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Fターム[5F004EB02]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | エッチング対象部の機能 (2,366) | 電極、配線 (594)

Fターム[5F004EB02]に分類される特許

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【課題】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより形成された導電性被加工物を、下地層に段差を作ることなく、異なる電位に固定する。
【解決手段】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより線状に形成された導電性被加工物を備え、導電性被加工物は、自身を電気的に分断する2以上の分断部分を有し、分断部分における導電性被加工物は、その一部が平行になるように形成されており、平行に形成された部分の少なくとも一方は分断されている。複数回のエッチングに用いられるレジストパターンのうちの、所定回数目のエッチングに用いられる第1のレジストパターンと、他の回数目のエッチングに用いられる第2のレジストパターンとが重なる領域の、平行に形成された部分に対応する箇所の幅は、エッチングによる導電性被加工物の後退量より小さい。本技術は、半導体装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン12をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極13nまたはゲート電極13pを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン12を除去し、ゲート電極13nまたはゲート電極13pの側面に付着した反応生成物14を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低マイクロ波電力から高マイクロ波電力の広範囲において、安定的なプロセス領域を確保できるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域にて、プラズマの生成を容易にするとともに前記容易に発生させられたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、オンとオフを繰り返すパルス放電により前記プラズマを容易に生成し、前記パルス放電を生成する高周波電力のオン期間の電力は、前記連続放電によるプラズマの生成が容易になる電力とし、前記パルス放電のデューティー比は、前記高周波電力の一周期あたりの平均電力が前記連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域の電力となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法である。 (もっと読む)


【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト7、無機材料の中間層8、上層フォトレジスト9を形成し、上層フォトレジスト9をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板1をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第1反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第1反応ガスを第2反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層8をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第2反応ガスを第3反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層7をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】工程および装置構成を煩雑にすることなく、高エッチングレートで銅を異方性エッチングする装置、及びその方法を実施するプログラムを記憶した媒体を提供する。
【解決手段】チャンバ内に表面に銅膜104を有する基板101を配置し、チャンバ内を真空状態としつつ、チャンバ内に有機化合物106を供給し、銅膜に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオン107により、銅膜の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅膜を異方的にエッチングする。 (もっと読む)


【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部12を除いた基体11の一面11a、即ち溝部12の頂面にエッチングカバー層14を形成する。エッチングカバー層14は、例えば、Ta,Tiまたはこれらを含む合金から構成される。エッチングカバー層14の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第1配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第2配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第1及び第2配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第1ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第2ステップとが行われる。第1及び第2ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 (もっと読む)


【課題】高マイクロ波の特性であるプラズマのモードジャンプにより、高電力側の高選択比領域を使用できず、一定のマージンだけ離れたところでプロセス開発を行ってきた問題点を解決し、エッチングに有効なプロセス領域を拡大し、特により高密度領域、すなわち高電力側への拡大を実現し、ゲート酸化膜とシリコン膜との高選択比のドライエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させるためのマイクロ波をパルス状にパルス変調し、オン時のマイクロ波電力値をカットオフ現象が生じる電力値より高く設定し、デューティー比を65%以下、好ましくは50%以下に変化させることにより、マイクロ波の平均電力を制御する。さらに、パルスのオフ時間が50μs以上になるようにパルスの繰り返し周波数を制御する。 (もっと読む)


【課題】 基板上に形成されているシリコン膜と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層のドライエッチング深さの不均一化を抑制すること。
【解決手段】 基板上に形成されている、シリコン層と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層に対し、エッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスとして、ClF、BrF、BrF、IF、IFから選ばれる少なくとも1種類のガスとFとを含有するガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体処理装置或いはリアクタ同士の間での処理室内部或いはプラズマの状態の差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】リアクタ101内部の処理室120内の試料台108内に配置された電極に高周波電源125からの電力が整合器124を介して供給しつつ前記プラズマを用いてウエハ107が処理されるプラズマ処理装置であって、前記処理中に前記電界の電力を複数の値に変動させて検出された前記電力の値の変化に対する前記プラズマの発光の強度、前記プラズマの発光の強度の時間変動の大きさ、前記整合器の整合位置及び前記電極に供給される前記高周波電力の電圧の値の変化を含む特性データのうち少なくとも2つ種類のデータの値の遷移点の前記電力の特定の値が、別のリアクタにおいて前記ウエハと同じ種類のウエハの前記処理中に検出された前記特性データを用いて検出された前記特定の値に合わせる。 (もっと読む)


【課題】本願発明者らが、プラズマ処理等による半導体ウエハのチャージアップの影響を検討したところによると、半導体ウエハ等にドライエッチング等を施すと、通常、その結果として、半導体ウエハは、主に電気的に正側に偏った不均一な帯電状態となることが明らかとなった。これは、ドライエッチング等によって、正の可動イオン等がウエハの表面やその近傍に残存し、不均一に分布していることを示すものであり、個々の半導体チップとされた後も残存して、動作に悪影響を及ぼす恐れがある。
【解決手段】本願発明は、通常、ポリマー除去液等を使用する必要のないメタル膜加工工程に於いて、加工用レジスト膜の除去後、ポリマー除去液類似の導電性処理液との摩擦により、ウエハ全体を負に帯電させるものである。 (もっと読む)


【課題】 被処理基体の中央部分の処理速度を低減し得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態のプラズマ処理装置は、処理容器、ガス供給部、マイクロ波発生器、アンテナ、同軸導波管、保持部、誘電体窓、及び誘電体棒を備えている。ガス供給部は、処理容器内に処理ガスを供給する。マイクロ波発生器は、マイクロ波を発生する。アンテナは、プラズマ励起用のマイクロ波を処理容器内に導入する。同軸導波管は、マイクロ波発生器とアンテナとの間に設けられている。保持部は、被処理基体を保持するものであり、同軸導波管の中心軸線が延びる方向においてアンテナと対向配置されている。誘電体窓は、アンテナと保持部との間に設けられており、アンテナからのマイクロ波を処理容器内に透過する。誘電体棒は、保持部と誘電体窓との間の領域において同軸導波管の中心軸線に沿って設けられている。 (もっと読む)


【課題】貴金属元素を含むエッチング生成物が真空槽内に堆積することを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及びプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置10は、基板Sが収容される真空槽Cと、真空槽Cにエッチングガスを供給するエッチングガス供給部17aと、真空槽Cにクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、真空槽C内のガスで該真空槽C内にプラズマを生成するプラズマ生成部とを備え、エッチングガスのプラズマで基板Sをエッチングし、クリーニングガスのプラズマで真空槽C内のエッチング生成物をクリーニングする。エッチング対象物が、イリジウム及び白金の少なくとも1つを含み、クリーニングガスが、六フッ化硫黄ガスと酸素ガスとが混合されたガスである。 (もっと読む)


【課題】アモルファスカーボン膜などの酸化によりパターン精度が劣化する材料からなるハードマスク膜上に保護膜とマスク膜の積層膜を形成し、マスク膜をダブルパターニング技術を用いてパターニングすると、保護膜も2回のエッチングに曝されて、保護膜としての機能が損なわれ、パターニングに使用する有機膜除去のアッシングの際に、ハードマスク膜が酸化されてパターン精度が劣化し、忠実なパターン転写ができなくなる。
【解決手段】マスク膜6の2回目のエッチングの際に、パターニングに用いる有機膜(反射防止膜7b、8b)をマスク膜6表面は露出するが、保護膜5表面は露出しないようにエッチングし、マスク膜6のみを選択的にパターニングすることで、その後の残存する有機膜のアッシング除去に際して、ハードマスク膜4を酸化から保護する保護膜5の機能を確保でき、パターン転写の忠実性を確保できる。 (もっと読む)


【課題】薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン3をマスクとして絶縁膜2をドライエッチングすることにより開口部4を形成する。絶縁膜2のドライエッチングの際に開口部4の内面に付着した反応生成物5に波長が200nm以下の紫外線を照射して、反応生成物5に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、有機成分の分解後に開口部4の内面に残存している付着物6を除去する。付着物6が除去された開口部4内に導電膜7を形成する。 (もっと読む)


【課題】マスク倒れを防止でき、しかもAlCu配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第2層間膜17上に、下側TiN/Ti膜29、AlCu膜30および上側TiN/Ti膜31を順に積層することによってAlCu配線層34を形成する。次に、AlCu配線層34上に、SiOからなるハードマスク37を形成する。そして、このハードマスク37を利用してAlCu配線層34をドライエッチングすることにより、第1AlCu配線20を形成する。第1AlCu配線20の形成後、この配線20の表面を覆うように、SiN膜38を形成する。これにより、既存の側壁保護膜36にSiN膜38が合わさって側壁保護膜32が形成される。 (もっと読む)


【課題】マスク倒れを防止でき、しかもAlCu配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】SiCからなる第2層間膜17上に、下側TiN/Ti膜29、AlCu膜30および上側TiN/Ti膜31を順に積層することによってAlCu配線層34を形成する。次に、AlCu配線層34上に、SiOからなるハードマスク37を形成する。そして、このハードマスク37を利用してAlCu配線層34をドライエッチングすることにより、第1AlCu配線20を形成する。第1AlCu配線20の形成後、第2層間膜17をエッチングすることにより低段部28を形成する。このとき、第2層間膜17(SiC)からCを解離させ、その解離したCを含む反応生成物を側壁保護膜32に定着させることによって、側壁保護膜32を厚くする。 (もっと読む)


【課題】 シリコン基板を貫通するビアホールの形成時におけるノッチの発生を抑制することができ、製造歩留まり及び信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 シリコン基板貫通電極を有する半導体装置の製造方法であって、表面側に機能素子と配線層15が形成され、且つ配線層15の下層にエッチング停止層12を有するシリコン基板10の表面側に支持基板30を取着した後、基板10の裏面側を研削して厚みを減少させる。次いで、基板10の裏面側に、ビアホール用開口及び該開口よりも小径のダミーホール用開口を有するマスクを形成した後、基板10の裏面側からエッチングすることにより、配線層15の一部に達するビアホール42を形成すると共に、基板10の途中までダミーホール43を形成する。次いで、ビアホール42の側面に絶縁膜44を形成した後、ビアホール42内に配線材料を形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH2F2やCHF3のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH2F2の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 (もっと読む)


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