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Fターム[5F004EA23]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | パターン形成手法 (4,711) | エッチングストッパー (168)

Fターム[5F004EA23]に分類される特許

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【課題】低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜の除去を行うことのできる有機膜の除去方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、酸素又は窒素を含む第1のガスと、CxHy(x,yは正の整数)で示される第2のガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを被処理基板に作用させて有機膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】 所望の深さを有し幅の狭い凹部を半導体基板に安定して形成することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、半導体基板10の一部に酸素イオン注入を行うことで第1酸素含有領域24を形成する工程と、半導体基板10に熱処理を行い、第1酸素含有領域24に含まれる酸素を用いて第1酸素含有領域24を酸化させることで、第1酸素含有領域24を第1酸化領域26とする工程と、第1酸化領域26を除去することで半導体基板10に凹部16を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】貫通孔の側壁を平坦に加工することのできる液体吐出装置の流路板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る液体吐出装置の流路板の製造方法は、面方位が{110}であるシリコン基板の一方の面と他方の面とを貫通する貫通孔と、前記一方の面側に形成され前記貫通孔と接続する流路と、を備えた液体吐出装置の流路板の製造方法であって、前記シリコン基板の前記一方の面上に第1マスクを形成し、前記第1マスク上に第2マスクを形成するマスク形成工程と、前記第2マスクを介して少なくとも一部にドライエッチングを含むエッチングを行い、前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記第2マスクを除去した後、前記第1マスクを介して前記貫通孔に対して結晶異方性エッチングを行い、前記貫通孔の側壁面を、前記シリコン基板の面方位{111}の面で構成するように前記貫通孔の側壁を加工する側壁加工工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングにより微細加工を行った場合に、エッチング残渣が少なく、後工程における信頼性が高い非鉛の圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体膜素子1の製造方法は、基板2上に、組成式(K1−xNa)NbOで表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜5を形成する工程と、圧電体膜5を、フッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてエッチングを行う工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器1と、処理容器1内に設けられた、被処理基板Wが載置される基板載置台3と、処理容器1内に、ガスを供給するガス導入部27と、を具備し、基板載置台3の、被処理基板Wが載置される基板載置面3aが窪み3bを有し、窪み3bの直径を200mmとしたとき、最深部の深さを1mm以下とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH2F2やCHF3のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH2F2の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 (もっと読む)


【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第1のサイズd1を有する第1基板31に窒化物半導体層11を形成する。窒化物半導体層11上に第1のサイズd1より小さい第2のサイズd2を有する第1接着層12aを形成し、第2基板32上に第2接着層12b形成する。第1および第2接着層12a、12bを重ね合わせ、第1および第2基板31、32を張り合わせる。第2のサイズd2より大きいまたは等しい第3のサイズd3を有する凹部31aを生じるように第1基板31を除去する。凹部31aに薬液を注入し、窒化物半導体層11が露出するまで第1基板31をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層11を更にエッチングし、窒化物半導体層11の露出面を粗面化する。 (もっと読む)


【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にGaAsキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板2上にnクラッド層3と、活性層4と、第1pクラッド層5と、エッチングストップ層6と、第2pクラッド層7と、キャップ層9とを順次積層して形成する工程と、キャップ層9の一部を除去した開口部10AにZnO層11を形成して窓領域を形成する工程と、開口部10Aからキャップ層9上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン16を形成し、絶縁膜マスクパターン16から露出したキャップ層9をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン16から露出しているキャップ層9の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層6に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】充分な選択比を備え、また、除去が比較的容易なエッチングストッパ層を得る。
【解決手段】GaAs基板10上に設けられた高電子移動度トランジスタ構造20と、高電子移動度トランジスタ構造20の上に設けられたヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造40と、を備え、高電子移動度トランジスタ構造20とヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造40との間には、As濃度が1.0×1016atoms/cc以上1.0×1021atoms/cc以下のInGaAsP層からなるエッチングストッパ層30を備える。 (もっと読む)


【課題】水素を用いた熱分解において、水素濃度を規定してエッチング速度を制御することで、半導体装置の製造方法の加工精度を向上させる。
【解決手段】半導体装置1の製造方法は、基板10に窒化物半導体で形成された第1層(障壁層25)および第2層(キャップ層26)を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第2層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。熱エッチング工程では、水素濃度が1%以上20%以下であることが望ましい。 (もっと読む)


【課題】基板の上のエッチング層内にエッチング特徴を形成するための方法が提供される。
【解決手段】エッチングマスクスタックが、エッチング層の上に形成される。第1のマスクが、エッチングマスクスタックの上に形成される。第1のマスクによって定められる間隔の幅を低減させる側壁層が、第1のマスクの上に形成される。側壁層を通して、第1組の特徴が、エッチングマスクスタック内へとエッチングされる。マスクおよび側壁層は、除去される。追加の特徴のステップが実施される。該ステップは、追加のマスクをエッチングマスクスタックの上に形成することと、側壁層を追加のマスクの上に形成することと、第2組の特徴を少なくとも部分的にエッチングマスクスタック内へとエッチングすることと、を含む。エッチングマスクスタック内の第1組の特徴および第2組の特徴を通して、複数の特徴がエッチング層内にエッチングされる。 (もっと読む)


【課題】リッジ型半導体レーザを精度よく簡易的に製造することができる製造方法等を提供する。
【解決手段】リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層13とエッチングストップ層17を含む半導体積層23を形成する半導体積層形成工程S1と、第1半導体積層エッチング工程S3と、半導体部形成工程S5と、リッジ導波路部形成工程S7と、半導体回折格子要素形成工程S9とを備える。リッジ導波路部形成工程S7における第1マスク部パターニング工程S7−1と半導体回折格子要素形成工程S9における第2マスク部パターニング工程S9−1とは、一つのマスターパターン40Mからのパターン転写によって一括して行われる。リッジ導波路部形成工程S7における第2半導体積層エッチング工程S7−3と、半導体回折格子要素形成工程S9における第1半導体部エッチング工程S9−3とは、一括して行われる。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板に形成される凹部の加工精度を高めることのできるシリコン基板のエッチング方法及び該方法を用いるシリコン基板のエッチング装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成する際に、シリコン基板を含む基板Sを収容する真空槽11内に六フッ化硫黄(SF)ガスのプラズマを生成して、該シリコン基板の厚さ方向に延びる凹部を形成する。加えて、真空槽11内に三フッ化ホウ素(BF)ガスのプラズマを生成して、上記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置における配線形状を改善すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、溝領域を規定する第1パターンを有する第1マスクを、サイドウォール形状の転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、前記第1パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第2マスクを、平面図で見た場合に、前記2マスクが前記第1マスクに重なり、前記開口が前記溝領域に重なるように、形成し、第2パターンを形成する工程と、前記第1及び第2マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第1パターンを前記層間膜に転写させる工程と、前記第2マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第2パターンを前記層間膜に転写させる工程とを具備する。前記第1パターンは、前記第2パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成することができ、かつ、オーバーエッチング工程におけるミニマムバーの急激な減少を抑制することのできるプラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法並びにコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】エッチストップ層上に形成された酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法であって、酸化シリコン膜をエッチングするメインエッチング工程と、メインエッチング工程の後、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程とを具備し、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程は、処理ガスを、CガスとArガスとOガスとの混合ガスとした第1エッチング工程と、処理ガスを、CガスとArガスとOガスとの混合ガス、又は、CガスとArガスとOガスとの混合ガスとした第2エッチング工程とを交互に複数回繰り返して行う工程を含む。 (もっと読む)


【課題】デバイス等を形成する基板に、複数の開口面積と、深さとの異なる貫通穴をエッチングによって同時に形成する貫通穴形成方法を提供する。
【解決手段】第1基板面と当該第1基板面に相対する第2基板面とを有する基板に対し、第1基板面に複数の小穴を連接して形成し、小穴をエッチングによって削成することで第1穴を形成する第1穴形成工程と、小穴と小穴との隔壁となる基板と、小穴の底部となる基板とを熱酸化し基板に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と熱酸化した隔壁および底部と基板に形成した熱酸化膜を除去する除去工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。
【解決手段】コンディショニングは、炭化水素ガスを含む無フッ素蒸着ガスを供給することと、無フッ素蒸着ガスからプラズマを形成することと、500ボルト未満のバイアスを提供することと、パターン化疑似ハードマスクの上端上に蒸着を形成することとを含む。エッチング層は、パターン化疑似ハードマスクを通してエッチングされる。 (もっと読む)


【課題】シリコン膜のエッチング時に膜厚方向中央部での括れの発生を防止する。
【解決手段】多結晶シリコン膜3の上部と下部はノンドープ層3a、3cにてそれぞれ構成され、多結晶シリコン膜3の中央部は不純物ドープ層3bにて構成され、多結晶シリコン膜3に凹部M1を形成した後、多結晶シリコン膜3の酸化処理にて凹部M1の表面にシリコン酸化膜6を形成し、凹部M1下の多結晶シリコン膜3を除去する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間
絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第1の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の1/3以下に形成する。 (もっと読む)


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