Fターム[5F005AF00]の内容
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半導体装置
【課題】MOSFETを含む半導体装置において、チップサイズの縮小に対応できる過熱保護用のサイリスタチップの実装を実現する。
【解決手段】半導体装置1は、一方の主面1aにゲート電極Gとソース電極Sとを有するMOSFETを備えている。ソース電極S上に所定の温度以上で導通動作するサイリスタチップ2が配置されている。MOSFETは、N型の半導体基板11の一方の面(主面1a)にP型の拡散層12、その内部にN型の拡散層13をそれぞれ形成し、拡散層13に接続したソース電極Sと、チャネル部に延伸部を対向させたゲート電極Gとをそれぞれ形成し、半導体基板11の他方の面にドレイン電極Dを形成した構造をもつ。サイリスタチップ2のアノード電極Aはゲート電極Gに接続され、第1カソード電極K1はソース電極Sと直接電気的に接続され、第2カソード電極K2は第1カソード電極K1とサイリスタチップ2の内部で接続されている。
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