【課題】大電流容量を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、エピウエハ１１０と、絶縁膜と、第１の電極と、導電層と、第２の電極１６０とを備えている。エピウエハ１１０は、高欠陥領域１１１と、高欠陥領域１１１よりも欠陥密度の低い低欠陥領域１１２とを含み、主表面１１３と、主表面１１３と反対側の裏面１１４とを有する。絶縁膜は、エピウエハ１１０の主表面１１３における高欠陥領域１１１を覆うように形成される。第１の電極は、低欠陥領域の上に形成され、絶縁膜を介して隣り合う。導電層は、絶縁膜を介して隣り合う第１の電極を電気的に接続する。第２の電極１６０は、エピウエハ１１０の裏面１１４上に形成されている。 （もっと読む）