Fターム[5F005AA04]の内容
Fターム[5F005AA04]に分類される特許
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半導体装置
【課題】トレードオフの関係にある臨界オフ電圧上昇率dV/dtとゲート感度との関係を改善した半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、ゲートトリガ電流IGTの経路となるベース層(P型ベース領域、P型半導体領域P1)のゲート電極M1bとのオーミック接触面である高濃度不純物層を、高融点金属シリサイド層LMで形成する。
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