しかつ残膜がエッチングされる条件でレジスト膜２をエッチングする第１のエッチング工程を含み、堆積物４を含めた上記凸部の幅が残膜エッチング工程前における上記凸部の幅以上の所望の幅となるように第１のエッチング工程以後の工程によってレジスト膜２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線形状を改善すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、溝領域を規定する第１パターンを有する第１マスクを、サイドウォール形状の転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、前記第１パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第２マスクを、平面図で見た場合に、前記２マスクが前記第１マスクに重なり、前記開口が前記溝領域に重なるように、形成し、第２パターンを形成する工程と、前記第１及び第２マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第１パターンを前記層間膜に転写させる工程と、前記第２マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第２パターンを前記層間膜に転写させる工程とを具備する。前記第１パターンは、前記第２パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。 （もっと読む）

【課題】所望の微細化パターンを高精度かつ効率良く形成することができ、生産効率を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トリミングされたフォトレジスト層１０４のラインパターンの上に第１の膜１０５を成膜する工程と、前記ラインパターンの側壁部以外にある第１の膜１０５およびフォトレジスト層１０４を除去する工程と、該除去後に残った部分の第１の膜１０５をマスクとして反射防止膜１０３とコア層１０２をエッチングし、コア層１０２をラインパターンとする工程と、ラインパターン化コア層１０２の上に第２の膜１０６を成膜する工程と、ラインパターン化コア層１０２の側壁部以外にある第２の膜１０６およびラインパターン化コア層１０２を除去する工程と、該除去後に残った部分の第２の膜１０６をマスクとして被エッチング層１０１をエッチングし、ラインパターンとする工程とを備えた製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＳＤＤＰの問題を解消するスペーサ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本方法はテンプレート上に金属酸化物のハードマスクを形成する方法であって、基板上にフォトレジストまたは非結晶性カーボンを与える工程と、式Ｓｉ_ｘＭ_{（１−ｘ）}Ｏ_ｙをもつ材料に構成されるテンプレート上に金属酸化物のハードマスクを原子層成膜により蒸着する工程と、を含み、ここで、Ｍは少なくとも一つの金属元素を表し、ｘはゼロを含む１未満の数であり、ｙは約２または化学量論的に決定される数である。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像限界よりも微細な非周期的な部分を含むパターンを、露光装置を用いて形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上に第１Ｌ＆Ｓパターン７１を形成し、第１Ｌ＆Ｓパターン７１を覆うように第１保護層４８、周期方向が直交する第２Ｌ＆Ｓパターン７８、及びフォトレジスト層６０を形成し、第２Ｌ＆Ｓパターン７８の一部と重なるように、フォトレジスト層６０に第１開口部６０Ａ，６０Ｂを有する第３パターンを形成し、第１開口部６０Ａ，６０Ｂを介して第１保護層４８に第２開口部４８Ａ，４８Ｂを形成し、第２開口部４８Ａ，４８Ｂを介して第１Ｌ＆Ｓパターン７１の一部を除去する。 （もっと読む）

【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第１のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】サイドウォールスペーサを利用してリソグラフィー解像限界未満のパターンと任意の寸法のパターンとが混在するパターンを形成する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜３及びシリコン酸窒化膜４からなる被エッチング部材上に塗布膜５をスピン塗布法により成膜し、塗布膜５をパターニングすることによってサイドウォールコアを形成し、サイドウォールコアの少なくとも側面を覆うシリコン酸化膜７を成膜し、シリコン酸化膜７上に有機反射防止膜８をスピン塗布法により成膜する。次いで、有機反射防止膜８をエッチングすることによって、シリコン酸化膜７の凹部７ａを覆う埋込マスクを形成し、シリコン酸化膜７をエッチングすることにより、サイドウォールコアまたは埋込マスクと重ならない被エッチング部材を露出させ、被エッチング部材をエッチングすることでフォトリソグラフィー解像限界未満のパターンを得る。 （もっと読む）

【課題】 短時間で確実にデポ膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 錘部と、錘部を開口部を挟んで囲むように配置された外枠支持部と、錘部と支持部とを連結する梁部とを備える半導体装置の製造方法であって、支持基板をエッチングして錘部と支持部とを形成する基板加工工程と、基板加工工程のエッチングで生じたデポ膜に接する錘部及び支持部各々の開口部側の側壁を変質させる変質工程と、変質工程後、側壁の変質箇所をデポ膜と共に錘部及び支持部各々から除去するデポ膜除去工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上の犠牲膜又は被処理膜のパターンの寸法を正確に測定し、基板上の被処理膜にスペース比率が１：１となるパターンを形成する。
【解決手段】検査用ウェハのモニターパターンの目標スペース比率を１：１と異なる比率に決定する（Ｓ１）。ライブラリのスペース比率の範囲を、目標スペース比率を含み１：１を含まない範囲に決定する（Ｓ２）。検査用ウェハに所定の処理を行い、被処理膜にモニターパターンを形成する（Ｓ３〜Ｓ８）。モニターパターンの寸法を測定する（Ｓ９）。モニターパターンの寸法を１：１のスペース比率の被処理膜のパターンの寸法に変換し（Ｓ１０）、変換された被処理膜のパターンの寸法に基づいて所定の処理の処理条件を補正する（Ｓ１１）。その後、補正された条件でウェハに所定の処理を行い、被処理膜に１：１のスペース比率のパターンを形成する（Ｓ１２〜Ｓ１７）。 （もっと読む）

【課題】開孔径が均一で開孔径の制御が容易な、微細化に適した開孔パターンを有するマスクを製造する。
【解決手段】第１及び第２のマスク層内に開孔を設ける。この後、第１のマスク層内の開孔の径よりも第２のマスク層内の開孔の径を、Ｘの量だけ大きくする。この後、第２のマスク層内の開孔内にマスク材料を形成することによって第２のマスク層内の開孔内に、Ｘの径の空洞部を形成する。この空洞部を開孔として有する第２のマスク層及びマスク材料を、マスクとして形成する。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。
【解決手段】エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。このエッチングにおいて、マスク厚の厚いＳｉＮ_xマスク１４１１からの塩素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄いＳｉＯ₂マスク１４１０からの塩素プラズマの寄与は小さい。したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。ここで用いるマスクは２段構造を有しており、１段構造に比べてより多くのエッチング種をエッチングに関与させる。 （もっと読む）