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Fターム[5F005AA00]の内容

サイリスタ (1,378) | カソードエミッタ (131)

Fターム[5F005AA00]の下位に属するFターム

Fターム[5F005AA00]に分類される特許

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ここには、改良型の溝形サイリスタベースセルが開示されている。本開示のセルは、一実施形態においては、基板のバルク内の溝に形成された導電性プラグを備えており、これはセルのイネーブルゲートに接続され、又はそれに含まれている。この溝形ゲートの周囲にはサイリスタが縦方向に配設され、そのアノード(ソース;p形領域)がビットラインに接続されると共に、カソード(ドレイン;n形領域)がワードラインに接続されている。この溝形イネーブルゲートの他には、本開示のセルはアクセストランジスタのような他のゲートを備えておらず、よって、本質的に1トランジスタデバイスである。その結果、サイリスタの縦方向配設によって容易になったように、本開示のセルは、伝統的なDRAMセルと比べて集積回路上に少量の領域だけを占有している。更に、本開示のセルは、その各種実施形態において製造が容易であり、セルアレイとして構成することも容易である。セル下の分離は、全ての有用な実施形態において必要とはされないが、セルのデータ保持を改善する助けになり、セルのリフレッシュ間に要する時間を延ばしてくれる。 (もっと読む)


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