【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域３０を含むＦＥＴ３４、活性領域３０からなるスクライブライン３６、ＦＥＴ３４とスクライブライン３６との間に位置する不活性領域３２、及び不活性領域３２を横断してＦＥＴ３４とスクライブライン３６とを電気的に接続する接続領域３８を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜２０を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜２０に選択的に開口部２１を形成する工程と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの側壁に制御性良く傾斜を形成することで、コンタクトプラグにボイドが形成されることを抑制する。
【解決手段】絶縁膜１０に第１のコンタクトホール（破線部）を形成する工程と、第１のコンタクトホールの内壁を構成する絶縁膜の上方ほどエッチング量が多くなるケミカルドライエッチングを施して内壁が傾斜した第２のコンタクトホール１３を形成する工程と、第２のコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第１配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第２配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第１及び第２配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第１ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第２ステップとが行われる。第１及び第２ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 （もっと読む）

【課題】ビアホールやトレンチなどのエッチング形状をウエハ面内で均一化することが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理対象の基板へ供給されるエッチングガスの供給条件を調節する供給条件調整部と、載置台上に載置される前記基板の温度を前記半径方向に沿って調整する温度調整部と、前記供給条件調整部及び前記載置台の間の空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するエッチング装置において前記基板をエッチングするエッチング方法であって、前記基板の温度が前記基板面内で均一になるように前記温度調整部により制御する工程と、前記プラズマ発生部により発生されるプラズマ中の中性活性粒子の前記基板上方における濃度分布を前記供給条件調整部により調整することにより、前記基板面内でのエッチングレートを均一化する工程とを含むプラズマエッチング方法により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【解決手段】 バンプ７を覆う被覆材８を除去して該バンプを露出させるレーザ加工方法に関する。第１ステップでは、バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材にレーザ光を照射して該部分に浅い凹部９を形成することにより、上記バンプの周辺部分に被覆材を残したまま該バンプの中心頂部を露出させる。第２ステップでは、レーザ光による上記被覆材の有効穿孔径Ｒ_２を第１ステップにおける有効穿孔径Ｒ_１よりも小さく設定して、該レーザ光を上記第１ステップで穿孔された凹部９内の被覆材８に照射して上記バンプの周辺部分の被覆材を除去することにより、該バンプの周辺部分を露出させる。
【効果】 バンプ７の溶融を防止しながら、バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング実行中にレジスト膜厚の影響を除去し、高い精度で孔深さや段差を算出する。
【解決手段】所定波長幅の光を試料５０に照射して、孔５２の底面や基板５１上面等で反射する光の干渉を含む光を分光ユニット２５により分光検出する。データ処理部３０では分光スペクトルから光源２１の発光スペクトルの影響等を除去した干渉スペクトルを求め、これをフーリエ変換して得られるピークの間隔から孔深さや膜厚等を算出する。チョッパ１０３は外部参照面１０４で反射した外部参照光を周期的に遮断・通過させるため、データ処理部３０では外部参照光ありのデータとなしのデータとが得られる。例えば、レジスト層５３が厚い間は、より高分解能である外部参照光なしのデータに基づいて孔深さ等を算出し、エッチングが進行してレジスト層５３が薄くなると、外乱の影響を受けにくい外部参照光ありのデータに基づいて孔深さ等を算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型化を図ることが可能になると共に、絶縁リングで囲まれた貫通電極を狭ピッチで配置することの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】回路素子層５が形成される表面１ａ、及び裏面１ｂを有する半導体基板１と、半導体基板１を貫通し、かつ半導体基板１の表面１ａ側から半導体基板１の裏面１ｂ側に向かうにつれて幅が広くなる貫通電極７と、貫通電極７を囲むように半導体基板を貫通し、かつ半導体基板１の表面１ａ側から半導体基板１の裏面１ｂ側に向かうにつれて幅が狭くなる第１の絶縁リング３と、を有し、半導体基板１の厚さ方向Ａにおいて、第１の絶縁リング３の少なくとも一部と対向するように貫通電極７を配置する。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にＣＶＤによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてＣｌＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、ＣＶＤによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ネッキングやボウイングの発生を抑制し、高いエッチングレートで、高いマスク選択比を有するプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】被処理体の戴置台として機能する下部電極と、前記下部電極に対向して配置される上部電極を有するプラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチング方法であって、フルオロカーボン系ガスを含む第１の処理ガスを用いてプラズマエッチングする第１のエッチング工程と、プラズマ生成用の高周波電力をオンにする第１条件とオフにする第２条件とを交互に繰り返しながら、前記第１条件の期間よりも前記第２条件の期間の方が印加電圧の絶対値が大きくなるように、前記上部電極に負の直流電圧を印加して、フルオロカーボン系ガスを含む第２の処理ガスを用いてプラズマエッチングするエッチング工程であって、前記第１の処理ガスのラジカルの被処理体に対する付着性は、前記第２の処理ガスのラジカルの前記被処理体に対する付着性より大きい、第２のエッチング工程とを含む、プラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン３をマスクとして絶縁膜２をドライエッチングすることにより開口部４を形成する。絶縁膜２のドライエッチングの際に開口部４の内面に付着した反応生成物５に波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射して、反応生成物５に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、有機成分の分解後に開口部４の内面に残存している付着物６を除去する。付着物６が除去された開口部４内に導電膜７を形成する。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）式：Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｃ（式中、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ正の整数を表し、２≦ａ≦５、ｃ＜ｂ≧１、２ａ＋２＞ｂ＋ｃ、ｂ≦ａ＋ｃの関係を満たす。但し、ａ＝３、ｂ＝４、ｃ＝２の場合を除く。）で表される含フッ素不飽和炭化水素と、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＯＦ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２及びＹＦ_ｎ（但し、ＹはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表す。ｎは１〜５整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）Ｎ_２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ及びＫｒからなる群より選ばれる少なくとも１種のガスとを、それぞれ特定の体積％で含む、ドライエッチング剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】マスクをプラズマから保護することができ、形成する穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】上方にパターニングされたシリコン酸化膜が形成されてなる被処理基板におけるシリコン層を第１の処理ガスによりエッチングして穴部を形成するプラズマエッチング方法において、一酸化炭素ガスを含む第２の処理ガスによりシリコン酸化膜の表面に保護膜を堆積させる第１の堆積ステップＳ１１と、第１の処理ガスによりシリコン層をエッチングする第１のエッチングステップＳ１２と、穴部の側壁に第２の処理ガスにより保護膜を堆積させる第２の堆積ステップＳ１３と、第１の処理ガスによりシリコン層を更にエッチングする第２のエッチングステップＳ１４とを有し、第２の堆積ステップＳ１３と第２のエッチングステップＳ１４とを少なくとも２回ずつ交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生室に誘導結合方式で放電プラズマを発生させるようにしたエッチング装置１において、主としてラジカルでエッチングが進行する場合にエッチング速度が向上するようにする。
【解決手段】誘導放電式でプラズマが発生されるプラズマ発生室３ａ及びこのプラズマ発生室に連通し、エッチング処理すべき被処理物Ｓが配置される待機室３ｂとを有する真空チャンバ３と、プラズマ発生室に所定のエッチングガスを導入するガス導入手段９とを備える。そして、エッチングガス及び被処理物の種類により、主としてラジカルでエッチングが行われる場合、プラズマＰ発生領域に被処理物Ｓが存するように、待機室に配置された被処理物の位置を変更する位置変更手段１０、１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をエッチングして穴部を形成する際に、穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるとともに、高速にシリコン層をエッチングできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の上方にレジスト層が形成されてなる被処理基板が設置されている処理容器内に、酸素ガスとフッ化硫黄ガスとを含んだエッチングガスを所定の流量で供給し、供給したエッチングガスをプラズマ化したプラズマにより、シリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ化硫黄ガスの流量に対する酸素ガスの流量の流量比を第１の流量比とした状態でエッチングする第１のステップＳ１と、流量比が第１の流量比から第１の流量比よりも小さい第２の流量比になるように、酸素ガスの流量を減少させながらエッチングする第２のステップＳ２と、流量比を第２の流量比とした状態でエッチングする第３のステップＳ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電流コラプスを抑制するとともに、高耐圧動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ基板１０上に形成されたｉ−ＧａＮバッファ層１２と、ｉ−ＧａＮバッファ層１２上に形成されたｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１６と、ｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１６上に形成されたｎ−ＧａＮキャップ層１８と、ｎ−ＧａＮキャップ層１８上に形成されたソース電極２０及ドレイン電極２２と、ソース電極２０とドレイン電極２２との間のｎ−ＧａＮキャップ層１８上に形成されたゲート電極２６と、ソース電極２０とドレイン電極２２との間のｎ−ＧａＮキャップ層１８上に形成された第１の保護層２４と、ゲート電極２６とドレイン電極２２との間の第１の保護層２４に形成されたｎ−ＧａＮキャップ層１８に達する開口部２８に埋め込まれ、第１の保護層２４とは異なる絶縁層よりなる第２の保護層３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの供給を交互に切り換える際に，これらの処理ガスが混ざり合うことなく，過渡現象を従来以上に抑制する。
【解決手段】ウエハのプラズマ処理中に少なくとも２種類以上の処理ガス（例えばＣ_４Ｆ_６ガスとＣ_４Ｆ_８ガス）を交互に切り換えて処理室内に供給する際に，切り換える処理ガスを供給する各ガス供給路については，そのガス供給路に設けられたマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の下流側の開閉バルブを開いたまま，マスフローコントローラに所定流量とゼロ流量を繰り返して設定することによって，各処理ガスの供給を交互にオンオフする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハに貫通孔を形成することが不可欠なチップサイズパッケージや３次元積層型のパッケージについて、シリコンウエハに直接識別記号を形成する技術を提供することを目的とした
【解決手段】少なくとも、シリコンウエハ上に感光性レジストを塗布する塗布工程、感光性レジストを所定のパターンを有する濃度分布マスクを介して露光する露光工程、感光性レジストにシリコンウエハが露出する開口部と露出しない開口部とを形成する現像工程、ドライエッチングにより感光性レジスト開口部に対応する部位のシリコンウエハを除去してシリコンウエハに導通用の貫通孔と非貫通孔から構成される識別記号とを同時に形成する工程、残余の感光性レジストを除去する工程、とを有することを特徴とするシリコンウエハの加工方法である。 （もっと読む）